STM32與GD32兼容問題匯總

ID:490451 · 發(fā)表于 2019-9-25 09:54

GD32 介紹與 STM32 兼容性匯總
一、  GD32 與 STM32 異同
1. 相同點
1)  外圍引腳定義：    相同型號的管腳定義相同
2)  Cortex M3 內(nèi)核： STM32F103內(nèi)核 R1P1版本, STM32F205內(nèi)核  R2P1，
                           GD32內(nèi)核 R2P1版本，此內(nèi)核修復了 R1P1的一些 bug
3)  芯片內(nèi)部寄存器，
外部 IP寄存器地址 : 邏輯地址相同，主要是根據(jù)STM32的寄存器和物理地址,
做的正向研發(fā).
4)  函數(shù)庫文件：       函數(shù)庫相同，優(yōu)化需要更改頭文件
5)  編譯工具：          完全相同    例如：keil MDK、IAR
6)  型號命名方式：       完全相同
2. 外圍硬件區(qū)別
1)  電壓范圍（ADC）： GD32F： 2.6-3.6V       STM32F： 2.0-3.6V（外部電壓）
               GD32F： 1.2V（內(nèi)核電壓）STM32F： 1.8V（內(nèi)核電壓）
2)  BOOT 0 管腳：    Flash 程序運行時，BOOT0 在 STM32 上可懸空，GD32 必須外
部下拉（從 Flash 運行，BOOT0 必須下拉地）
3)  ESD 參數(shù)：    STM32 人體模式 2KV,空氣模式 500V
               GD32 人體模式 4KV(內(nèi)測 5KV),空氣模式 10KV(內(nèi)測 15KV)

3. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)差別
1)  啟動時間：       GD32 啟動時間相同，由于 GD 運行稍快，需要延長上電時間
配置(2ms)
2)  主頻時鐘：       GD32F10 系列主頻 108MHZ    STM32F10 系列主頻 72MHZ
3)  Flash 擦除時間： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page
4)  FLASH 容量：    GD32 最大容量 3M Byte
5)  SRAM 空間：       GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K
6)  VB 外擴總線 FSMC：GD32 100PIN 配置總線輸出，STM32 144PIN 并且 256k 以上
   才配置總線輸出
4. 功耗區(qū)別(以128k以下容量的作為參考)
1)  睡眠模式 Sleep：             GD32F： 12.4mA    STM32F10X：  7.5mA
2)  深度睡眠模式 Deep Sleep：    GD32F： 1.4mA    STM32F10X：  24uA
3)  待機模式 Stand By:          GD32F:  10.5uA    STM32F10X: 3.4uA
4)  運行功耗：                   GD32F:  32.4mA/72M STM32F10X:  52mA/72M

5. 內(nèi)部FLASH 區(qū)別
1)  ISP：          擦寫時間同 STM32 有差異，使用新版 ISP 軟件
2)  IAP：          擦寫時間相同，按字寫入，按頁擦除
3)  存儲壽命：    10 萬次擦寫，數(shù)據(jù)保存 20 年以上
4)  加密特性：    除了常規(guī)的禁止讀出和96 位 ID號碼加密之外，GD32 數(shù)據(jù)寫入
Flash 時，具有存儲邏輯地址連續(xù)，物理地址不連續(xù)的特性。
二、  GD32 介紹與兼容性詳析