關(guān)于stc15w單片機(jī)eeprom讀取2個(gè)地址時(shí)錯(cuò)亂

讀寫一個(gè)地址時(shí)，正常使用。讀取2個(gè)地址時(shí)，會(huì)錯(cuò)亂，不知道原因，猜測(cè)是不是因?yàn)閷懼�前要擦除一下，把另一個(gè)的也擦了？
舉例：上電a=0x0400,b=0x0401,按鍵讓a++,擦掉0x0400,寫入數(shù)據(jù)a。這時(shí)b的數(shù)據(jù)就亂了
是地址不對(duì)？
還是擦的時(shí)候沒(méi)有精準(zhǔn)到單個(gè)地址？

按扇區(qū)操作（512字節(jié)），a，b....同時(shí)讀出，修改a后再全部寫回去。

我也遇到過(guò)這種問(wèn)題，跟你現(xiàn)在狀況很像，不過(guò)是用flash模擬eeprom，當(dāng)時(shí)的是按半字寫的，把一個(gè)變量x的值寫到flash里，寫完之后發(fā)現(xiàn)下一個(gè)地址的值也出問(wèn)題了，而且導(dǎo)致程序中的某一個(gè)變量y也跟著出問(wèn)題，最后解決辦法是打開.map文件找到出錯(cuò)變量y的地址，發(fā)現(xiàn)上一個(gè)地址的內(nèi)存存放的是變量x的值，x的大小是一個(gè)字節(jié)，由于是半字操作，也改變了下一塊內(nèi)存中y的值，所以導(dǎo)致y變化，
索這么多，我覺(jué)得可能是寫的方式不對(duì)

wulin 發(fā)表于 2022-3-1 12:08
按扇區(qū)操作（512字節(jié)），a，b....同時(shí)讀出，修改a后再全部寫回去。

我現(xiàn)在是兩個(gè)都擦，然后兩個(gè)都寫，再讀回，就錯(cuò)了。
有規(guī)律的，都是少56，比如這次改好是456，，斷電再上電，讀就是400。我再百度找找原因

天ノ憶 發(fā)表于 2022-3-1 13:10
我也遇到過(guò)這種問(wèn)題，跟你現(xiàn)在狀況很像，不過(guò)是用flash模擬eeprom，當(dāng)時(shí)的是按半字寫的，把一個(gè)變量x的值寫 ...

你的這個(gè)，如果只使用一個(gè)地址，能正常嗎？我這個(gè)是STC芯片自帶的EEPROM，用一個(gè)地址OK,一個(gè)以上就有問(wèn)題，沒(méi)找到原因

3花木城 發(fā)表于 2022-3-1 13:17
你的這個(gè)，如果只使用一個(gè)地址，能正常嗎？我這個(gè)是STC芯片自帶的EEPROM，用一個(gè)地址OK,一個(gè)以上就有問(wèn)題 ...

我那是半字讀寫，肯定不正常的，
你可以打開keil的調(diào)試，單步運(yùn)行，看看內(nèi)存是怎么變化的

3花木城 發(fā)表于 2022-3-1 13:17
你的這個(gè)，如果只使用一個(gè)地址，能正常嗎？我這個(gè)是STC芯片自帶的EEPROM，用一個(gè)地址OK,一個(gè)以上就有問(wèn)題 ...

不對(duì)，看錯(cuò)了， 因?yàn)槭前胱肿x寫，所以地址不能是奇數(shù)，除此之外就沒(méi)什么bug了

要看你的擦除模式是塊擦除還是頁(yè)面擦除，要注意看數(shù)據(jù)手冊(cè)

解決了，根據(jù)2樓的建議，現(xiàn)在的方案是：
數(shù)據(jù)a,數(shù)據(jù)b,  a=讀地址1， b=讀地址2
如果：a++,擦地址1，a寫入1，b寫入2
如果：b++,擦地址2，a寫入1，b寫入2

就是擦地址后，所有的數(shù)據(jù)都寫一下。

單片機(jī)內(nèi)置的EEPROM，不是真正的EEPROM，而是Flash閃存，只有字節(jié)讀、字節(jié)寫、沒(méi)有字節(jié)擦除，只有扇區(qū)擦除，一次擦1扇區(qū)(512字節(jié))，二進(jìn)制1寫0不可逆，只有擦除才可以全部恢復(fù)為1，一次擦一扇區(qū)(512字節(jié))，被擦除的地址必須是512的倍數(shù)(可以為0)，此問(wèn)題新手高發(fā)，錯(cuò)誤理解扇區(qū)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致異常。

npn 發(fā)表于 2022-3-1 17:25
單片機(jī)內(nèi)置的EEPROM，不是真正的EEPROM，而是Flash閃存，只有字節(jié)讀、字節(jié)寫、沒(méi)有字節(jié)擦除，只有扇區(qū)擦除 ...

嗯嗯，學(xué)習(xí)了，