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SI24R1 與NRF24L01P 兼容：
1. SI2R1 接收電流比01P大0.5mA，實(shí)際系統(tǒng)工作中，芯片絕大部分時(shí)間處于Shutdown和Standby狀態(tài)下。所以，我們總的平均電流比NORDIC的小。
2. SI24R1芯片支持更大功率輸出7dbm，NORDIC只有0dbm.
3.靈敏度：
NORDIC SI24R1
2Mbbs -82dbm -83dbm
1M -85dbm -87dbm
250K -94dbm -96dbm
4. 定位孔左邊第一腳為第一腳，SI24R1與01P的不同
O（定位孔）
SI24R1 主要應(yīng)用：
無線鼠標(biāo)、鍵盤
無線遙控、體感設(shè)備
有源 RFID、NFC
智能電網(wǎng)、智能家居
無線音頻
無線數(shù)據(jù)傳輸模塊
低功耗自組網(wǎng)無線傳感網(wǎng)節(jié)點(diǎn)
2.4G射頻方案SI24R1在設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：
SI24R1是一顆專為低功耗無線通信應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)計(jì)的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2.4G RF芯片。目前主要針對(duì)低功耗的校訊通、2.4G停車場(chǎng)、智能家居、無線音頻等領(lǐng)域。當(dāng)然，這顆芯片進(jìn)入大眾的視野是與友商的NRF24L01P芯片兼容通信。從而被打上了國(guó)產(chǎn)NRF24L01P的標(biāo)簽，更有甚者居然磨掉芯片原本的SI24R1的LOGO打成NRF24L01P，給很多客戶產(chǎn)生了很多不必要的損失。大家定向的理解，國(guó)產(chǎn)的東西總是會(huì)比國(guó)外進(jìn)口的相差到哪里哪里，如此云云。其實(shí)，在很多客戶在使用Si24R1的時(shí)候，通過一定的控制與設(shè)計(jì)，是可以發(fā)揮Si24R1自己獨(dú)特的特性功能的。 不同的芯片設(shè)計(jì)需要不同的射頻布線以及MCU的控制，下面分享幾點(diǎn)SI24R1使用過程中的一些問題以及解決辦法：
1.進(jìn)入低功耗（關(guān)斷）模式后，功耗可能還在1mA左右，正常應(yīng)該在1.5uA左右。 解決辦法：由于芯片采用CMOS工藝，當(dāng)芯片處于關(guān)斷模式時(shí)，芯片的數(shù)字輸入引腳，CE，CSN，SCK,MOSI,必須為低電平，即關(guān)斷模式下，和上述四路輸入引腳相連的MCU的輸出必須為低電平，不能為高阻狀態(tài)或高電平。否則由于輸入端累積電荷，會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部電路不能關(guān)斷，而使得功耗增加。
2.當(dāng)使用Si24R1號(hào)稱7dbm的發(fā)射功率的時(shí)候，距離好像沒有增加太多，而且無線音頻客戶覺得會(huì)有很大的噪聲。
解決辦法：
一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金屬焊盤接地，Si24R1規(guī)格書上也沒要求接地，這是因?yàn)榘l(fā)射功率較低只有0dbm的情況，當(dāng)芯片發(fā)射功率大于0dbm以后，芯片底部的金屬焊盤會(huì)有很多白噪聲耦合到地，而nRF24L01+的參考設(shè)計(jì)金屬PAD下面有走3.3V的電源線，如果使用Si24R1 7dbm的發(fā)射功率，沒有將底部的3.3V走線移除的話，那些噪聲會(huì)干擾到電源，從而會(huì)增加通信的丟包率以及通信距離。有一些網(wǎng)友在網(wǎng)上提出，使用Si24R1替換NRF24L01P電源處需要多加一個(gè)大電容去濾波，這種做法是在一定的設(shè)計(jì)上是可行的，但是還是有一些朋友的問題沒有解決。故，為達(dá)到更好的性能，特別是發(fā)射較大功率時(shí)，建議用戶芯片底部PAD全部接地，將3.3V走線重新布線。
二、無線音頻客戶做到第一點(diǎn)后還無法解決有噪聲的問題，需要考慮這個(gè)噪聲的來源，電源的純凈度，因?yàn)镾I24R1相比對(duì)電源更加敏感一些，用戶可以通過走線順序來改進(jìn)。本來電源的走線順序?yàn)長(zhǎng)DO-MCU-ADC-RF，整個(gè)流程設(shè)計(jì)下來，走線方便也符合流程，但是這樣的設(shè)計(jì)弊端就是整個(gè)MCU與ADC轉(zhuǎn)換（實(shí)際噪聲maker）的噪聲全部串?dāng)_到RF的電源中，從而影響無線通信。故，用戶可以更改電源走線設(shè)計(jì)，LDO出來后分兩路，一路給到RF，一路給到MCU+ADC。
3.用戶一直在使用nRF24L01P，替換成Si24R1后發(fā)現(xiàn)功耗突然大了許多。
解決辦法：對(duì)于已經(jīng)使用nRF24L01+的用戶，通常用戶會(huì)將發(fā)射功率配置在0dbm，而此時(shí)的寄存器配置對(duì)于Si24R1來說，此時(shí)的發(fā)射功率是4dbm，此時(shí)消耗電流為16mA,比0dbm配置消耗的電流要大4-5mA,當(dāng)系統(tǒng)采用紐扣電池供電時(shí)，需要注意這個(gè)問題。如果不需要大的發(fā)射功率請(qǐng)將發(fā)射功率的配置調(diào)整到小功率模式，具體配置，參考芯片手冊(cè)（可配置為100模式，1dbm發(fā)射功率模式）。Si24R1的最大功率是7dbm，需要專門配置寄存器，請(qǐng)參考手冊(cè)。
4.SI24R1對(duì)于電源的要求高，雜散的脈沖可能會(huì)造成接收信號(hào)時(shí)有時(shí)無
解決辦法：在供電部位加一個(gè)大電容 |
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