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方案可行性評估
優(yōu)點：
簡單直接： 通過開關(guān)控制，實現(xiàn)占空比調(diào)節(jié)，操作簡單。
缺點：
穩(wěn)定性差： 這種方法對負(fù)載變化非常敏感，容易導(dǎo)致輸出電壓不穩(wěn)定。
諧波大： 占空比為20%的方波諧波含量較高，會對電路和負(fù)載產(chǎn)生干擾。
開關(guān)管損耗大： 高頻開關(guān)會產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗，影響效率。
電路復(fù)雜度增加： 需要增加額外的控制電路來實現(xiàn)開關(guān)控制。
改進建議
PWM控制： 采用脈寬調(diào)制（PWM）方式控制開關(guān)管的導(dǎo)通時間，可以實現(xiàn)更精確的占空比控制，且穩(wěn)定性更好。
專用PWM芯片： 使用專門的PWM控制芯片，可以簡化電路設(shè)計，提高控制精度。
濾波電路優(yōu)化： 增加輸出濾波電路，減小輸出電壓紋波，提高輸出質(zhì)量。
可選開關(guān)管
選擇合適的開關(guān)管是實現(xiàn)該方案的關(guān)鍵。需要考慮以下因素：
額定電壓： 應(yīng)高于輸入電壓的峰值。
額定電流： 應(yīng)大于負(fù)載電流。
開關(guān)頻率： 應(yīng)高于1.7MHz。
導(dǎo)通電阻： 越小越好，可以降低導(dǎo)通損耗。
封裝形式： 根據(jù)電路板空間和散熱要求選擇。
推薦型號：
MOSFET： IRFP460、IRFP250等。
IGBT： IRG4PH50U等。 |
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