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關于柵極驅動器的幾個問題

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柵極驅動器的幾個問題

柵極驅動器IR2111SPBF_.PDF

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沙發
ID:301191 發表于 2022-3-4 06:24 | 只看該作者
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板凳
ID:86926 發表于 2022-3-4 08:13 | 只看該作者
當然不能去掉,那個二極管是給自舉電容充電的,當下管導通時,電容充電,當打開上管時,用的是電容放電回路,就是電容作為一個“電源”來驅動上管,電容作為一個電源的就相當于上管的S是電容的地了,這樣就能解決浮地的問題。
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地板
ID:123289 發表于 2022-3-4 14:27 | 只看該作者
1、低邊MOS的驅動電壓,是以GND為參考點的,例如:打通MOS的VGS需要5V,則lLO只要5V,低端MOS就通了。
2、高邊MOS的驅動電壓,是以TOLOAD為參考點的(源極),當HO=5V,高端MOS就不一定通了。如果這時TOLOAD=2V,則HO就必須達到7V。實際使用中,要看負載的情況而定。
3、如果LO取自VCC,則HO就必須超過VCC,所以就需要一個比VCC更高的電源。VB就是這個電源,C是這個電源的濾波器,由于VB>VCC,所以它倆不能連在一起。
4、又VB是需要內部振蕩工作后才能抬升的,它的基電位(不振蕩時)希望有一個較高的值,就選擇了VCC,這個二極管就起作用了,它會將電容的基礎電壓抬到(充電)VCC,振蕩器再提升一點,兩者合成VB就有了。
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5#
ID:883242 發表于 2022-3-4 23:35 | 只看該作者
電容的下端接近地電平,VCC通過這個二極管給電容充電。電容下端為VCC的時候,電容給VB引腳提供超過VCC的電壓。
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