壓敏電阻MOV，主要應用于低壓電器浪涌保護，多為氧化鋅壓敏電阻。 它是以氧化鋅為主體，摻雜多種金屬氧化物，采用典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元器件。壓敏電阻具有對稱的伏安特性曲線，流過MOV的電流隨MOV兩端電壓的增大呈指數規律增大。在實際應用過程中時，MOV一般并聯在電路中，當電路正常工作時，它處于高阻狀態，不影響電路正常工作。當電路出現異常瞬時過電壓 并達到其導通電壓（壓敏電壓）時，MOV迅速由高阻狀態變為低阻狀態，泄放由異常瞬時過電壓導致的瞬時過電流，同時把異常瞬態過壓鉗制在一個安全水平之內，從而保護后級電路免遭異常瞬時過電壓的損壞。

MOV具有較高的瞬時脈沖吸收能力，電容量較大，一般應用于AC 交流輸入端防雷保護。由于壓敏電阻的浪涌吸收能力取決于它的物理尺寸，為此可通過制造不同大小的MOV而獲得不同的瞬態浪涌電流值。

• 高浪涌吸收能力，多種浪涌吸收能力：標準、高浪涌、超高浪涌，壓敏電阻的物理尺寸決定其浪涌吸收能力；

• 響應速度快ns級

• 電壓范圍為18V~1800V，電壓精度通常為±10%，滿足低壓到高壓的應用需求；

• 單體通流量可達到幾百安培至幾十千安培

•  一種老化型元器件，在大功率電源端口保護時，常與氣體放電管串聯使用，減緩老化，延長使用壽命；

•  寄生電容大，在高頻信號系統中會引起高頻信號傳輸畸變；

1）壓敏電阻電壓值要大于實際電路中的電壓峰值，即連續施加在壓敏電阻兩端的電源電壓，要小于壓敏電阻規格書中的“最大持續工作電壓值”；

2）壓敏電阻的箝位電壓要小于被保護設備承受的最大電壓；

3）壓敏電阻的標稱放電電流要大于線路中可能出現的最大浪涌電流；

4）對于高頻率傳輸信號的線路，電容要盡量的小；

5）要考慮使用環境，具體要求的浪涌電壓情況；

•  V1mA：壓敏電壓，即壓敏電阻通過1mA電流時，壓敏電阻兩端的電壓；

•  IR：漏電流，一般是在83%的壓敏電壓下測得流過壓敏電阻的電流；

• VAC：規定溫度下可連續施加MOV兩端的交流電壓；

• VDC：規定溫度下可連續施加在MOV兩端的直流電壓；

• IP：某一波形沖擊電流的峰值，MOV一般采用如圖5所示8/20μs電流波形進行測量；

• VC：鉗位電壓，即在沖擊電流IP下MOV兩端的電壓；

• ITM：不引起MOV失效，可單次施加規定波形脈沖的額定最大值；需要注意的是，ITM為破壞性測試，測試過ITM的MOV不建議在電路中使用；

1）壓敏電壓的選擇：在電路保護中，綜合多方面因素，在交流電流中，要選用壓敏電壓為額定電壓2.2~2.5倍的壓敏電阻；在直流電路中，要選用壓敏電壓為直流電壓額定值1.8~2倍的壓敏電阻；

2）通流容量的選擇：原理上是按照最大暫態浪涌電流來選擇，但在實際應用過程中，要適當加大所選壓敏電阻的通流容量。

3）固有寄生電容：壓敏電阻有一個固有電容問題，根據外形尺寸和標稱電壓的不同，其值在數百至數千pF之間，不適合在高頻場合下使用。同時，壓敏電阻的瞬時功率較大，但平均持續功率卻很小，因此，不能讓壓敏電阻長時間處于工作狀態。

為了提高壓敏電阻的可靠性，壓敏電阻一般會配合陶瓷氣體放電管（GDT）或玻璃氣體放電管（SPG）一 起使用，以減緩壓敏電阻的老化。GDT和SPG具有較高的脈沖擊穿電壓和絕緣阻抗（100MΩ以上），在正常使用條件下，GDT 或SPG與壓敏電阻串聯再并聯在被保護線路，這樣壓敏電阻不會因為電網的波動或各種操作過電壓誤動作以引起壓敏電阻的老化。