關(guān)于STM32f103RCT6的flash檢測問題

大佬們，本人正在學STM32，STM32的flash可以擦寫10萬次，是整個flash擦寫10萬次，還是一個片區(qū)（2KB）的空間可以擦寫10萬次，如果是一個片區(qū)擦寫10萬次的話，當0x08004000到0x08004800這個片區(qū)擦寫了10萬次，壞死了。怎么用程序檢測這個片區(qū)是否已經(jīng)壞死，壞死以后將數(shù)據(jù)保存到下一個片區(qū)。本人用的是stm32f103RCT6的開發(fā)板。然后使用的是頁擦除。就是每次寫入數(shù)據(jù)之前，都要擦除0x08004000到0x08004800這個片區(qū)。

那就只能寫入后 讀出來看看對不對了。 這樣很麻煩。 每次都要讀。  干脆 你就每次把所有片區(qū)寫滿后 留下當前片區(qū) 剩下全擦除 循環(huán)使用就好了。  設(shè)計的時候計算好壽命就行了。

如果確定要達到或超過10萬次，你應(yīng)該用輪流寫的方式，比如0x08004000-0x08004800，0x08004800-0x08005000，0x08005000-0x08005800，0x08005800-0x08006000， 這樣就40萬次了。

只是承諾一個概數(shù)，10萬次用不壞的。承諾10萬次的人做不到那么準。

daemondong 發(fā)表于 2021-9-13 08:46
如果確定要達到或超過10萬次，你應(yīng)該用輪流寫的方式，比如0x08004000-0x08004800，0x08004800-0x08005000， ...

是不是這樣的哦！這個只是我想的那樣，10萬次是整個flash的擦寫次數(shù)，還是一個片區(qū)的擦寫次數(shù)？

yzwzfyz 發(fā)表于 2021-9-13 09:11
只是承諾一個概數(shù)，10萬次用不壞的。承諾10萬次的人做不到那么準。

我也知道他們做不了那么準。現(xiàn)在我的問題是：怎么檢測flash片區(qū)是否已經(jīng)被擦壞(通過程序?qū)崿F(xiàn))，擦壞以后需要把數(shù)據(jù)往下一個片區(qū)存放。

胡凱哥 發(fā)表于 2021-9-13 12:17
是不是這樣的哦！這個只是我想的那樣，10萬次是整個flash的擦寫次數(shù)，還是一個片區(qū)的擦寫次數(shù)？

所有flash每個字節(jié)都是10萬次，這個是物理性能。所以你要大于10萬次，只能輪流用。

片區(qū)，是邏輯上的，不是物理上的， 壞的時候，并不是這個片區(qū)，那個片區(qū)壞，而是整個Flash 呈現(xiàn)不穩(wěn)定存儲不穩(wěn)定狀況。你是無法確定，具體哪里壞的，因為，壞，不是說一下子不能讀些，或者說一下子就全變00，或者FF了，而是，可能你存了0xFF, 其中低位壞了，只有高位還好，就變 0xFE了，這是針對一個字節(jié)而言，對于整個片區(qū)，就是各個地方隨機性出現(xiàn)儲存不穩(wěn)定狀態(tài)。再往后才是寫不進數(shù)據(jù)，應(yīng)該說，寫操作執(zhí)行是成功的，但是，內(nèi)容是錯的。二這種情況，不會只存在于這個片區(qū)，而是整個Flash, 如果你的程序同在一個物理Flash中，程序也會不穩(wěn)定。
所以，如果你的寫操作頻繁，建議所有能寫得地方，輪寫，寫滿后擦除。超過一小時才寫1次的話……，就不要操這個心了，10年都寫不夠10萬次，而你做的東西，絕對用不滿10年。

188610329 發(fā)表于 2021-9-13 14:12
片區(qū)，是邏輯上的，不是物理上的， 壞的時候，并不是這個片區(qū)，那個片區(qū)壞，而是整個Flash 呈現(xiàn)不穩(wěn)定存儲 ...

明白了，謝謝！

可以用外部存儲呀，干嘛跟他較上勁呀！