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SRAM、DRAM、SDRAM用途你分清了嗎？NAND Flash、NOR Flash的區(qū)別你知道嗎？各種高端處理器盛行的今天，這些問(wèn)題已經(jīng)成為人人必備的基礎(chǔ)知識(shí)。
各類(lèi)產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程中，總會(huì)遇到需要將數(shù)據(jù)、程序保存起來(lái)的情況，RAM、Flash、EEPROM也成為工程師經(jīng)常會(huì)用到的器件，那它們相互之間的關(guān)系和區(qū)別是什么？其中又有多少種不同的類(lèi)型呢，今天選了幾種常見(jiàn)的，讓我們一起來(lái)仔細(xì)辨別一下。
1RAM全稱(chēng)Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：
靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非�？�，是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖cache。它具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，需要設(shè)置刷新電路，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是DRAM中的一種，“同步”是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；“動(dòng)態(tài)”是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；“隨機(jī)”是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。
從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM (Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)傳輸，相同時(shí)鐘下性能是SDRAM的2倍)，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。后者在工作頻率、預(yù)取數(shù)位、突發(fā)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度上更強(qiáng)，而工作電壓更低、內(nèi)部存儲(chǔ)單元集成度更高。
還有特殊場(chǎng)合使用的RAM，譬如：VRAM(視頻內(nèi)存)、EDO DRAM(延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、RDRAM(高頻動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等，因?yàn)橛玫沫h(huán)境較特殊，就不仔細(xì)介紹。
2輸ROM全稱(chēng)Read Only Memory(只讀存儲(chǔ)器)：
一次性制造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存，并且不能夠進(jìn)行修改。一般應(yīng)用于PC系統(tǒng)的程序碼、主機(jī)板上的 BIOS 等，它的讀取速度比RAM慢很多，目前最常遇到的是EEPROM和Flash。
1EEPROM，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器) 功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數(shù)據(jù)的方式，它是以約20V的電壓來(lái)進(jìn)行清除的。另外它還可以用電信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入，這類(lèi)ROM內(nèi)存多應(yīng)用于即插即用的應(yīng)用中。
2Flash Memory(快閃存儲(chǔ)器) 結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），使數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失。Flash 的編程原理都是只能將1寫(xiě)為0，而不能將0寫(xiě)為1。所以在 Flash 編程之前，必須將對(duì)應(yīng)的塊擦除，而擦除的過(guò)程就是把所有位都寫(xiě)為 1的過(guò)程，塊內(nèi)的所有字節(jié)變?yōu)?xFF。 Flash分兩類(lèi)，即NAND 和 NOR Flash。
NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行，這樣應(yīng)用程序可以直接在 flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大 影響了它的性能。
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特 殊的系統(tǒng)接口。
兩者的區(qū)別可以歸納為以下幾點(diǎn)：
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些，NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多，NAND的擦除速度遠(yuǎn)比NOR的快，NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
2、NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
3、在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
4、NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。
5、可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。在使用NAND器件時(shí)，必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當(dāng)?shù)募记�，因�(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
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