關(guān)于MCU掉電保存數(shù)據(jù)的問題

ID:278006 · 發(fā)表于 2022-1-24 22:13

1、目的掉電保存掉電之前瞬間的數(shù)據(jù) 需要寫EEPROM
但是手冊(cè)上這樣寫的在工作電壓Vcc偏低時(shí)，建議不要進(jìn)行EEPROM/IAP操作

2、如果非要用的話是不是在低壓檢測(cè)中斷6中處理即可無需低壓檢測(cè)外接電路？

3、如果用這個(gè)檢測(cè)是不是在比較器中斷也就是中斷21里處理？如果是是不是也有電壓Vcc偏低時(shí)，建議不要進(jìn)行EEPROM/IAP操作不建議進(jìn)行EEPROM/IAP操作的問題
那樣的話是不是掉電保存參數(shù)都有問題？

ID:624769 · 發(fā)表于 2022-1-25 02:06

不是很確定，你的目的……
如果，你只是為了，單片機(jī)掉電前，保存部分?jǐn)?shù)據(jù)到Eeprom，其實(shí)沒有必要用到比較器。
只需要打開掉電中斷，ELVD 然后，在中斷函數(shù)中執(zhí)行寫Eeprom操作即可。
具體可以參考這里：掉電中斷應(yīng)用

當(dāng)然，為了確保掉電中斷能正確地運(yùn)行，Eeprom能正確地寫入，燒寫芯片的時(shí)候，STC-ISP軟件要做相應(yīng)的設(shè)置，需要關(guān)閉低壓復(fù)位（這樣掉電中斷才能生效），需要設(shè)置一個(gè)比較高的低壓檢測(cè)電壓，就像手冊(cè)中說的，電壓太低Eeprom會(huì)寫入失敗，這個(gè)低壓檢測(cè)電壓，決定了激活掉電中斷的時(shí)間。
然后，低壓禁止Eeprom操作這個(gè)選項(xiàng)必須關(guān)閉，不然，會(huì)禁止你寫Eeprom。

ID:319585 · 發(fā)表于 2022-1-25 06:48

目前最好的辦法是使用鐵電存儲(chǔ)器，每隔幾秒鐘就寫一次數(shù)據(jù)，開機(jī)時(shí)自動(dòng)讀取掉電前信息。

ID:213173 · 發(fā)表于 2022-1-25 07:48

樓主理解有誤。圖中7805輸入端失壓，VCC端濾波電容足夠大就可以維持在寫EEPROM時(shí)VCC電壓基本不變。一般只需維持幾ms即可。

ID:405850 · 發(fā)表于 2022-1-25 08:12

用外部檢測(cè)掉電好點(diǎn)，可以通過調(diào)節(jié)電阻分壓，調(diào)節(jié)保護(hù)電壓，速度也快

ID:415064 · 發(fā)表于 2022-1-25 09:05

在電源端加個(gè)大電容，檢測(cè)到掉電時(shí)，立即寫數(shù)據(jù)。

ID:278006 · 發(fā)表于 2022-1-25 13:03

188610329 發(fā)表于 2022-1-25 02:06
不是很確定，你的目的……
如果，你只是為了，單片機(jī)掉電前，保存部分?jǐn)?shù)據(jù)到Eeprom，其實(shí)沒有必要用到比較 ...

只是為了，單片機(jī)掉電前，保存一個(gè)數(shù)據(jù)到Eeprom （定時(shí)時(shí)間重新上電后繼續(xù)定時(shí)）確認(rèn)下不用比較器直接用掉電中斷是否可以如果可以就不用改硬件了

ID:624769 · 發(fā)表于 2022-1-25 13:35

level888 發(fā)表于 2022-1-25 13:03
只是為了，單片機(jī)掉電前，保存一個(gè)數(shù)據(jù)到Eeprom （定時(shí)時(shí)間重新上電后繼續(xù)定時(shí)）確認(rèn)下不用比較器直接 ...

所以，你不用急著搞硬件電路用比較器，
先用掉電中斷，一般，你的低電壓判斷，設(shè)得只要高于3.7V 基本上寫2-30個(gè)字節(jié)到Eeprom 是綽綽有余的。
如果，掉電中斷響應(yīng)，寫Eeprom 時(shí)間不夠充分，才會(huì)用比較器判斷7805的前端電壓，來提供更多的時(shí)間給Eeprom操作。事實(shí)上，只要不是等發(fā)現(xiàn)了掉電了才做扇區(qū)擦除的話，基本上，時(shí)間是夠用的。

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