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單片機產生PWM波后 升壓??

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如圖所示:因為單片機產生的PWM波電壓太低,難以驅動半導體制冷片(額定電壓12v,4A),所以設計以下電路,為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v  。
問題1:單片機產生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要光電耦合器嗎?
問題2:圖中的M 開關管,是MOS管合適,還是IGBT合適??

22222222222222222.jpg (16.95 KB, 下載次數: 132)

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沙發
ID:58634 發表于 2014-1-10 18:28 | 只看該作者
個人認為單片機產生的PWM波可以直接接MOS管,如果怕影響到單片機的穩定就加光電耦合器。 開關管用MOS管或IGBT都行,看工作頻率和負載是什么。只是個人理解。
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板凳
ID:59048 發表于 2014-2-9 11:40 | 只看該作者
1.可以直接接MOS管,其實光耦不僅是起到隔離作用,還有就是后面的控制部分,比如電壓可以接的高些(12V或者更高些)。2.當然是MOS管速度快了。可控硅導通容易,但是不能自行關斷;IGBT常用于大功率設備,需要專門的驅動,所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。
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地板
ID:118284 發表于 2016-5-13 08:35 | 只看該作者
加一個NPN三極管就可以
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5#
ID:120465 發表于 2016-5-13 08:47 | 只看該作者
個人認為開關管使用MOS管比較合適
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6#
ID:120521 發表于 2016-5-13 13:05 | 只看該作者
MOS管即可
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7#
ID:120554 發表于 2016-5-13 16:06 | 只看該作者
mos管托托的
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