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單片機(jī)復(fù)位電路中電容 下拉電阻的作用分別是什么?

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樓主
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復(fù)位電路

復(fù)位電路
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來(lái)自 2#
ID:123289 發(fā)表于 2017-6-9 20:16 | 只看該作者
樓主的物理基礎(chǔ)太差了。
電容在沒(méi)有電荷的時(shí)候兩極板電位相等,壓差為0。
電路上電后,由于上電前電容上的電荷已放完,這時(shí)電位兩極等電位(V電容=0),即RST端=VCC。隨著時(shí)間的推移,電容上電荷逐漸積,電容兩段電壓也逐漸增大,使得RST(= VCC - V電容)逐漸下降,當(dāng)電容上充滿電之后,V電容=Vcc,使得RST=0。
而單片機(jī)復(fù)位就是需要RST=高電平且保持一段時(shí)間,運(yùn)行時(shí)RST又必須=低電平。所以電容的充電過(guò)程剛好制成造了這個(gè)條件。
電阻配合電容的充電,限制充電電流的大小,從而控制RST=高電平的時(shí)間,當(dāng)然也與電容的大小相關(guān)。R、C大小取值,主要依據(jù)單片機(jī)復(fù)位所需要的時(shí)間而設(shè)定,足夠復(fù)位就可以了。
電阻下拉,是因?yàn)閱纹瑱C(jī)運(yùn)行時(shí)RST必須是低電平。反之如果單片機(jī)是低電平復(fù)位,高電平運(yùn)行,則電阻就應(yīng)該上接,而電容接地。

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來(lái)自 3#
ID:345100 發(fā)表于 2018-6-5 00:10 | 只看該作者
RC延時(shí)用的,而且MCU正常工作時(shí),有這個(gè)下拉電阻,抗干擾更好。

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來(lái)自 4#
ID:270401 發(fā)表于 2018-6-5 17:11 | 只看該作者
51單片機(jī)推薦電阻選8.2k ,電容選10uF  RC=10e-6 *10000=0.1S  T=RCln(Ed/(Ed-Vt))=RCln2=0.7RC=0.7*0.1=0.07S  當(dāng)Vt=.5Ed  可見(jiàn)推薦的RC時(shí)間常數(shù)是復(fù)位要求2個(gè)機(jī)器周期的很多倍,這充分考慮了上電時(shí)電源的不穩(wěn)定因素。  下拉電阻構(gòu)成RC電路,沒(méi)有R電容無(wú)法充放電呀。  只有當(dāng)電源電壓低于電容電壓時(shí)電容才會(huì)放電呀

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5#
ID:111634 發(fā)表于 2017-6-9 18:45 | 只看該作者
本帖最后由 zl2168 于 2017-6-9 18:47 編輯

復(fù)位電路

1-12a80C51上電復(fù)位電路。RC構(gòu)成微分電路,在上電瞬間,產(chǎn)生一個(gè)微分脈沖,其寬度若大于2個(gè)機(jī)器周期,80C51將復(fù)位。為保證微分脈沖寬度足夠大,RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)大于2個(gè)機(jī)器周期。一般取10mF電容、10kΩ電阻。
圖1-12b為按鍵復(fù)位電路。R1C1構(gòu)成上電復(fù)位電路,R1C2構(gòu)成按鍵復(fù)位電路。若要復(fù)位,只需按下圖中RESET鍵,R1C2使RST端產(chǎn)生一個(gè)微分脈沖復(fù)位,復(fù)位完畢C2經(jīng)R2放電,等待下一次按下復(fù)位按鍵。
以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程——基于Keil C和Proteus》高等教育出版社ISBN 978-7-04-044532-9, 用于學(xué)習(xí)51單片機(jī)原理,程序(雙解c和匯編)語(yǔ)句條條有注解,便于閱讀理解,便于自學(xué)。

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80C51復(fù)位電路.jpg
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6#
ID:325642 發(fā)表于 2018-6-5 09:36 | 只看該作者
電容是起一個(gè)上電自動(dòng)復(fù)位作用
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7#
ID:163795 發(fā)表于 2018-6-5 19:05 | 只看該作者
硬件消抖動(dòng)
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8#
ID:345937 發(fā)表于 2018-6-6 09:43 | 只看該作者
電阻配合電容的充電,限制充電電流的大小,從而控制RST=高電平的時(shí)間,當(dāng)然也與電容的大小相關(guān)。R、C大小取值,主要依據(jù)單片機(jī)復(fù)位所需要的時(shí)間而設(shè)定,足夠復(fù)位就可以了。
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9#
ID:346018 發(fā)表于 2018-6-6 11:18 | 只看該作者
電容抗干擾,電阻上拉的作用,應(yīng)該是這樣
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