可控硅的符號、性能和參數介紹

ID:70976 · 發表于 2014-12-27 18:58

可控硅符號：

　　可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極A，陰極K和控制極G。
可控硅在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。
　　可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。單向可控硅有三個PN結，由最外層的P極和N極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。
單向可控硅有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。
　　雙向可控硅的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對有字符的一面時）。加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。
與單向可控硅的區別是，雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。

可控硅的主要參數
　　可控硅的主要參數有：
　　(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
　　(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
　　(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
　　(4) 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極——陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
　　(5) 維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
　　近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

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