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STM8S-和-STM8A-入門

電源概述

該器件可以通過一個外部的 3.0 V 到 5.5 V 電源供電。一個片上電源管理系統提供了到內核邏輯的 1.8 V 數字電源，具有正常和低功耗兩種工作模式。它也能夠檢測主要的外部電源(3.3 V/5 V) 和內部電源 (1.8 V) 上面的電壓跌落。

該器件提供： 一對 VDD/VSS （3.3 V ± 0.3 V到 5 V ± 0.5 V）焊盤專門用于主穩壓器鎮流器晶體管供電。

兩對 VDD_IO/VSS_IO（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）專用焊盤，只用于I/O 的供電。在 32引腳封裝上，只綁定了一對引腳。
對于臨近 VDD/VSS 的 VDDIO/VSSIO，建議將兩對連接到一起，同時只使用一個去耦電容。目的是通過減少電源之間以及 VDD/VDDIO 和電容之間的連接線長度，以確保好的抗噪性能。 一對專門用于模擬功能供電的 VDDA/VSSA（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）焊盤。更多詳
細信息，請參見第 3 節： 模數轉換器（ADC）第 10 頁。

電容必須盡可能靠近器件電源連接 （特別是在 VDD 有專用地平面的情況下）。
可選擇在 OSCIN/OSCOUT 上放置一個晶體 / 諧振器。諧振器必須盡可能靠近 OSCIN 和
OSCOUT 引腳連接。負載電容地必須盡可能靠近 VSS 連接。

主工作電壓
STM8S 和 STM8A 器件采用 0.13 µm 工藝制作。 STM8S和 STM8A 內核以及 I/O 外設需要不同的電源供電。實際上，STM8S 和 STM8A 器件有一個標稱目標輸出為 1.8 V的內部穩壓器。

主調壓器的穩定性是通過將外部電容 CEXT 連接到VCAP 引腳實現的。更多關于 VCAP 電容特性的信息，請參考 STM8S或 STM8A 數據手冊。要注意將電容的串聯等效電感限制在 15 nH 以下。



上電 /掉電復位 （POR/PDR）
對主調壓器和低功耗調壓器的輸入供電由上電 / 掉電復位電路監控。監控電壓范圍為 0.7 V到 2.7 V。
在上電過程中時， POR/PDR 保持器件處于復位，直到電源電壓（VDD 和 VDDIO）達到它們指定的工作區域。
在開機時，應維持一個 0.7 V以下的預定義復位。復位釋放的上限在產品數據手冊的電氣特性一節中定義。
遲滯 (POR > PDR) 用以確保準確檢測電壓上升和下降。
當電源電壓下降到 VPOR/PDR 門限值（孤立和重復的事件）以下時， POR/PDR 也會產生一個復位。

建議
所有的引腳需要正確地連接到電源上。這些連接，包括焊盤、線和過孔，都應該有盡可能低的阻抗。典型情況下，這可通過使用粗的線寬做到，最好在多層印刷電路板 (PCB) 中使用專用供電層。
此外，每個供電電源對都應使用濾波陶瓷電容（100nF）和化學電容 (1..2 µF)去耦，它們與STM8S 或 STM8A 器件并聯。這些陶瓷電容應放置在PCB 另一側盡可能接近或低于適當引腳的位置。其典型值為 10 nF 至 100 nF，但準確值取決于應用需要。圖 3 顯示了這種V dd/Vss 對的典型布局。



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2018-5-20 15:36 上傳

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