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關(guān)于mos管開關(guān)速度問題

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ID:378659 發(fā)表于 2021-10-25 13:59 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
單片機(jī)驅(qū)動IO口,光耦那3腳上下沿穩(wěn)定時間基本1ms以內(nèi),但是mos管開關(guān)波形那上下沿基本40ms左右,圖中漏極已經(jīng)通過接線端子連接上+KM和10K電阻了,請問為啥開關(guān)那么慢,如何改善。圖中+KM是對地110v/220v
1.PNG
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ID:883242 發(fā)表于 2021-10-25 15:01 | 顯示全部樓層
查datasheet里面Cgs有多大你就知道為什么那么慢了。
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ID:378659 發(fā)表于 2021-10-25 15:13 | 顯示全部樓層
Hephaestus 發(fā)表于 2021-10-25 15:01
查datasheet里面Cgs有多大你就知道為什么那么慢了。

看了數(shù)據(jù)手冊了,上面寫的開關(guān)時間都是幾百ns
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ID:123289 發(fā)表于 2021-10-25 15:54 | 顯示全部樓層
MOS的柵極對地是不導(dǎo)通的,它相當(dāng)于是電容。
當(dāng)打通MOS時柵極電壓為高,是由光藕提供的,很快電壓就上去了(充電電阻很小)。
當(dāng)關(guān)閉MOS時,柵極電容的放電只能通過R10,這個電阻是10K,放電當(dāng)然就慢了。放電慢,柵極電壓下降就慢,速度就上不去了。
改善的方法是,關(guān)斷是,讓放電回路電阻變小!!
明白道理后,改進(jìn)不困難。
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ID:213173 發(fā)表于 2021-10-25 15:56 | 顯示全部樓層
樓主的電路結(jié)構(gòu)和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關(guān)速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。
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ID:883242 發(fā)表于 2021-10-25 16:03 | 顯示全部樓層
0孫悟空0 發(fā)表于 2021-10-25 15:13
看了數(shù)據(jù)手冊了,上面寫的開關(guān)時間都是幾百ns

查了下你管子的datasheet,里面有Qgs、Qg的參數(shù),你仔細(xì)想想用你現(xiàn)在這點電流把電荷搬來搬去需要多少時間吧。
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ID:378659 發(fā)表于 2021-10-25 16:19 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2021-10-25 15:56
樓主的電路結(jié)構(gòu)和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關(guān)速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。

1ms級別就行了,但是實際幾十ms
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ID:378659 發(fā)表于 2021-10-25 16:30 | 顯示全部樓層
yzwzfyz 發(fā)表于 2021-10-25 15:54
MOS的柵極對地是不導(dǎo)通的,它相當(dāng)于是電容。
當(dāng)打通MOS時柵極電壓為高,是由光藕提供的,很快電壓就上去了 ...

大佬,不是這個問題,我門極即柵極輸入那測波形,上下沿就是0.4ms內(nèi)完成,但是,漏極輸出下降沿沿2.多ms,上升沿80多ms
51hei圖片_20211025162913.jpg
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ID:378659 發(fā)表于 2021-10-25 16:31 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2021-10-25 15:56
樓主的電路結(jié)構(gòu)和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關(guān)速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。

您在看看上面的回復(fù),柵極輸入上下沿都是0.2ms符合要求的,但是漏極輸出那上升沿80多ms
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ID:213173 發(fā)表于 2021-10-25 16:57 | 顯示全部樓層
0孫悟空0 發(fā)表于 2021-10-25 16:19
1ms級別就行了,但是實際幾十ms

此圖控制MOS管開關(guān)上下沿可以小于1us。
無標(biāo)題.jpg

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ID:401564 發(fā)表于 2021-10-25 16:58 | 顯示全部樓層
這種接法,輸出上升是關(guān)斷,下降才打開
R10換成1K的,或者反接一個二極管試一下
下降不夠快的話,加大驅(qū)動電壓和電流
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ID:542563 發(fā)表于 2021-10-26 08:59 | 顯示全部樓層
漏極220v可以用示波器量么?
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ID:466505 發(fā)表于 2021-10-26 09:14 | 顯示全部樓層
817光藕驅(qū)動電流有限,要加驅(qū)動電路才能讓MOS管加速導(dǎo)通,要么換MOS,要么加個三極管
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ID:468878 發(fā)表于 2021-10-26 10:44 | 顯示全部樓層
MOS理論上是電壓控制器件,但需要高速的時候,則需要很大的驅(qū)動電流,因為柵極電容的存在,導(dǎo)通就是需要給電容充電。所以光耦電流太小了,所以速度起不來,最簡單的是按照10樓的,用圖騰柱驅(qū)動。
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ID:491577 發(fā)表于 2021-10-26 11:52 | 顯示全部樓層
14樓已經(jīng)說明原理了,樓主這種驅(qū)動只適合做開關(guān)時間大于1秒的情況。最簡單是5VIO腳直接驅(qū)動MOS管可以滿足樓主的要求,IO腳到地要接一個5.1V穩(wěn)壓管保護(hù)就可以了。
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ID:332444 發(fā)表于 2021-10-26 12:42 | 顯示全部樓層
把光耦與電阻位置對調(diào)試看
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ID:332444 發(fā)表于 2021-10-26 12:44 | 顯示全部樓層
否則的話使用推挽電路
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ID:974857 發(fā)表于 2021-10-26 12:53 | 顯示全部樓層
80多ms的話那就和驅(qū)動電路沒關(guān)系了,要看看負(fù)載的阻抗特性
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ID:518190 發(fā)表于 2021-10-26 15:50 | 顯示全部樓層
改用推挽輸出驅(qū)動。這種光耦關(guān)斷很慢的,參考TPL715這種。
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ID:10947 發(fā)表于 2021-10-26 16:34 | 顯示全部樓層
漏極輸出下降沿沿2.多ms,上升沿80多ms
是因為你的漏極負(fù)載是R9,電阻值大,電壓上升自然慢。
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