想問一下場效應管的工作頻率范圍和數據手冊上的那些參數有關

ID:1091344 · 發表于 2023-11-10 16:32

寄生電容參數

延遲和升降時間

我看到的是和寄生參數和延遲升降時間、恢復時間等有關，還有什么參數會影響管子的工作頻率？

ID:883242 · 發表于 2023-11-10 18:21

只要考慮Ciss就行了。

ID:1088185 · 發表于 2023-11-10 21:39

如果輸出電壓高的話Crss也要考慮

ID:883242 · 發表于 2023-11-10 22:36

1600277881 發表于 2023-11-10 21:39
如果輸出電壓高的話Crss也要考慮

Crss的容量連Ciss的百分之一都不到。

ID:123289 · 發表于 2023-11-11 09:10

在單是：ns,pF的參數看。值小優選。

ID:1088185 · 發表于 2023-11-11 17:22

Hephaestus 發表于 2023-11-10 22:36
Crss的容量連Ciss的百分之一都不到。

但如果說你輸出的電壓是380V, 那等同于380V的方波接一個22.4p的電容到G極，跟3.3V方波接3.3n到G極比，你覺得有多大的分別？模擬一下你就知道分別不大，當然，如果說你的輸出電壓只有10V就可以不用考慮，所以我強調如果輸出電壓高時就要考慮Crss

ID:1091344 · 發表于 2023-11-13 10:15

本帖最后由會飛的魚KKK 于 2023-11-14 10:11 編輯

Hephaestus 發表于 2023-11-10 18:21
只要考慮Ciss就行了。

你好，延遲時間和升降時間不會影響工作頻率嗎？比如信號周期比升降時間、延遲時間還要小，那信號周期不會被覆蓋變大嗎考慮Ciss的話應該怎么考慮啊，是看柵極電阻和Ciss的通帶還是其他的什么

ID:1034262 · 發表于 2023-11-13 11:17

我根據Total Charge的電量來計算驅動電流和驅動速度，再加上開關延遲時間。

ID:1097455 · 發表于 2023-11-13 15:10

G級的電容以及給電容充電的時間

ID:1007932 · 發表于 2023-11-13 18:01

看Qg，越小頻率越高，不能只看Ciss和Crss，不然大功率射頻管對比小功率的普通MOS還真不一定，只能說相對容易驅動，另外，由于米勒效應，Crss不是固定的，很可能導致Ciss<<Crss，也就是說，高頻下，驅動MOS不能看做驅動GS的電容，開了一半Crss變大了(米勒平臺)，實際不好驅動
ps:正弦波和方波是不一樣的，正弦波看頻率，方波看上升時間和下降時間，高頻下最好用正弦波，建議柵極諧振驅動

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想問一下場效應管的工作頻率范圍和數據手冊上的那些參數有關