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技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世通 | | 型號： | SI2308BDS-T1-GE3 | | 批號： | 19+ | | 封裝： | SOT-23 | | 數量： | 12078 | | QQ： | 2355239042 | | 制造商： | Vishay | | 產品種類： | MOSFET | | RoHS： | 是 | | 技術： | Si | | 安裝風格： | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 | | 通道數量： | 1 Channel | | 晶體管極性： | N-Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V | | Id-連續漏極電流： | 2.3 A | | Rds On-漏源導通電阻： | 156 mOhms | | Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V | | Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V | | Qg-柵極電荷： | 6.8 nC | | 最小工作溫度： | - 55 C | | 最大工作溫度： | + 150 C | | Pd-功率耗散： | 1.66 W | | 配置： | Single | | 通道模式： | Enhancement | | 商標名： | TrenchFET | | 封裝： | Cut Tape | | 封裝： | MouseReel | | 封裝： | Reel | | 系列： | SI2 | | 晶體管類型： | 1 N-Channel | | 商標： | Vishay Semiconductors | | 正向跨導 - 最小值： | 5 S | | 下降時間： | 7 ns | | 產品類型： | MOSFET | | 上升時間： | 10 ns | | 工廠包裝數量： | 3000 | | 子類別： | MOSFETs | | 典型關閉延遲時間： | 10 ns | | 典型接通延遲時間： | 4 ns | | 零件號別名： | SI2308BDS-GE3 | | 單位重量： | 8 mg
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si2308bd.pdf
2020-9-24 14:34 上傳
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