只需一步，快速開始
熱門： 51單片機 | 24小時必答區(qū) | 單片機教程 | 單片機DIY制作 | STM32 | Cortex M3 | 模數(shù)電子 | 電子DIY制作 | 音響/功放 | 拆機樂園 | Arduino | 嵌入式OS | 程序設計
在微型可穿戴設備中，對于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了
這種方案要用到一個NMOS和一個PMOS組合使用，NMOS作為下管控制PMOS的輸出。
NMOS和PMOS本身也是需要消耗電流的，重點關注NMOS和PMOS的兩個漏電流參數(shù)IGSS和IDSS，一般小于多少才算是極低的漏電流？
我看都是在1uA以上 最大 有沒有更小的
PMOS管 IGSS&IDSS漏電流.png (222.99 KB, 下載次數(shù): 51)
下載附件
2021-10-12 17:01 上傳
PMOS管IGSS& IDSS漏電流.png (115.5 KB, 下載次數(shù): 58)
使用道具 舉報
ucmic 發(fā)表于 2021-10-13 07:48 這個是反映mos導通時的需要的電流電壓吧，關機功耗與電路設計有關。
hcfat51h 發(fā)表于 2021-10-14 12:16 那個是Vds=20V時候的電流,你電壓Vds在3-5V時的漏電池就小了
本版積分規(guī)則 發(fā)表回復 回帖后跳轉到最后一頁
手機版|小黑屋|51黑電子論壇 | 管理員QQ:125739409;技術交流QQ群281945664
Powered by 單片機教程網(wǎng)
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
淘帖
頂
踩
