這個(gè)電路可以嗎?如果提高PWM 頻率,這個(gè)電路還可以運(yùn)行嗎?

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 12:56

照葫蘆畫瓢，做了這個(gè)電路，可以運(yùn)行！

電路負(fù)載接了個(gè)燈泡，低頻率運(yùn)行，疑問是如果提高PWM 頻率，這個(gè)電路還可以運(yùn)行嗎？
我測了一下，單片機(jī)口電流8.2ma，也可以接受吧，現(xiàn)在擔(dān)心的是 MOS管IRF540N 刪極電壓，導(dǎo)通時(shí)21V，會(huì)不會(huì)太高了，長時(shí)間運(yùn)行燒壞MOS管？

ID:584814 · 發(fā)表于 2023-2-22 14:21

這個(gè)電路成本幾塊錢，直接搭個(gè)試試就知道了

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 15:52

選錯(cuò)電阻了，導(dǎo)通時(shí)電壓12V，就是這個(gè)電路，可以做到快通，快關(guān)嗎？

ID:1063898 · 發(fā)表于 2023-2-22 16:40

我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個(gè)電容用來在高速開關(guān)的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應(yīng)該到不了21V吧？

ID:1057925 · 發(fā)表于 2023-2-22 16:46

有電阻分壓,怎么可能會(huì)21V??

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 20:36

BI4MPY 發(fā)表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個(gè)電容用來在高速開關(guān)的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應(yīng)該到 ...

的確不到，我用錯(cuò)電阻了

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 20:37

黑色蜂鳥發(fā)表于 2023-2-22 16:46
有電阻分壓,怎么可能會(huì)21V??

的確不到，我用錯(cuò)電阻了，10K的別我用了個(gè)5K的

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 21:28

BI4MPY 發(fā)表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個(gè)電容用來在高速開關(guān)的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應(yīng)該到 ...

實(shí)驗(yàn)j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

ID:1063951 · 發(fā)表于 2023-2-22 22:52

電阻選錯(cuò)了，換一個(gè)

ID:342822 · 發(fā)表于 2023-2-22 23:07

無限飛翔發(fā)表于 2023-2-22 21:28
實(shí)驗(yàn)j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-23 08:17

taotie 發(fā)表于 2023-2-22 23:07
你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

示波器懶得拿桌子小懶得拿，我寫了個(gè)0.025S的延時(shí)翻轉(zhuǎn)，燈就不亮了？放常一點(diǎn)就可以。

ID:879348 · 發(fā)表于 2023-2-23 09:15

提高頻率到一定程度，mos管會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重，再高到一定頻率無法導(dǎo)通

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-23 09:23

R3可以直接不要吧？

ID:116103 · 發(fā)表于 2023-2-23 10:01

IRF540是N CHANNEL的增強(qiáng)型的，圖中符號錯(cuò)了。按該元件特性，VGS在4-10V時(shí)控制 ID電流，屬于壓控電流源。

ID:146878 · 發(fā)表于 2023-2-23 10:15

快不了，R2向下充電要時(shí)間的。

ID:149799 · 發(fā)表于 2023-2-23 11:16

lkc8210 發(fā)表于 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

不可以

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-23 11:37

wys91203 發(fā)表于 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增強(qiáng)型的，圖中符號錯(cuò)了。按該元件特性，VGS在4-10V時(shí)控制 ID電流，屬于壓控電流源。

圖標(biāo)是不對！沒找到，用N型圖標(biāo)帶用了，VGS電壓我查的是20V，實(shí)際工作12V。

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:10

王秋冬發(fā)表于 2023-2-23 11:16
不可以

愿聞其詳

ID:272119 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:48

lkc8210 發(fā)表于 2023-2-23 22:10
愿聞其詳

一般 MOS的GS耐壓不會(huì)超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經(jīng)因?yàn)?8M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個(gè)MOS管.

ID:272119 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:55

這個(gè)電路在PWM 1K以內(nèi)可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅(qū)動(dòng),不然Q1會(huì)不規(guī)則導(dǎo)通,因?yàn)镼1的GS寄生結(jié)電容Ciss很大,10K分壓@1.2ma電流在瞬間無法充電完成.

ID:1064118 · 發(fā)表于 2023-2-24 10:09

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:55
這個(gè)電路在PWM 1K以內(nèi)可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅(qū)動(dòng),不然Q1會(huì)不規(guī)則導(dǎo)通,因?yàn)镼1的GS寄生結(jié)電容C ...

ID:1060439 · 發(fā)表于 2023-2-24 14:07

如果要高頻率開關(guān)，就必須滿足MCO的驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流，最好在器Q2與MOS之間增加一個(gè)推完結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路，這樣就滿足驅(qū)動(dòng)電壓和電流，注意MOS的驅(qū)動(dòng)最高電壓要高于5V和低于20V，不然MOS管會(huì)損壞或者不導(dǎo)通。

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-24 15:19

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:55
這個(gè)電路在PWM 1K以內(nèi)可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅(qū)動(dòng),不然Q1會(huì)不規(guī)則導(dǎo)通,因?yàn)镼1的GS寄生結(jié)電容C ...

謝啦！！！
多次實(shí)驗(yàn)，也是發(fā)現(xiàn)不對。

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-24 15:57

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:48
一般 MOS的GS耐壓不會(huì)超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經(jīng)因?yàn)?8M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個(gè)MO ...

一直以為Vgs的耐壓等于Vds的耐壓
受教了～

ID:1060328 · 發(fā)表于 2023-2-24 16:19

按這個(gè)電路的參數(shù)，不管三極管通斷，柵極電壓不可能到21V,頻率受柵極結(jié)電容的影響

ID:1034262 · 發(fā)表于 2023-2-24 18:58

樓主你看一下MOSFET的Total Gate Charge，VGS=10V時(shí)71nC，你提供PWM頻率，需要更大的驅(qū)動(dòng)電流，你的電路會(huì)提供不了的。具體來說：假設(shè)額PWM頻率為50KHz，要求MOSEFT柵壓上升沿、下降沿都是0.5us，驅(qū)動(dòng)電壓是10V，則需要電流 I=71*10^-9 / (0.5*10^-6)=0.142A，如果要求0.2us的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，則就要0.355A的電流，這就是為什么要用驅(qū)動(dòng)IC的原因，驅(qū)動(dòng)IC一般可以提供0.1~2A的驅(qū)動(dòng)電流。

ID:1061331 · 發(fā)表于 2023-2-24 22:20

對你可以試試，一般單片機(jī)最高是12V供電，21V有點(diǎn)過高

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這個(gè)電路可以嗎?如果提高PWM 頻率,這個(gè)電路還可以運(yùn)行嗎?