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Flash模擬EEPROM擦除時間太長

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樓主
大家好,

用的是STM32 MCU,為了省成本,用了內部Flash模擬EEPROM,Flash最小擦除單位是扇區,一個扇區大小是128K。

用一個扇區模擬EEPROM,當整個扇區寫滿后,擦除一次。但是規格書上寫的是擦除一個128K的扇區需要耗時1~2s,這個時間太長了!

肯定影響到系統實時性了。

有什么辦法可以解決嗎?看來還得用單獨的EEPROM芯片了!
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沙發
ID:1109793 發表于 2024-6-20 16:56 | 只看該作者
秒還是毫秒?STM32不會用,STC也不用2秒吧
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板凳
ID:1108479 發表于 2024-6-20 17:25 | 只看該作者
xiaobendan001 發表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒?STM32不會用,STC也不用2秒吧

秒,確實是1~2s, 規格書上寫的,很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的?
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地板
ID:123289 發表于 2024-6-20 19:44 | 只看該作者
懷疑讀書不準確,當為ms級。將你讀的書貼出來看看。
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5#
ID:192020 發表于 2024-6-20 20:38 | 只看該作者
要擦128K這么多?單位是不是有問題
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6#
ID:1034262 發表于 2024-6-20 21:22 | 只看該作者
xiaobendan001 發表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒?STM32不會用,STC也不用2秒吧

STC8系列EEPROM扇區擦除幾個ms。
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7#
ID:57657 發表于 2024-6-21 06:25 | 只看該作者
看你程序使用了多少字節EEPROM,使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。
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8#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:33 | 只看該作者
qq475878026 發表于 2024-6-20 20:38
要擦128K這么多?單位是不是有問題

ST的高端MCU,STM32H743, 2M Flash, 最小擦除粒度確實是128K。
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9#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:37 | 只看該作者
yzwzfyz 發表于 2024-6-20 19:44
懷疑讀書不準確,當為ms級。將你讀的書貼出來看看。

用的是STM32H743,高端MCU ,內部2M flash,最小擦除粒度是128K,擦除時間如下圖,上面的單位是s (不確定有沒有看錯)。附件規格書你也可以看一下


STM32H743數據手冊.pdf

4.85 MB, 下載次數: 2

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10#
ID:1108479 發表于 2024-6-21 09:43 | 只看該作者
npn 發表于 2024-6-21 06:25
看你程序使用了多少字節EEPROM,使用數據磨損均勻算法寫滿再擦。

這個我知道,其實我問的是擦除時間長影響實時性的問題
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11#
ID:744809 發表于 2024-6-21 10:10 | 只看該作者
可以在程序初始化的時候擦除,就不會影響后面的實時性,當然啟動時間也有要求的話,就沒辦法了
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12#
ID:161164 發表于 2024-6-21 10:52 | 只看該作者
可以按頁擦除啊,一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory






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13#
ID:123289 發表于 2024-6-22 00:11 | 只看該作者
擦128K是秒級,擦一頁不需要這么多時間。
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14#
ID:1108479 發表于 2024-6-22 09:17 | 只看該作者
lkc8210 發表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊,一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

估計沒看我發的STM32H743的規格書,這個MCU沒有頁的概念,只有扇區概念,所以擦除單位只能按扇區來擦除,一個扇區是128K。所以這樣是不是無解了?不行的話,就用EEPROM了,國產的一個也沒幾個錢


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15#
ID:1108479 發表于 2024-6-22 09:17 | 只看該作者
yzwzfyz 發表于 2024-6-22 00:11
擦128K是秒級,擦一頁不需要這么多時間。

這顆MCU沒有頁而概念,只有扇區,一個扇區是128K,所以只能按照128K扇區擦除
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16#
ID:624769 發表于 2024-6-22 20:13 | 只看該作者
據說,STM是非常高級的芯片,這玩藝難道還是單線程?你發了擦除指令之后,只能象“落后的51”一樣,等他完成了才能獲得時鐘權限么?不能先干別的事?
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17#
ID:123036 發表于 2024-6-22 22:37 | 只看該作者
188610329 發表于 2024-6-22 20:13
據說,STM是非常高級的芯片,這玩藝難道還是單線程?你發了擦除指令之后,只能象“落后的51”一樣,等他完 ...

STM32H743雙bank把他分分應該不影響程序跑起來。
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18#
ID:828160 發表于 2024-6-23 15:41 | 只看該作者
lkc8210 發表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊,一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

這個不是H7xx的芯片吧
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19#
ID:844772 發表于 2024-7-1 11:39 | 只看該作者
我理解你的問題是,需要不斷讀取Flash,但擦除時會停止取指操作,MCU就像是卡了,但你給的手冊 P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ,看圖它分為flash A 和flash B,我理解如果讀取FLASHA時,可以對FLASHB進行擦除操作,在擦除的幾秒時間內,SysTick_Handler()中斷服務函數,uwTick記數器變化應該正常的。我的建議你應該理解吧?
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20#
ID:1108479 發表于 2024-7-1 11:54 | 只看該作者
188610329 發表于 2024-6-22 20:13
據說,STM是非常高級的芯片,這玩藝難道還是單線程?你發了擦除指令之后,只能象“落后的51”一樣,等他完 ...

我不太明白,擦除Flash的時候,CPU還能干別的事嗎?不是要等擦除完成嗎?難道擦除Flash的時候還能像DMA一樣操作?如果能這樣,那就好辦了
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