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利用業(yè)余時間，研究出來的移相控制技術(shù)，若有不對的地方，還請大家指出。
可控硅移相控制交流電原理：
工作原理：我們知道220V市電的頻率是50HZ，周期就是20ms,上下半波各占10ms，所以我們想對交流電進行控制的話，
在交流電每次過零點的時候，在0-10ms之間內(nèi)做個延時，比如在交流每次過零點后延時3ms，3ms后觸發(fā)可控硅的導(dǎo)通就行。
改變延時的時間即可改變負(fù)載得到的電壓大小。
本電路有2種觸發(fā)方式，一種利用RC充放電實現(xiàn)的控制，這種控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一種是利用MOC3021實現(xiàn)控制，使可控硅工作在1、3象限。
可控硅三、四象限.png (58.8 KB, 下載次數(shù): 294)
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2017-5-22 16:29 上傳
可控硅一、二象限.png (132.48 KB, 下載次數(shù): 300)
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2017-5-22 16:29 上傳
單片機最好選用外部中斷帶上下沿同時觸發(fā)中斷功能的單片機。以配合過零檢測電路使用。當(dāng)然只有選擇只帶下降沿的也行，但是程序要寫好。
本程序無需更改，均適用這2個觸發(fā)控制電路
電路原理圖：
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2017-5-22 16:27 上傳
過零檢測波形：
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2017-5-22 16:28 上傳
Altium Designer畫的原理圖如下：(51hei附件中可下載工程文件)
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2017-5-22 16:28 上傳
單片機驅(qū)動可控硅（帶過零檢測）源程序如下:
STC15W408AS外部中斷上下沿均可測試
- #include <STC15F2K60S2.H> //STC15系列單片機頭文件都是這個。
- #define uchar unsigned char
- #define uint unsigned int
- uchar num=0;
- sbit pwm=P1^1;//可控硅位
- void main()
- {
- TMOD=0x01;
- TH0=0xff;//定時0.1ms
- TL0=0x9c;
- EA=1;
- ET0=1;
- EX0=1;
- IT0=0;//必須設(shè)外部中斷觸發(fā)方式為上升沿下降沿同時觸發(fā)。STC最新15系列單片機外部中斷INT0口有上下沿同時觸發(fā)功能
- pwm=1;
- while(1);
- }
- void t0() interrupt 1
- {
- unsigned char i;
- TH0=0xff;
- TL0=0x9c;
- num++;
- if(num==30) //改變num的值即可改變移相觸發(fā)時間，即改變負(fù)載功率大小。num的范圍：0<num<100
- {
- TR0=0;
- pwm=0; //觸發(fā)MOC3021導(dǎo)通，即觸發(fā)可控硅導(dǎo)通
- for(i=0;i<2;i++);//延時2us
- pwm=1; //延時2us之后，關(guān)掉脈沖輸出，因為可控硅在非過零點情況下觸發(fā)信號丟失，會繼續(xù)保持導(dǎo)通。
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- ……………………
- …………限于本文篇幅 余下代碼請從51黑下載附件…………
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2017-5-22 16:31 上傳
所有資料51hei提供下載（詳細教程與源碼還附帶一些網(wǎng)上搜集的相關(guān)資料方便大家）:
可控硅移相控制原理.zip
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2017-5-22 11:35 上傳
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