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1、在我們經(jīng)常使用的51單片機(jī)中，使用的Memory Address 的選項(xiàng)中有pData,xData,Data這三種選擇 我們知道xData 是外部的RAM的儲(chǔ)存位置
2、但是關(guān)于stm32fxx系列的單片機(jī)就沒(méi)有這么變態(tài)的做法了
3、具體介紹51單片機(jī)的內(nèi)存方面的內(nèi)容
關(guān)于51單片機(jī)內(nèi)存問(wèn)題，一直是個(gè)疑惑大家的問(wèn)題，因?yàn)?1單片機(jī)是個(gè)很另類的單片機(jī)。
下面我給樓主講解一下：
51單片機(jī)之所以另類，是因?yàn)椋麑ぶ穬?nèi)存的空間，不是靠總線，是用指令的方式。
51單片機(jī)有以下幾個(gè)內(nèi)存模塊組成：
1】ROM或者Flash，叫程序存儲(chǔ)區(qū)，你寫(xiě)的程序是存在這里面的，上電后從這里面執(zhí)行。
程序存儲(chǔ)區(qū)也分為片內(nèi)和片外，一般來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在的51很多已經(jīng)做到了64K，所以很少有外擴(kuò)
片外Flash或者片外的Rom了，F(xiàn)lash或者Rom不管是片內(nèi)還是片外的，只能用來(lái)定義常量，是用code來(lái)修飾，也就是說(shuō)，用code來(lái)修飾的東西，在程序運(yùn)行過(guò)程中，不能修改；
2】RAM有------內(nèi)部RAM的低128位（00-7F)，對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是data,比如我定義一個(gè)變量，
data unsigned char Var = 0;
那么，這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的低128位Ram中
-------內(nèi)部RAM的高128位（80-FF)，對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是idata,比如我定義一個(gè)變量，
idata unsigned char Var = 0;
那么，這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的高128位Ram中
-------特殊功能寄存器（SFR）（80-FF)，對(duì)應(yīng)C語(yǔ)言就是Sfr比如我定義一個(gè)變量，
Sfr unsigned char Var = 0x90;
那么，這個(gè) Var變量就是放在內(nèi)部的特殊功能寄存器中,這是你對(duì)Var操作，相當(dāng)于操作一個(gè)特殊的寄存器，但是小心，不能隨便定義Sfr變量，很危險(xiǎn)
------外部RAM 64K（0000-FFFF）
外部的RAM可以擴(kuò)展到65536個(gè)，但是前256個(gè)算是一頁(yè)，這一頁(yè)比較特殊，是用
pdata來(lái)修飾的，當(dāng)然，也可以用xdata來(lái)修飾。
除了第一頁(yè)的256個(gè)以外的其他65280個(gè)空間，只能用xdata來(lái)修飾；
回過(guò)頭來(lái)討論pdata和xdata，這兩個(gè)都能修飾外部Ram的第一頁(yè)，但是，Pdata只能修飾第一頁(yè)，即最前面的256個(gè)外部Ram,那么，這最前面的256個(gè)到底用Pdata還是Xdata好的呢？
答案是Pdata，因?yàn)閄data修飾的變量，用的是DPTR尋址，Pdata用的是R0和R1.DPTR因?yàn)槭?6位的，所以可以覆蓋整個(gè)的64K外部Ram，R0和R1是8位，所以只能尋址最前面的256個(gè)，也就是外部Ram的第一頁(yè)，但是，用R0尋址，比DPTR快一倍，代碼也小的很多
樓主又疑惑了，好多地址是重復(fù)的，比如，我向80H地址寫(xiě)一個(gè)數(shù)值，單片機(jī)怎么知道讀的是內(nèi)部的高128位RAM？還是SFR？還是外部64K的RAM呢？
答案是用指令，如果是直接尋址，那么訪問(wèn)的就是SFR，如果是R0或者R1間接尋址，就是內(nèi)部高128位RAM，如果是DPTR或者是R0，R1間接尋址，且配合的是MovX指令，那么就是訪問(wèn)外部64KRAM中的第80H個(gè)地址。
概括一下來(lái)說(shuō)，51的內(nèi)存由以下組成：
1----程序存儲(chǔ)器（包括片內(nèi)Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom，C語(yǔ)言用Code定義）
2----內(nèi)部低128位Ram,C語(yǔ)言用data定義
3---內(nèi)部高128位Ram,C語(yǔ)言用idata定義
4---內(nèi)部SFR，C語(yǔ)言用Sfr定義
5---外部65536個(gè)Ram（通常，很多單片機(jī)廠家不會(huì)給你擴(kuò)展那么多的，一般來(lái)說(shuō)擴(kuò)展256個(gè)字節(jié)或者1024個(gè)字節(jié)就差不多了，最近宏晶的出了個(gè)擴(kuò)展4096字節(jié)的。這65536字節(jié)的Ram，前256個(gè)可以用Pdata修飾，也可以用Xdata修飾，超過(guò)256個(gè)之后的，只能用Xdata修飾）
以上所說(shuō)的只是針對(duì)51內(nèi)核的單片機(jī)，其他內(nèi)核的，像ARM之類的，不是這種結(jié)構(gòu)的。
最后，回答樓主的問(wèn)題：
片外存儲(chǔ)區(qū)是什么？
這個(gè)問(wèn)題太模糊，答案可以是外擴(kuò)的Flash，也可以說(shuō)是外擴(kuò)的RAM，
如果問(wèn)題是這么問(wèn)的：
程序或者常量存儲(chǔ)在片外存儲(chǔ)區(qū)，這個(gè)片外存儲(chǔ)區(qū)指的是什么？
答案是外擴(kuò)Flash;
如果問(wèn)題是---變量存儲(chǔ)在片外存儲(chǔ)區(qū)，這個(gè)片外存儲(chǔ)區(qū)指的是什么？
答案是外擴(kuò)RAM；
一般來(lái)說(shuō)，如果不指明的話，外內(nèi)存儲(chǔ)區(qū)，行業(yè)內(nèi)人士指的是外部的Ram。
片內(nèi)存儲(chǔ)器是什么？是不是就是內(nèi)部的E2PROM？
片內(nèi)存儲(chǔ)區(qū)一般來(lái)說(shuō)，指的是內(nèi)部的Ram，包括高128位（idata）和低128位(data)
片內(nèi)存儲(chǔ)器，這個(gè)說(shuō)法我沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò)，可能是EEPROM
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