EEPROM掉電存儲功能放MCU程序哪里比較好?

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 16:13

我現在按鍵控制燈的狀態及亮度，想要存儲狀態變量及PWM變量，EEPROM的擦寫放在程序哪部分比較好？是放在按鍵中斷里面好呢還是放在主程序里面好。還有怎么做延時存儲，比如按鍵完后10S才自動存儲，還不影響主程序的運行。而不是每次按鍵都要是擦寫EEPROM。

ID:161164 · 發表于 2021-8-31 16:48

開機時
Your_Data = IapReadByte(0x2000);//詳細可參考STC_ISP

在while(1)內
if(!Key_In)
{
if(Key_Down_Count>1200000)//時間隨你改
{
IapEraseSector(0x2000);//詳細可參考STC_ISP
IapProgramByte(0x2000, Your_Data);//詳細可參考STC_ISP
}else{
++Key_Down_Count;
}
}else{
Key_Down_Count = 0;
}

ID:887371 · 發表于 2021-8-31 16:49

變化比較頻繁的在斷電瞬間保存。
變化很少的在每次更改時保存。

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 17:04

datouyuan 發表于 2021-8-31 16:49
變化比較頻繁的在斷電瞬間保存。
變化很少的在每次更改時保存。

斷電瞬間保存的話，那還得做硬件電路加電容吧。
感覺沒必要，考慮的就是要不更改后就擦寫，要不就操作完后延時擦寫

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 17:20

lkc8210 發表于 2021-8-31 16:48
開機時
Your_Data = IapReadByte(0x2000);//詳細可參考STC_ISP

我放在主程序里，這樣只要修改變量參數后要等執行完該分支才進行擦寫，感覺也可以。不知道怎么去判斷EEPROM里的值是否為分支對應的num值。如果IAP_ADDRESS里的值等于num就不再重復擦寫了，只有在不等于的時候才進行擦寫
void main()
{
init();
num=IapReadByte(IAP_ADDRESS);
while(1)
{


switch(num)
{
   case(0):lsd0();
         P1=0xfe;

            IapEraseSector(IAP_ADDRESS);          // 擦除扇區
            IapProgramByte(IAP_ADDRESS,0);
      break;
   case(1):lsd1();
            P1=0xfd;
            IapEraseSector(IAP_ADDRESS);          // 擦除扇區
            IapProgramByte(IAP_ADDRESS,1);
      break;
   case(2):lsd2();
         P1=0xfb;
         IapEraseSector(IAP_ADDRESS);          // 擦除扇區
            IapProgramByte(IAP_ADDRESS,2);
         break;//num++;
   case(3):lsd3();
         P1=0xf7;
         IapEraseSector(IAP_ADDRESS);          // 擦除扇區
            IapProgramByte(IAP_ADDRESS,3);
         break;

}

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 18:35

掉電存儲功能，放在掉電中斷里。
掉電檢測點定的高一點，比如，3.7V, 這樣你能用15毫秒左右的時間，儲存東西，足夠了。

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 19:17

188610329 發表于 2021-8-31 18:35
掉電存儲功能，放在掉電中斷里。
掉電檢測點定的高一點，比如，3.7V, 這樣你能用15毫秒左右的時間，儲存 ...

這樣純軟件能搞定嗎，是得需要硬件電路支持吧

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 19:41

PEB188 發表于 2021-8-31 19:17
這樣純軟件能搞定嗎，是得需要硬件電路支持吧

不需要，我實測過，當外部電容為47uf時，3.7V低壓檢測的情況下，發現掉電后有大約15毫秒處理時間，其中10毫秒左右，是Eeprom安全操作時間，足夠了，你Eeprom 寫一個字節最多7微妙，你可以寫將近1000個字節，時間足夠了，要是還覺得時間不夠，可以適當調大單片機的外部電容，而如果用比較器檢測掉電，大約能比掉電檢測早發現3毫秒，意義不大。

最后，最關鍵一點，掉電檢測中斷一觸發進去后，第一件事情是，先關閉所有的輸出，不然如果你有強推挽輸出點一個LED的話，剩下的電撐不了多久。

ID:161164 · 發表于 2021-8-31 19:44

PEB188 發表于 2021-8-31 17:20
我放在主程序里，這樣只要修改變量參數后要等執行完該分支才進行擦寫，感覺也可以。不知道怎么去判斷EEPR ...

正常不會這樣寫的吧？
不知道lsd()里寫的是什么
如果num是0
不就不斷在Case 0擦寫同一地址嗎？
還沒有延時！ EEProm很快壞吧～

先比較再寫入可以這樣
if(!Key_In)
{
if(Key_Down_Count>1200000)//時間隨你改
{Key_Down_Count = 0;
if(num !=IapReadByte(EEProm_Addr))
{
IapEraseSector(EEProm_Addr);//詳細可參考STC_ISP
IapProgramByte(EEProm_Addr, num);//詳細可參考STC_ISP
}
}else{
++Key_Down_Count;
}
}else{
Key_Down_Count = 0;
}

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 19:48

188610329 發表于 2021-8-31 19:41
不需要，我實測過，當外部電容為47uf時，3.7V低壓檢測的情況下，發現掉電后有大約15毫秒處理時間，其中10 ...

這個還是需要硬件電容支持啊。我現在這只是改變燈的狀態，這不是頻繁操作的數據，還是純軟件直接擦寫好了

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 19:57

PEB188 發表于 2021-8-31 19:48
這個還是需要硬件電容支持啊。我現在這只是改變燈的狀態，這不是頻繁操作的數據，還是純軟件直接擦寫好了

你可別跟我說你搭建單片機電路的時候沒有用47uf電解電容，+ 0.1 uf 濾波電容，就跑起來了哈？這算需要額外硬件支持么？不是標配么？
最后，你的問題是“掉電存儲功能”，那么自然是放到掉電中斷里面羅。
你要是狀態改變后存儲，就放在改變狀態的函數里，或者函數后面。
另外，建議你，Eeprom不要盯著一個地方寫，容易壞，每次移動一個地址寫，寫滿后格式化，再從頭寫。

ID:883242 · 發表于 2021-8-31 20:07

IAP什么的函數是操作flash的吧？不像是操作eeprom的代碼。

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 20:13

Hephaestus 發表于 2021-8-31 20:07
IAP什么的函數是操作flash的吧？不像是操作eeprom的代碼。

STC, 就是把 Flash 當 Eeprom 用，對外號稱Eeprom, 所以一擦一個扇區，賊不方便。

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 20:24

188610329 發表于 2021-8-31 19:57
你可別跟我說你搭建單片機電路的時候沒有用47uf電解電容，+ 0.1 uf 濾波電容，就跑起來了哈？這算需要額 ...

我就一個STC芯片跑的，啥電容晶振復位電路都沒有，供電用穩壓管。也不會搭建多余的電路，還剛開始學

要是多個變量參數非同時變更的話還是要分頁存儲到EEPROM吧（EPROM有5K，差不多10頁吧），這樣擦除只擦一頁也不會擦掉其它頁的數據，對吧

ID:956872 · 發表于 2021-8-31 20:25

188610329 發表于 2021-8-31 20:13
STC, 就是把 Flash 當 Eeprom 用，對外號稱Eeprom, 所以一擦一個扇區，賊不方便。

不是挺方便的嗎，哪個什么IIC的，學的糊里糊涂，感覺這個簡單就放棄學那個了

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 20:57

PEB188 發表于 2021-8-31 20:24
我就一個STC芯片跑的，啥電容晶振復位電路都沒有，供電用穩壓管。也不會搭建多余的電路，還剛開始學[em01 ...

不分頁高地址不變，低地址每次存儲 +1 ，加到255以后擦除扇區從0開始寫

ID:401564 · 發表于 2021-8-31 21:00

看實際情況,如果條件允許,加硬件電路執行斷電寫入,這樣的話就是關機每次都會保存
不想搞的話,那就按鍵長按或者是多個按鍵按下保存,反正,保存設置是非常規操作就可以了
沒什么好糾結的

ID:624769 · 發表于 2021-8-31 21:04

PEB188 發表于 2021-8-31 20:25
不是挺方便的嗎，哪個什么IIC的，學的糊里糊涂，感覺這個簡單就放棄學那個了

寫碼而言是簡單了，但在架構方面來講，是麻煩。因為實際應用中，不會像你那樣就一個數據盯著一個地方寫，必須考慮均勻使用，寫滿以后，擦除一個扇區需要將近21毫秒，對系統影響還是比較大的。所以經常改的數據，比如鬧鐘數據，我寧可往DS1302,和DS1307里面存，也不往IAP里面存。只有一年都改不了幾次的才存IAP

ID:956872 · 發表于 2021-9-1 06:49

188610329 發表于 2021-8-31 20:57
不分頁高地址不變，低地址每次存儲 +1 ，加到255以后擦除扇區從0開始寫

從0開始寫，但我好像寫不進1啊，寫1的話掉電后上電無法保存掉電前的狀態，寫2.3.4都沒問題

ID:398219 · 發表于 2021-9-1 08:06

我常用的方式是計數，一般我是計10次后寫入EEPROM，然后清空計數。掉電還要寫AD檢測電壓，感覺有點麻煩就沒做。

ID:390416 · 發表于 2021-9-1 08:28

簡單  開機時  讀取EEPROM

然后計數設定時間比如100ms

100ms 判斷一次  如果某數據的值發生了改變那么執行EEPROM擦除整個扇區+寫入該字節保存
如果數據保持不變不執行EEPROM擦寫

ID:624769 · 發表于 2021-9-1 20:18

herui2128 發表于 2021-9-1 08:06
我常用的方式是計數，一般我是計10次后寫入EEPROM，然后清空計數。掉電還要寫AD檢測電壓，感覺有點麻煩就沒 ...

掉電壓根不用寫什么檢測電壓，直接 ELVD = 1; 然后寫中斷
void Power_Lost(void)       interrupt  6;
{
；//此處存儲Eeprom 代碼
   PCON  &= 0xDF; // 清掉電標志
   delay50ms(); //如 50ms 還沒有關機，說明是誤判，返回主程序。
}
就那么簡單一件事。

ID:956872 · 發表于 2021-9-2 11:45

人人學會單片機發表于 2021-9-1 08:28
簡單開機時讀取EEPROM

然后計數設定時間比如100ms

這樣怎么跟主程序同時運行啊

ID:161164 · 發表于 2021-9-2 11:59

PEB188 發表于 2021-9-2 11:45
這樣怎么跟主程序同時運行啊

不用你那套while循環嵌套法就可以了

while(1){
  while(1){
while(1){
   while(1){
      if(xxx)break;
   }
}
}
}

ID:956872 · 發表于 2021-9-2 17:15

lkc8210 發表于 2021-8-31 19:44
正常不會這樣寫的吧？
不知道lsd()里寫的是什么
如果num是0

lsd()里就是簡單的流水燈測試，case我從2開始寫，加入了判斷讀取的值與當前值是否一致。不過這樣還有問題，就是在按鍵連續按下調光的時候，這里就有問題了，會連續擦寫，因為擦寫需要較長的時間，對PWM調光也產生干擾了

ID:956872 · 發表于 2021-9-2 17:24

lkc8210 發表于 2021-9-2 11:59
不用你那套while循環嵌套法就可以了
while(1){
while(1){

我沒這樣寫過。雖然小白一個，但也不至于白成這樣。同時運行程序51單片機好像做不到，那應該是用定時器了，這樣就得長期占用一個定時器。本來定時器就不多

ID:161164 · 發表于 2021-9-2 17:27

PEB188 發表于 2021-9-2 17:15
lsd()里就是簡單的流水燈測試，case我從2開始寫，加入了判斷讀取的值與當前值是否一致。不過這樣還有問題 ...

你不是要按著10秒才去擦寫嗎？
怎么又變成了連續按下會連續擦寫？

ID:956872 · 發表于 2021-9-2 19:48

lkc8210 發表于 2021-9-2 17:27
你不是要按著10秒才去擦寫嗎？
怎么又變成了連續按下會連續擦寫？

之前是執行完分支程序的最后才判斷變量與EEPROM存儲的值是否一致，不一致才去擦寫。后來加了PWM調光就有問題了，按鍵按下變量從一直加到100，相當擦寫一百次，還對PWM產生干擾。主要這款型號定時器才兩個，太少了，現在只能用PCA當定時器，按鍵按下打開PCA定時器，設一個變量計數，每次按鍵按下計數清0，一定時間內沒有按鍵操作了再判斷參數變量，最后決定是否擦寫。這樣應該能解決之前的問題吧

ID:956872 · 發表于 2021-9-2 21:20

188610329 發表于 2021-9-1 20:18
掉電壓根不用寫什么檢測電壓，直接 ELVD = 1; 然后寫中斷
void Power_Lost(void) interrupt 6;
...

這樣是每次進入掉電模式前保存一次數據嗎。那要是剛修改了數據，斷電一次不就沒來得及保存了。還要電路上加大的電容跟電壓檢測判斷吧

ID:161164 · 發表于 2021-9-2 22:26

PEB188 發表于 2021-9-2 17:24
我沒這樣寫過。雖然小白一個，但也不至于白成這樣。同時運行程序51單片機好像做不到，那應該是用定 ...

這不是你寫的嗎？

其實只用一個定時器
分時工作
已經等同于同時運行了
因為人跟本分不出幾毫秒的差別

ID:161164 · 發表于 2021-9-2 22:40

PEB188 發表于 2021-9-2 19:48
之前是執行完分支程序的最后才判斷變量與EEPROM存儲的值是否一致，不一致才去擦寫。后來加了PWM調光就有 ...

那是你的寫法有基本上的問題
所以每加一個新功能時就會與舊邏輯有沖突
然后又用一些另辟蹊徑的邏輯來解決
結果越寫越亂

12T的單片機只用一個定時器已足夠協調五個工作模塊＋一個慢速PWM

ID:624769 · 發表于 2021-9-3 22:08

PEB188 發表于 2021-9-2 21:20
這樣是每次進入掉電模式前保存一次數據嗎。那要是剛修改了數據，斷電一次不就沒來得及保存了。還要電路上 ...

你還是看一下手冊吧……
interrupt 6 不是什么掉電模式，是給單片機斷電了，單片機在發現你掐了電源，簡單點說，打比方說:發現你給他拔管子后，他在短期前利用還剩下的最后一口氣，寫下死亡訊息。噢不是，把變量存Eeprom。

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EEPROM掉電存儲功能放MCU程序哪里比較好?

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