|
//----------------------------------------------------------
// ATMEL串行Flash芯片At45DB161D驅動
// 采用512字節/頁模式以提高代碼的時間/空間效率
//----------------------------------------------------------
#include "..\include\AT89X52.H"
#include "..\include\at45db161_drv.h"
//芯片的CS信號==由P20~P22經過3-8線譯碼器產生的Y2
//若采用其他方式產生CS信號,應修改AT45161_CS()函數
uint CS=0xff;
void AT45161_CS(uchar v)
{
CS |= 0x07; //???? ?111
if(v==0) CS &= 0xfa; //???? ?010
P2 = CS;
}
//----------------------------------------------------------
// 字節寫函數
//----------------------------------------------------------
void Flash_Byte_Write(uchar v)
{
uchar i;
for(i=0; i<8; i++)
{ //vvvv位值=>MOSI
if(v&0x80) AT45161_MOSI = 1;
else AT45161_MOSI = 0;
AT45161_CLK = 0; //CLK為低,準備產生上升沿
v <<= 1; //準備下一個位
AT45161_CLK = 1; //CLK為高,產生一個上升沿,移進一位
}
}
//----------------------------------------------------------
// 字節讀函數
// 注意進入次函數之前要確保FLASH_CLK引腳為高
//----------------------------------------------------------
void Flash_Byte_Read(uchar* v)
{
uchar i;
*v = 0x00;
AT45161_MISO = 0x01; //設置AT45161_MISO對應的Px_y為輸入
for(i=0; i<8; i++)
{
AT45161_CLK = 0; //CLK為低,產生下降沿,移出一位
(*v) <<= 1;
if(AT45161_MISO) (*v) += 0x01; //取移出的那一位值
AT45161_CLK = 1; //CLK為高,準備產生下降沿
}
}
//----------------------------------------------------------
// 函數: Flash_Init()
// 參數:
// 說明: 復位AT45DB161芯片到512Bytes/Page模式,注意本函數僅
// 運行一次就夠了
// 返回: 無
// 創建:
// 修改:
//----------------------------------------------------------
void Flash_Init()
{
AT45161_CLK = 1; //CLK為高
AT45161_CS(0);
Flash_Byte_Write(0x3d);//設置為512字節/頁模式的命令==0x3d2a80a6
Flash_Byte_Write(0x2a);
Flash_Byte_Write(0x80);
Flash_Byte_Write(0xa6);
AT45161_CS(1);
}
//----------------------------------------------------------
// 函數: Flash_Write(...)
// 參數: address:寫AT45DB161D的起始地址
// data:被寫數據的緩沖區
// nbytes:要寫入的字節數
// 說明: 寫一定字節的數據到AT45DB161D指定地址
// 返回: 無
// 創建:
// 修改:
// 命令格式:連續寫=8位命令82H+3位任意+21位地址
// 1000 0010 ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa
//----------------------------------------------------------
void Flash_Write(ulong address, uchar* buf, uint nbytes)
{
uint i;
uchar status = 0;
AT45161_CLK = 1; //CLK為高
AT45161_CS(0);
address |= ((ulong)0x82<<24);
for(i=0; i<4; i++) //4字節命令/地址
Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i)) &0xff);
while(nbytes--) Flash_Byte_Write(*buf++);
AT45161_CS(1);
while((status & 0x80) == 0)
{ //讀回狀態寄存器,Bit7=1說明寫成功了
AT45161_CS(0); //注意讀狀態寄存器時對CS信號的要求!
Flash_Byte_Write(0xD7);
Flash_Byte_Read(&status);
AT45161_CS(1);
}
AT45161_CS(1);
}
//----------------------------------------------------------
// 函數: Flash_Read(...)
// 參數: address:讀AT45DB161D的起始地址
// buf:數據緩沖區
// nbytes:要讀入的字節數
// 說明: 從AT45DB161D指定地址開始讀一定字節數的數據到buf
// 返回: 無
// 創建:
// 修改:
// 命令格式:連續讀=8位命令E8H+3位任意+21位地址+32個填充位
// 1110 1000 ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa ....
//----------------------------------------------------------
void Flash_Read(ulong address, char* buf, uint nbytes)
{
uchar i;
AT45161_CLK = 1;
AT45161_CS(0);
address |= ((ulong)0xE8<<24); //注意ulong強制類型轉換!
for(i=0; i<4; i++) //4字節命令/地址
Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i))&0xff);
for(i=0; i<4; i++) Flash_Byte_Write(0xff); //4字節填充位
while(nbytes--) Flash_Byte_Read(buf++);
AT45161_CS(1);
}
|
|