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使用QD25Q128 SOP8閃存芯片刪除出奇的快,不知道什么原因呢

[復制鏈接]
ID:1101997 發表于 2024-3-24 13:41 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
數據手冊整片刪除時間典型值為40S,實際擦除時間僅僅為8-6秒。
替換其他廠家同型號的25Q128芯片均未有這樣的問題的,雖然說快是好事,太快讓人感覺蹊蹺不踏實了。

大家有遇過這樣的問題,是不是芯片太聰明內部有微程序發現內容是0xff就跳過擦除操作了?

QD128.JPG

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ID:69038 發表于 2024-3-24 15:33 | 顯示全部樓層
如果你擦除動作有讀忙標,并用忙標來確定是否擦除完成,一般來說是不會出錯的。
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ID:883242 發表于 2024-3-24 18:46 | 顯示全部樓層
你的GD25Q128的尾綴是E嗎???不同尾綴表示不同性能。
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ID:1110945 發表于 2024-3-24 21:58 | 顯示全部樓層
芯片手冊上的數據是芯片開始設計時的值,隨著時間的推移,
生產工藝在不斷改進,因此很多的參數也在不斷的優化,但是
手冊上的數值卻不一定會同時更改。
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ID:401564 發表于 2024-3-25 09:20 | 顯示全部樓層
首先,你得保證你代碼是對的
它左邊原本是應該有個最小值的
芯片數據手冊一般給的是一個范圍值,可以給你提供程序或者電路的設計依據
設計時,應該考慮的是最壞的情況,也就是說,有可能會有擦除時間達200S的情況
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ID:1101997 發表于 2024-3-25 11:29 | 顯示全部樓層
Hephaestus 發表于 2024-3-24 18:46
你的GD25Q128的尾綴是E嗎???不同尾綴表示不同性能。

25Q128CSIG.png
1.jpg
貼在板子上是CSIG,datasheet上典型整片擦除時間是60S,其他型號和其他廠家也都測試過,都沒有這個問題。
判斷擦除完成是讀取成功標志,所以時間判讀是沒有問題的。

不明確的東西干脆就不用了,還是用WINBOND的省心,價格都差不多。
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ID:1101997 發表于 2024-3-25 11:30 | 顯示全部樓層
zhuls 發表于 2024-3-24 15:33
如果你擦除動作有讀忙標,并用忙標來確定是否擦除完成,一般來說是不會出錯的。

是的,讀取的是寄存器完成標志。
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ID:1101997 發表于 2024-3-25 11:32 | 顯示全部樓層
明日之星8 發表于 2024-3-24 21:58
芯片手冊上的數據是芯片開始設計時的值,隨著時間的推移,
生產工藝在不斷改進,因此很多的參數也在不斷的 ...

很多人反應GD的東西奇怪,可能設計的時候有些小聰明吧,以前用過他的CM0好像就是后面的程序FLASH很慢,有人挖出內部使用了類似25Q存儲需要的時候調度到RAM里面運行,調度過程占用了時間。
其實創新是沒有問題的,但創新的東西需要顯式的寫在DATASHEET里面。
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ID:1101997 發表于 2024-3-25 11:33 | 顯示全部樓層
Y_G_G 發表于 2024-3-25 09:20
首先,你得保證你代碼是對的
它左邊原本是應該有個最小值的
芯片數據手冊一般給的是一個范圍值,可以給你提 ...

最左面的最小值是空白
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ID:401564 發表于 2024-3-25 22:31 | 顯示全部樓層
nearsea 發表于 2024-3-25 11:33
最左面的最小值是空白

沒有寫就是不確定
有的芯片性能可能比實際的好,但也有不行的時候,這個時候,生產為了保險起見,會給出一些個最差的參數進行對比
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ID:1101997 發表于 2024-4-1 09:36 | 顯示全部樓層
結帖,測試過了

原來整片內容是0xff的時候,擦除時間大致是6-10秒;
全片寫滿了內容,擦除時間60-70秒。

也就是說,GD的FLASH片內有微代碼類似的極致判斷是否需要擦除的量。
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ID:1104941 發表于 2024-4-1 17:35 | 顯示全部樓層
nearsea 發表于 2024-4-1 09:36
結帖,測試過了

原來整片內容是0xff的時候,擦除時間大致是6-10秒;

我懷疑這個芯片有個指令可以讀一個扇區的檢驗和。它擦除時候,芯片會讀取每個扇區的校驗和,如果全是FF的檢驗和,就不擦除。這樣省時間
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ID:828160 發表于 2024-4-2 12:35 | 顯示全部樓層
nearsea 發表于 2024-3-25 11:29
貼在板子上是CSIG,datasheet上典型整片擦除時間是60S,其他型號和其他廠家也都測試過,都沒有這個問 ...

這個NorFlash芯片明顯是打磨后重新絲印的,建議換成原裝芯片試一下
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