編輯:LL FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V 品牌:ASEMI 型號(hào):FGL40N120AN 封裝:TO-247 電性參數(shù):40A 1200V 正向電流:40A 反向耐壓:1200V 引腳數(shù)量:3 芯片個(gè)數(shù):2 最大正向電流:240A 芯片大小: 包裝方式:管裝 產(chǎn)品類(lèi)型:IBGT、大功率、高耐壓 種類(lèi):IGBT 操作溫度:-55°C~150°C 產(chǎn)品描述 ASEMI品牌FGL40N120AN的IGBT管參數(shù)規(guī)格:電流:40A;電壓:1200V;盒裝: IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。
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