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開關(guān)電源的MOS管選型問題,決定MOS管開關(guān)頻率 的有哪些 參數(shù)

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樓主
ID:709761 發(fā)表于 2022-9-9 08:04 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
MOS管的耐壓和電流怎么選,為什么IGBT的頻率沒有MOS管高,關(guān)鍵是什么參數(shù)造成的
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沙發(fā)
ID:893997 發(fā)表于 2022-9-11 10:48 | 只看該作者
mos耐壓需要兩倍以上,電流按管子標(biāo)的5分之1算。
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板凳
ID:1007932 發(fā)表于 2022-9-11 21:57 | 只看該作者
IGBT有拖尾電流,聽說是因為IGBT導(dǎo)通時即有電子又有空穴參與導(dǎo)電,但空穴恢復(fù)比較慢,所以IGBT比較慢。
MOS可以看Qg的大小,柵極存儲的電荷越少開關(guān)速度越快。
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地板
ID:883242 發(fā)表于 2022-9-12 07:37 | 只看該作者
IGBT有存儲效應(yīng),從深飽和狀態(tài)恢復(fù)出來的時間很長,限制了最高開關(guān)頻率。

MOSFET的最高頻率是驅(qū)動電路無法克服Qg柵極電荷給限制住的,只要你能開發(fā)出足夠強(qiáng)大的柵極驅(qū)動,MOSFET的工作頻率是無限的,唯一能限制的物理極限只有光速。
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5#
ID:123289 發(fā)表于 2022-9-12 16:49 | 只看該作者
MOS管的耐壓和電流怎么選?
答:參照設(shè)計的要求,加個富裕度,查手冊,符合條件即選中。
為什么IGBT的頻率沒有MOS管高,
答:IGBT是集成的東東,MOS是單一的東東,多個東東就多個限制。
關(guān)鍵是什么參數(shù)造成的。
答:分布電容、元件電容是關(guān)鍵參數(shù)。
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