增益型有源器件，最簡單的自然是三極管，
除外先前講過的 jFET，其他都是勢壘型的，基本結構中的核心部份，就像乒乓球拍那樣，
板子就是基區 (連引腳)，兩面的膠貼就相當于集電結與發射結，BJT如是，MOSFET其實也差不離，分別在于基區跟引腳的連線方式，而連線方式的分別，注定了驅動手段不會一樣，
而讓我感到饒有興味的，就是MOSFET的那個「溝道」，同具「溝道」之名，但它跟 jFET 中的不是一個概念，MOSFET的溝道並非與生俱來，而且是跨接于兩個物理結面的，那就跟天體物理學的「蟲洞」有點像，
關鍵是，MOSFET當溝道生成時，漏源壓降可低至比BJT的飽和壓降還小，換言之，兩個PN結的勢壘都被溝道「破壞」了，BJT的飽和壓降也是比PN結的正向壓降更小的，我懷疑就是這「溝道」干的好事，這「溝道」的成份就是 Ie 。

不論是電氣連系還是場效應，反偏結的疏通，都是勢壘型有源器導電的關鍵，
曾幾何時，我還真的以為那個集電結的狀態是擊穿的，可不對啊，集電結一旦擊穿了就不再受基極控制，那還怎樣放大呢，
后來才知道，勢壘型有源器件真的是有擊穿這用法的，DIAC就是，如果把射極開路，只用集電結，那就等同于穩壓管的用法了，
但在BJT中，集電結的狀態卻像可調電阻那樣可隨意控制 (跟基極電流成比例)，基極電路一斷，管子就完全不開通了，這意味著，BJT集電結的傳導方式跟DIAC絕不一樣。

BC547，是貨真價實的BJT，但在此電路中應該以「DIAC」視之，
當穩壓管作穩壓或基準之用時，是以擊穿的模式運行的，擊穿時，電子空穴對就像碳酸飲料開瓶瞬間的泡泡那樣，從空乏區冒出，然后背道而馳，
串聯電阻的作用是限制進入穩壓管里頭 (而非負載) 的電流，空穴，是NPN型BJT開闔的關鍵載流子，DIAC開通的鑰匙，就是「穩壓管」電流中的空穴。
BC547是BJT，從基極輸入訊號才是BJT的正規用法，訊號所搭載的空穴，是從基極端子直接往基區里灌，不經過集電結，由于集電結沒擊穿，功率源(Vcc)自然也就無法把空穴捅進發射結去，所以，Vcc的變化對 Ic 影響甚微，
但無論DIAC抑或BJT，有一點是共通的，就是 Ie，當Ie步進基區，它的身份就變成集電結的 漂移電流，這就是跟 穩壓管(擊穿)電流 在成份上的區別，亦是 漂移跟擊穿 在行為本質上的區別。

同樣是擊穿，PN結跟絕緣體有著質的差異，
絕緣體的擊穿，就像用鐵榔頭敲碎玻璃那樣，是化學鍵的斷裂，一旦擊穿就無可救藥，輕則皸裂或焦煳，重者會散架或焚燒，
PN結的擊穿，觀感上近似于復合的逆過程，跟絕緣體不同，載流子不是結構性束縛，當PN結反偏足夠高時可以「滑脫」，如果限流，PN結就像普通電阻那樣不會損壞，
隧穿效應跟隧道效應也是不一樣，隧道效應建基于PN結正偏時的能級關系，隧穿效應則有絕緣隧穿及深反偏隧穿兩種，當絕緣物只有單原子厚度時，成鍵電子可被導體中的自由電子就地替換，而在深反偏的PN結中，N導帶跟P價帶已呈「對接」之貌，N材電子就逕向P區價帶跑，P材空穴也直接往N區導帶奔，兩家都省得「上竄下跳」了。

右邊這貨，其實就是 肖克萊二極管 的原理性結構示意圖及正向轉折后的實際情況，
如果集電結的摻雜足夠重，這只肖克萊二極管就會變成 高壓硅堆，金屬如果作為芯片的引線，就必須歐姆接觸，半導體之間究竟能否實現歐姆接觸我不曉得，但讓反向阻斷能力全失是可以的，不過，摻雜還是不要重得搞出個隧道效應來為妙！
亮綠色的那根線，代表的是 PN結的物理結面，可以見到，這PN結已非原理層級，而是有實際結構的范兒，結面區是輕摻雜，端子區則是重摻雜，為甚么要這樣玩呢，因為，在足以成結的前提條件下，摻雜愈輕，耐壓愈高，但實體電阻也愈大，耗盡層的脹幅也愈大，為免穿通的發生，端子得距離結區足夠遠，PN結才能安全地施展二極管的效能，重摻雜的外延層只能減小端子段的電阻，但真能增加端子跟結區的等效距離嗎？！  
那根綠線代表的，其實不僅止于物理結面，而可以是 本征層或量子阱，光伏電池及發光二極管就需要 量子阱與復合中心，給載流子提供 集中的復合或拆分之處，並且規劃吸收或發放的額定光譜； 而作為射頻開關或調制用的二極體，或超高耐壓BJT的集電結，則此綠線就是本征層 (I區)，這樣的結構就是 PIN二極管，此 I 層並非作為隧穿層 而是提高PN結反向耐壓的助力，所以不能太薄。

科書與那些能在新華書店或圖書館讀到的課外書，對于BJT的解說，都僅止于
Ie 只有少量從基極流走，絕大部份進入基區耗盡層被電場「加速」，拉扯進入集電極成為 Ic 這樣，
這樣的過境方式就是漂移，在電子技術中混搭半導體物理，本來沒甚不妥，但問題在于，跟二極管單向電導性的闡釋缺乏圓滿的過渡。

三極管的增益，有三層，
第一層，是〖耐壓/輸入沖程〗，沖程的上止點就是運力(電流)的極限，
第二層，是〖hoe/rbe〗，hoe其實就是集電極的輸出阻抗，也反映恒流的能力，rbe是發射結正偏時的動態電阻，
第三層，是直流電流放大倍數β，這通常是三層中最低的，有些管子的β值連10都不到，hfe是交流電流放大率〖ΔIc/ΔIb〗，hfe有定不代表β處處相同，就如圖右所示。

肖克萊二極管，可視之為添加了P外延層的N型DIAC，
兩者的啟動機制，都是利用集電結的擊穿給出「Ib」，但穩態維持的機制不一樣，
隨著肖克萊二極管的開通，P外延層替代集電結提供「Ib」，DIAC沒有外延層，集電結擊穿狀態的維持，建基于BVceo跟 Ic 的關系，
所以，整個肖克萊二極管的通態壓降可低比一個PN結還小，DIAC則永遠做不到，倘若沒有〖漂移〗機制，BJT，IGBT與可控硅這些有源器件就不復存在。

這才是PN結位點的完整資訊，一圖盡錄，
這樣的圖，竟然搜不到，而且，定義紛亂，
正偏區的四個點，其實都是Vғ，不過，矽PN結的0.7V似乎是建基于BJT飽和時的發射結壓降Vbe，
你把Vᴛʜ或Vғᴋ標注成Vғ可以，但0.7V就不對，一般的矽二極管，Vᴛʜ是0.4⁺V，而0.7V是屬于線性區的，個別VDmax可達0.9⁺V，而快恢復二極管的Vᴅ較大，超過1V，
Vʀᴍ是PN結保持反向阻斷狀態的極限，亦就是整流二極管及有源器件的耐壓，超過Vʀᴍ的都可算是Vʙʀ，把Vʀᴍ或VZmin標注成Vʙʀ的也有，Vz就是穩壓管工作區的慣常名稱，
注意，有源器件的漂移電流，屬于反向飽和電流，運行場景是低于Vʀᴍ的區域中，漂移電流可跟Iғ一樣大，穩壓管的 Iz 不行，穩壓管功耗耐量正反向相等，跟電阻一樣，假設Vz是Vᴅ的一百倍，則Iz最大只許達Iᴅ的1%。