com口是RS232電平，判斷方法可以用萬用表測測電壓，就知道了，TTL電平只有正沒有負，而RS232電平有負值
RS-232C
對電器特性、邏輯電平和各種信號線功能都作了規定。
在TxD和RxD上：
邏輯1(MARK)=-3V～-15V
邏輯0(SPACE)=+3～+15V
在RTS、CTS、DSR、DTR和DCD等控制線上：
信號有效（接通，ON狀態，正電壓）＝+3V～+15V
信號無效（斷開，OFF狀態，負電壓)=-3V～-15V
TTL輸出高電平>2.4V，輸出低電平<0.4V。
在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。
最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
rs232電平和TTL不可以直連，所以我沒使用單片機與電腦通訊的時候需要加一個電平轉換芯片，也就是常用的MAX232芯片。
RS232電平或者說串口電平指得都是計算機9針串口的電平，采用負邏輯：－15v ~ －3v 代表1 ，＋3v ~ ＋15v 代表0 。
RS485電平和RS422電平：由于兩者均采用差分傳輸（平衡傳輸）的方式，所以它們的電平方式，一般有兩個引腳 A,B 發送端 AB間的電勢差U為UB-UA: ＋2 ～ ＋6v : 1 ，－2 ～ －6v : 0 ，接收端 AB間的電勢差U為：大于 ＋200mv: 1 ，小于 －200mv: 0 ，定義邏輯1為B>A的狀態，定義邏輯0為B<A的狀態 ，AB之間的電壓差不小于200mv 。
USB電平：電源線是5V，為USB設備提供最大500mA的電流，它與數據線上的電平無關，數據線是差分信號，通常D+和D-在+400mV~-400mV間變化,在傳統的單端（Single-ended）通信中，一條線路來傳輸一個比特位。高電平表示1，低電平表示0。倘若在數據傳輸過程中受到干擾，高低電平信號完全可能因此產生突破臨界值的大幅度擾動，一旦高電平或低電平信號超出臨界值，信號就會出錯。在差分傳輸電路中，輸出電平為正電壓時表示邏輯“1”，輸出負電壓時表示邏輯“0”，而輸出“0”電壓是沒有意義的，它既不代表“1”，也不代表“0”。而差分通信中，干擾信號會同時進入相鄰的兩條信號線中，在信號接收端，兩個相同的干擾信號分別進入差分放大器的兩個反相輸入端后，輸出電壓為0。所以說，差分信號技術對干擾信號具有很強的免疫力。對于串行傳輸來說，LVDS能夠低于外來干擾；而對于并行傳輸來說，LVDS可以不僅能夠抵御外來干擾，還能夠抵御數據傳輸線之間的串擾。因為上述原因，實際電路中只要使用低壓差分信號（Low Voltage Differential Signal，LVDS），350mV左右的振幅便能滿足近距離傳輸的要求。假定負載電阻為100Ω，采用LVDS方式傳輸數據時，如果雙絞線長度為10m，傳輸速率可達400 Mbps；當電纜長度增加到20m時，速率降為100 Mbps；而當電纜長度為100m時，速率只能達到10 Mbps左右。
RS232 可做到雙向傳輸，全雙工通訊 最高傳輸速率 20kbps 。
422 只能做到單向傳輸，半雙工通訊，最高傳輸速率10Mbps 。
485 雙向傳輸，半雙工通訊, 最高傳輸速率10Mbps 。
USB 可以自動選擇HS（High-Speed，高速，480 Mbps）、FS（Full-Speed，全速，12Mbps）和LS（Low-Speed，低速，1.5Mbps）三種模式中的一種。
現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因為2.4V與5V之間還有很大空閑，對改善噪聲容限并沒什么好處，又會白白增大系統功耗，還會影響速度。所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不講了。多用在處理器等高速芯片，使用時查看芯片手冊就OK了。
TTL使用注意：TTL電平一般過沖都會比較嚴重，可能在始端串22歐或33歐電阻；TTL電平輸入腳懸空時是內部認為是高電平。要下拉的話應用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅動CMOS輸入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相對TTL有了更大的噪聲容限，輸入阻抗遠大于TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL，出現了LVCMOS，可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS結構內部寄生有可控硅結構，當輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)時，電流足夠大的話，可能引起閂鎖效應，導致芯片的燒毀。
ECL：Emitter Coupled Logic 發射極耦合邏輯電路(差分結構)：
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驅動能力強，噪聲小，很容易達到幾百M的應用。但是功耗大，需要負電源。為簡化電源，出現了PECL(ECL結構，改用正電壓供電)和LVPECL。
PECL（Pseudo/Positive ECL）：
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V。
LVPELC（Low Voltage PECL）：
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V 。
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同電平不能直接驅動。中間可用交流耦合、電阻網絡或專用芯片進行轉換。以上三種均為射隨輸出結構，必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用于時鐘的LVPECL：直流匹配時用130歐上拉，同時用82歐下拉；交流匹配時用82歐上拉，同時用130歐下拉。但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)
前面的電平標準擺幅都比較大，為降低電磁輻射，同時提高開關速度又推出LVDS電平標準。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分對輸入輸出，內部有一個恒流源3.5-4mA，在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(并在差分線上靠近接收端)轉換為±350mV的差分電平。
LVDS使用注意：可以達到600M以上，PCB要求較高，差分線要求嚴格等長，差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil，最好控制在300mil以內。
CML：是內部做好匹配的一種電路，不需再進行匹配。三極管結構，也是差分線，速度能達到3G以上。只能點對點傳輸。
GTL：類似CMOS的一種結構，輸入為比較器結構，比較器一端接參考電平，另一端接輸入信號。1.2V電源供電。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存儲器的一種電平標準：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，輸入為輸入為比較器結構，比較器一端接參考電平(VCCIO/2)，另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存儲器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，輸入為輸入為比較器結構，比較器一端接參考電平1.25V，另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度),HSTL和SSTL大多用在300M以下.
|
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
淘帖
頂
踩
