概述：
PL7022/B 是一款基于 CMOS 的雙節(jié)可充電鋰電池保護電路，它集高精度過電壓充電保護、過電壓放電保護、過電流充電保護、過電流放電保護、電池短路保護等性能于一身。
正常狀態(tài)下，PL7022/B 由電池供電。當兩節(jié)電池電壓（VBATU/VBATD)都在過電壓充電保護閾值（VOCU/D）和過電壓放電保護閾值（VODU/D）之間，且其 VM 檢測端電壓在過電流充電保護閾值（VECI）和過電流放電保護閾值（VEDI）之間，此時 PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負載使電池放電。
PL7022/B 通過檢測兩個電池電壓來進行過充/放電保護。當充/放電保護條件發(fā)生時，COUT/DOUT 由高電平變?yōu)榈碗娖剑?Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗瑥亩?放電過程停止。PL7022/B 對每種保護狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件，當恢復(fù)條件滿足以后，COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進入正常狀態(tài)。
PL7022/B 對每種保護/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時間，只有在保護/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時間以后，才進行相應(yīng)的保護/恢復(fù)。如果保護/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時間以前消除，則不進入保護/恢復(fù)狀態(tài)。
當 VM 小于-5V，VDD 從 0V 升高至正常值時，芯片將進入快速檢測模式，縮短延遲時間，并禁止過電流充電保護功能。過電壓充電檢測和過電壓放電檢測延遲時間會縮短到將近 1ms，這能有效地縮短保護電路 PCB 的檢測時間。當 VM 升高至 0V 以上時，芯片將退出快速檢測模式。
規(guī)格書：
PL7022系列保護芯片.pdf
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