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單片機(jī)降低待機(jī)功耗到66微安的方法

作者:huqin   來源:本站原創(chuàng)   點(diǎn)擊數(shù):  更新時(shí)間:2014年05月09日   【字體:

功耗降到66微安了,開心。先上圖,再說方法:


 


 

 
LED采用如下方式連接到MCU的

之前全部將管腳配置為開漏模式,這樣配置管腳為低電平時(shí)LED點(diǎn)亮,配置管腳為高阻時(shí)LED熄滅。這樣在休眠狀態(tài)下,這些管腳的配置為開漏模式并設(shè)置為高阻,想不到這樣會(huì)有比較大的電流泄露。修改前待機(jī)電流為320微安左右,將這些管腳修改為推挽模式之后,待機(jī)電流驟降為66微安。除去加速度傳感器消耗的十幾微安,MCU實(shí)際消耗在40~50微安左右。雖然還沒有達(dá)到理論最低值,但是計(jì)算下來理想狀態(tài)下,兩節(jié)南孚電池的待機(jī)時(shí)間已經(jīng)達(dá)到4年以上,應(yīng)該大于產(chǎn)品的壽命了。

 
所以功耗部分的問題就算是決絕了。
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