去年，出于一次偶然，寫了三個(gè)變壓器設(shè)計(jì)的文章，分別是反激，正激，半橋。沒想到 反響還不錯(cuò)，尤其以反激變壓器那個(gè)文章為甚。現(xiàn)在，已經(jīng)沒做電源RD 了，比原來空閑， 那天有個(gè)初學(xué)者問我，說 RCC 電源變壓器算的不準(zhǔn)，原來是套用我寫的那個(gè)反激式的算法， 因此我想到，應(yīng)該再寫一點(diǎn) RCC 電源變壓器的設(shè)計(jì)方法，以使那些電源新手更快的掌握 RCC 電源。畢竟 RCC 電源和反激電源還是有些不同的。

RCC 電路根據(jù)功率管不同，分為兩種，一種是用三極管制作，另一種是用 MOS 管制做， 電路稍有不同，但原理差不太多。我們知道，三極管是一個(gè)電流控制的電流源，即若其基極 電流為 Ib,則其極電極電流即為此 IB 值乘以一個(gè)放大倍數(shù)。而 MOS 屬電壓控制型電流源， 即其允許流過的最大集電極電流是由 GS極的電壓值決定的，相應(yīng)的，三極管做成的 RCC 電路即是通過控制其基極電流來控制最大集電極電流，即原邊峰值電流，來調(diào)節(jié)輸出能量大 小，即調(diào)節(jié)輸出電壓，而 MOS 管是通過調(diào)節(jié) GS 極之間的電壓，來控制其原邊峰值電流。

請(qǐng)看上圖，是一個(gè)典型的用 MOS 管做的 RCC 電路。下面我根據(jù)自己的理解來分析一 下此電路的工作過程。

1．              啟動(dòng)。當(dāng)開啟電源后，高壓通過 RST，經(jīng)過 MOS 的 GS 極，再經(jīng)過 RS，注入 基極電流，因?yàn)?MOS 的 GS 極之間，有結(jié)電容，因此 GS極電壓升高，GS 導(dǎo)通， RS 的上側(cè)會(huì)對(duì)地產(chǎn)生一個(gè)電壓，此電壓通過 RF，給 Q1 基極注入電流。因 MOS 正在導(dǎo)通中，所以 NS2 的同名端感興出一個(gè)正電壓來，這個(gè)電壓通過 RL2，D2， RZCD，CZCD，再到 Q1 極電極，因 RS 給 Q1 已經(jīng)注入基極電流，Q1 導(dǎo)通，

2．   MOS 關(guān)閉，電壓反激， NS2 同名端電壓被拉到 0，即為地電壓，因 RCD 上端 為地電壓，所以此時(shí) Q1 的極電極電壓為負(fù)，便快速的給 MOS 的 GS極的結(jié)電 容放電。加速了 MOS 的關(guān)閉。同時(shí)反激能量通過 NS1，傳給負(fù)載，于是次級(jí)建 立起輸出電壓，次級(jí)控制電路亦開始起作用。

3．   當(dāng)變壓器儲(chǔ)存能量放完后，NS2 兩端電壓消失，CO2 已經(jīng)儲(chǔ)能，其上端會(huì)有一 個(gè)電壓，此電壓通過 NS2 繞組，RZCD，CZCD，Q1 集電極，使得Q1 上電壓 上升，即又給 GS 加上一個(gè)電壓。于是又開始起振。

以上便是 RCC 電路的啟動(dòng)過程，再說一下其穩(wěn)壓過程，在一定的輸入電壓下，一 定的輸出負(fù)載下，其光耦電流應(yīng)該是一個(gè)恒定值，光敏三極管的上端是由電容 CO2 維 持的一個(gè)恒定電壓，此電壓通過光敏三極管，RA，給 Q1 基極注入電流。Q1 的基極電 流，決定了流過其極電極的電流。假如輸入電壓不變，MOS 在導(dǎo)通時(shí)候，RCD 上端（即 NS2 同名端-），此時(shí)此點(diǎn)電壓值為 VIN.NS2/NP+C02,只要輸入電壓值不變,導(dǎo)通時(shí)此點(diǎn)電 壓值即是這么多,不會(huì)變.而Q1 上端的電壓,是由流過 Q1 的電流決定,其電壓等于 RCD 上 端電壓,減去 RL2,RCD,D2,RZCD,CZCD 的壓降,當(dāng)副邊的負(fù)載變輕時(shí)候,流過光耦電流變 大,即注入基極電流變大,極電極電流變大,以上四個(gè)元件的壓降也變大,所以 Q1 是的電壓 變小,于是原邊峰值電流變上,減小能量輸入,達(dá)到電壓穩(wěn)定.

當(dāng)原邊輸入電壓升高的時(shí)候,NS2 同名端電壓升高,此時(shí)若光耦電流不變,則 Q1 的電 壓會(huì)上升,能量會(huì)增加,輸出電壓升高,此時(shí)光耦電流就會(huì)變大,進(jìn)而形成一系列自動(dòng)調(diào)節(jié). 從而調(diào)節(jié)原邊峰值電流,使輸出電壓保持穩(wěn)定.

通過以上分析,我們不難看出 RCC 電路與反激電路的區(qū)別,我歸結(jié)如下.