/*74HC595是硅結構的CMOS器件， 兼容低電壓TTL電路，遵守JEDEC標準。 
  74HC595是具有8位移位寄存器和一個存儲器，三態輸出功能。
 移位寄存器和存儲器是分別的時鐘。時鐘線sck在上升沿將數據輸入（即由低電平編導高電平），
 數據在si的上升沿輸入，在si的上升沿進入到存儲寄存器中去。如果兩個時鐘連在一起，則
 移位寄存器總是比存儲寄存器早一個脈沖。 移位寄存器有一個串行移位輸入（Ds），
 和一個串行輸出（Q7’）,和一個異步的低電平復位，存儲寄存器有一個并行8位的，
 具備三態的總線輸出，當使能OE時（為低電平），存儲寄存器的數據輸出到總線。 　　
 8位串行輸入/輸出或者并行輸出移位寄存器，具有高阻關斷狀態。  */
#include<reg52.h>
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
sbit rck=P0^0;//對輸出存儲器鎖存時鐘線的位定義
sbit sck=P0^1;//對數據輸入時鐘線的位定義
sbit si=P0^2;//對數據線的位定義
uchar code num[]={0x80,0xed,0x42,0x48,0x2c,0x18,0x10,0xcc,0x00,0x08};//0~9的數字顯示
void delay(uint time)//延時函數
 {
  while(--time);
 }
void write_date(uchar temp)//移位寄存器
 {
  uint i;
  for(i=0;i<8;i++)
   {
    temp>>=1;//把輸進來的8位數據右移一位，從而最右端的一位溢出
 sck=0;//輸入時鐘位低電平
 si=CY;//把移位溢出來的數據賦給最高位
 sck=1;//輸入時鐘位高電平
   }
 }
void main()//主函數
 {
  uint i,j;
  for(i=0;i<10;i++)
   for(j=0;j<10;j++)
    {
  write_date(num[i]);
  write_date(num[j]);
  rck=0;//數據線低電平
  rck=1;//數據線高電平
  delay(100000);//調用延時函數，使時間變長
 }
 }

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