NMOS怎么對驅動電壓過低保護？

ID:960619 · 發表于 2023-3-13 09:43

大電流管子一般完全導通電壓在10V以上，過大電流時，驅動電壓過低時就會因管子沒完全導通導致瞬間發熱炸管。所以要對柵極做保護。用電壓檢測的話那只能檢測驅動電路沒開啟的前的電壓，如果驅動開啟了，因為短路等原因導致驅動電壓被拉低，那這時候即便檢測到電壓過低管子也已經炸了。

ID:1034262 · 發表于 2023-3-14 10:09

用一個單比較器即可

ID:879348 · 發表于 2023-3-14 08:17

用單片機很簡單，測量某路電壓電壓不對就報錯停止運行

ID:883242 · 發表于 2023-3-13 23:55

新手最常見的誤解就是電路越復雜越好，事實上越復雜可靠性越低。加檢測電路遠不如保證電壓正常來的靠譜。

ID:796531 · 發表于 2023-3-13 19:26

21ic上有一篇MOSFET的開啟過程討論，寫的很好你可以看看"[技術討論]MOSFET的開啟過程討論"

ID:230500 · 發表于 2023-3-13 17:39

MOS驅動電路是個最基本的電路；只要選型OK；該有的圖騰柱或者前級驅動設計沒問題；所以你說過大電流驅動電壓過低炸管，主要還是你的驅動部分沒有做好；
MOS管可以不用單獨做檢測保護；多MOS管整體做個溫度檢測保護就可以了；而且一般做保護；不能功能單一；需要做到電流，電壓，溫度等整體性的；

ID:332444 · 發表于 2023-3-13 17:10

這個應該從其他方面整體考慮保護措施

ID:525244 · 發表于 2023-3-13 15:19

用電阻分壓，接npn里，當分壓電阻達到0.7v以上時，三極管才導通，再驅動一個pnp輸出電壓，這樣能保證10一下不導通，10以上導通，保護mos管，可行嗎？

ID:382454 · 發表于 2023-3-13 12:12

baobao125 發表于 2023-3-13 11:52
主要是考慮MOS柵源擊穿造成短路，然后驅動電路只有在開啟時才會被大電流拉低電壓從而導致其它管子都炸管

炸管還有幾點要考慮的，要防止驅動到MOS柵極的振鈴，用示波器打一打就知道波形。還有就是MOS的選型也很重要的。要選比實際工作大的，安全考慮，只用到管子的三分之一，或二分之一負載量。減輕她的負擔，不能滿負荷，防止雪崩爆管。

ID:960619 · 發表于 2023-3-13 11:52

univers 發表于 2023-3-13 11:15
這種問題用一個1：1的變壓器耦合到NMOS的柵極，這樣可以用效的隔離保護驅動級也被損壞。
致于怎樣讓驅動級 ...

主要是考慮MOS柵源擊穿造成短路，然后驅動電路只有在開啟時才會被大電流拉低電壓從而導致其它管子都炸管

ID:382454 · 發表于 2023-3-13 11:15

這種問題用一個1：1的變壓器耦合到NMOS的柵極，這樣可以用效的隔離保護驅動級也被損壞。
致于怎樣讓驅動級輸出的電壓達到標準，必須有一個檢測電路，當檢測達標后才給出PWM方波。
大致原理是這樣。你總不可能驅動電壓才到5V就去推MOS管吧，這樣肯定炸的。

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