本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:50 編輯
由于E2PROM的半導體工藝特性，對E2PROM的寫入時間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設置了一個具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器，稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁寫緩沖器內(nèi)，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù)，受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁寫緩沖器容量，應在一頁寫完后，隔5～10ms重新啟動一次寫操作。
以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。
實驗18 讀寫AT24C02
書中電路和程序設計有詳細說明，程序語句條條有注解。
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