為什么MOS管比BJT導通時的管壓降要小(開關管)

ID:50910 · 發表于 2022-9-12 12:48

從MOS和BJT的輸出特性曲線上看：當MOS和BJT處于導通狀態時，BJT工作飽和區，MOS工作在可變電阻區。而且當其向線性放大區轉變的臨界點，似乎MOS管的管壓降大于BJT的管壓降。但實際工作中，MOS管的RSON電阻很小，因此它的管壓降比BJT的要小很多。

ID:301191 · 發表于 2022-9-27 03:48

頂一下

ID:491577 · 發表于 2022-9-27 08:29

MOS管與BJT特性是差不多的，只是BJT只有小功率管沒有大功率的，所以內阻比較高，但是反向漏電流也小呀，MOS管很多都是大功率的所以內阻比較小，你在意內阻用MOS管就好。

ID:752974 · 發表于 2022-9-27 09:01

MOS沒有飽和壓降的概念，給出的是導通電阻，因此，在導通電阻一定（柵偏壓）的情況下，壓降和工作電流相關聯。

ID:420836 · 發表于 2022-9-27 09:27

MOSFET在飽和時就像歐姆電阻一樣工作，并且由施加到柵極的電壓控制。當柵源電壓足夠高時，MOSFET 的導通電阻可以非常低。因此，飽和狀態下 MOSFET 的電壓降可能非常低。 BJT 在飽和時像二極管一樣工作，并由基極電流控制。最低電壓降可高達約 0.2V，高于 MOSFET。

ID:1007932 · 發表于 2022-9-27 09:29

看bjt和mos的結構，兩種導通方式不一樣，bjt導通后只剩下一個PN節相當于二極管，mos導通后導電溝道相當于電阻，不考慮電路的情況下這倆沒啥可比的，大概就是高壓小電流用BJT，低壓大電流用MOS，bjt的PN節壓降固定，低壓損耗大，高壓mos的導電溝道長電阻大，相應的損耗也大。

ID:1034262 · 發表于 2022-9-27 11:01

那是在低壓小電流的情況。如果再高壓大電流，比如500V 100A，三極管的損耗就會比MOSFET小，但驅動電流大，于是，IGBT就誕生了。為什么高壓大功率的地方用IGBT而燒用MOSFET幾十這個原因。
哪怕是200V的MOSFET，其通阻往往都到了幾百毫歐級別，假設是0.6歐姆，電流10A就壓降6V，損耗60瓦，而這時候用三極管，飽和壓降1.5V，則損耗15瓦。

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