學過模擬電路，但都忘得差不多了。重新學習MOS管相關知識，大多數是整理得來并非原創。如有錯誤還請多多指點！

先上一張圖

一、 一句話MOS管工作原理

     NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。
          PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

二、

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
    1，MOS管種類和結構
   MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
    至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
   
    對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

    MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。
    在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達、繼電器），這個二極管很重要，用于保護回路。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。

2，MOS開關管損失
    不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

    MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

    導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

3，MOS管驅動
    跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
    在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
    第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

    上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

    MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5，MOS管應用電路
    MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
   

參數含義：

 Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id：     最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs:     最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm:     最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系
Pd:      最大耗散功率
Tj:      最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg:    最大存儲溫度
Iar:     雪崩電流
Ear:     重復雪崩擊穿能量
Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss：  DS擊穿電壓
Idss:    飽和DS電流，uA級的電流
Igss:    GS驅動電流，nA級的電流.
gfs:     跨導
Qg:      G總充電電量
Qgs:     GS充電電量 
Qgd:     GD充電電量
Td(on):  導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:      上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf:      下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。 
Ciss:    輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:    輸出電容，Coss=Cds +Cgd. 
Crss:    反向傳輸電容，Crss=Cgc.
 
 
總結：
N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。
增強耗盡接法基本一樣。
P是指P溝道,N是指N溝道。
G：gate 柵極
S：source 源極
D：drain 漏極
 
以RJK0822SPN的POWER MOS為例：
 Drain to source voltage:VDSS漏源極電壓80V
Gate to source voltage：VGSS ±20   門源電壓這三種應用在各個領域都有詳細的介紹，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結。