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分享STM32 FLASH 擦除(以及防止誤擦除程序代碼)、寫入

作者:黃賓山   來源:本站原創(chuàng)   點(diǎn)擊數(shù):  更新時(shí)間:2014年03月03日   【字體:

編譯環(huán)境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   
stm32庫版本:我用的是3.5.0
一、本文不對(duì)FLASH的基礎(chǔ)知識(shí)做詳細(xì)的介紹,不懂得地方請(qǐng)查閱有關(guān)資料。
  對(duì)STM32 內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程操作,需要遵循以下流程:
  FLASH解鎖
  清除相關(guān)標(biāo)志位
  擦除FLASH(先擦除后寫入的原因是為了工業(yè)上制作方便,即物理實(shí)現(xiàn)方便)
  寫入FLASH
  鎖定FLASH
實(shí)例:
#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一頁為1K大小
#define WRITE_START_ADDR   ((uint32_t)0x08008000)//寫入的起始地址
#define WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x0800C000)//結(jié)束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除計(jì)數(shù),寫入地址
uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要寫入的數(shù)據(jù)
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//記錄要擦除的頁數(shù)
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成標(biāo)志*/
void main()
{
  /*解鎖FLASH*/
 FLASH_Unlock();
  /*計(jì)算需要擦除FLASH頁的個(gè)數(shù) */
 NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
  /* 清除所有掛起標(biāo)志位 */
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);       
  /* 擦除FLASH 頁*/
 for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
    {
      FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
    }
  /* 寫入FLASH  */
 Address = WRITE_START_ADDR;
 while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
    {
      FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
      Address = Address + 4;
    }
/* 鎖定FLASH  */
 FLASH_Lock();
}
二、FLASH 擦除(以及防止誤擦除程序代碼)
1、擦除函數(shù)
FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要()里面的數(shù)是flash第xx頁中對(duì)應(yīng)的任何一個(gè)地址!就是擦除xx頁全部?jī)?nèi)容!
 

防止誤擦除有用程序代碼的方法
方法一:首先要計(jì)算程序代碼有多少,把FLASH存取地址設(shè)置在程序代碼以外的地方,這樣就不會(huì)破壞用戶程序。原則上從0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空間都可以作為存儲(chǔ)使用。如果代碼量占了 0x3000, 那么存儲(chǔ)在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空間就不會(huì)破壞程序了。

方法二:先在程序中定義一個(gè)const 類型的常量數(shù)組,并指定其存儲(chǔ)位置(方便找到寫入、讀取位置),這樣編譯器就會(huì)分配你指定的空間將常量數(shù)組存入FLASH中。當(dāng)你做擦除。讀寫操作時(shí),只要在這個(gè)常量數(shù)組所在的地址范圍就好。

  const uint8_t table[10] __at(0x08010000) = {0x55} ;
  MDK3.03A開始就支持關(guān)鍵字 __at() 。
  需要加#include <absacc.h>

方法三:在程序中定義一個(gè)const 類型的常量數(shù)組,無需指定其存儲(chǔ)位置。只要定義一個(gè)32位的變量存儲(chǔ)這個(gè)數(shù)組的FLASH區(qū)地址就行。

  uint32_t address;//STM32的地址是32位的
  const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
  address = (uint32_t) imageBuffer;/*用強(qiáng)制類型轉(zhuǎn)換的方式,可以把FLASH中存儲(chǔ)的imageBuffer[1024]的地址讀到RAM中的變量address 里,方便找到寫入、讀取位置*/

方法四:利用寫保護(hù)的方式(沒研究明白)

三、FLASH寫入
  FLASH的寫入地址必須是偶數(shù)(FLASH機(jī)制決定的FLASH寫入的時(shí)候只能是偶數(shù)地址寫入,必須寫入半字或字,也就是2個(gè)字節(jié)或是4字節(jié)的內(nèi)容)
 

 

四、FLASH 讀取方法
  *(uint32_t *)0x8000000;//讀一個(gè)字
  *(uint8_t *)0x8000000;//讀一個(gè)字節(jié);
  *(uint16_t *)0x8000000;//讀半字;  
  舉例:
  uint8_t data;
  data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是讀取FLASH中地址0x8000000處的數(shù)據(jù)
五、幾個(gè)有用的子函數(shù)
/*
功能:向指定地址寫入數(shù)據(jù)
參數(shù)說明:addr 寫入的FLASH頁的地址
          p    被寫入變量的地址(數(shù)組中的必須是uint8_t類型,元素個(gè)數(shù)必須是偶數(shù)
          Byte_Num 被寫入變量的字節(jié)數(shù)(必須是偶數(shù)
*/
  void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
  {
          uint32_t HalfWord;
          Byte_Num = Byte_Num/2;
          FLASH_Unlock();
          FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
          FLASH_ErasePage(addr);
          while(Byte_Num --)
          {
                  HalfWord=*(p++);
                  HalfWord|=*(p++)<<8;
                  FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
                  addr += 2;
          }
          FLASH_Lock();
  }
  例:
  uint8_t data[100];
  FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*數(shù)組data的數(shù)據(jù)被寫入FLASH中*/
/*
功能:從指定地址讀取數(shù)據(jù)
參數(shù)說明:addr 從FLASH中讀取的地址
          p    讀取后要存入變量的地址(數(shù)組中的必須是uint8_t類型
          Byte_Num 要讀出的字節(jié)數(shù)
*/
  void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
  {
    while(Byte_Num--)
    {
     *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
    }
  }
  例:
  uint8_t data[101];
  FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的數(shù)據(jù)被讀入數(shù)組data中*/

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