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存儲器概念：
1. 程序存儲器： 一般程序存儲器一般采用只讀存儲器，因?yàn)檫@種存儲器在電源關(guān)閉后，仍能保存程序（此特性成為非遺失性），在系統(tǒng)上電后CPU可去除這些指令重新執(zhí)行。 只讀存儲器簡稱ROM，ROM中的信息一旦寫入，就不能隨意更改，特別是不能在程序運(yùn)行過程中寫入新的內(nèi)容，故稱為只讀存儲器。 向ROM存儲器中寫入信息稱為ROM編程，根據(jù)編程的方式不同，可分為以下幾種： （1） 掩模ROM：掩模ROM是在制造過程中編程。因?yàn)榫幊淌且匝谀９に噷?shí)現(xiàn)的，因此稱為掩模ROM。這種芯片存儲結(jié)構(gòu)簡單，集成度高，但由于掩模工藝成本高，因此只適用于大批量生產(chǎn)。 （2） 可編程ROM（PROM）：PROM（可編程只讀存儲器）芯片出廠時(shí)并沒有任何程序信息，由用戶獨(dú)立的編程寫入。但PROM只能寫入一次，吸入內(nèi)容后，就不能再修改。 （3） EPROM：EPROM使用電信號編程，用紫外線擦除的只讀存儲器芯片。在芯片外殼的中間位置有一個(gè)圓形窗口，通過該窗口照射紫外線就可擦除原有的信息，使用編程器可將調(diào)試完畢的程序?qū)懭搿?/div> （4） E2PROM（EEPROM）：E2PROM這是一種用電信號編程，也用電信號擦除的ROM芯片，對E2PROM的讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什么差別，只是寫入的速度慢一些，但掉電后仍能保存信息。 （5） Flash ROM：FlashROM又稱為閃速存儲器（簡稱閃存），F(xiàn)lashROM是在EPROM，E2PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種電擦除型只讀存儲器。其特點(diǎn)是可快速在線修改其存儲單元中的數(shù)據(jù)，改寫次數(shù)可達(dá)1萬多次，其讀寫速度很快，存取時(shí)間可達(dá)70ns，而成本卻比E2PROM低得多，所以現(xiàn)如今大多數(shù)單片機(jī)上應(yīng)有的這種程序存儲器。
例：STC89C52 RC單片機(jī)芯片： 工作頻率范圍：0～40MHz，相當(dāng)于普通8051 的0～80MHz，實(shí)際工作 頻率可達(dá)48MHz 1. 程序存儲器又分為片內(nèi)和片外兩部分。STC89C52 RC單片機(jī)片內(nèi)程序存儲器為8KB的Flash存儲器（Flash ROM），編程和擦除完全是電氣實(shí)現(xiàn)，且速度快。 當(dāng)片內(nèi)8K的Flash的存儲器不夠用時(shí)，用戶可在片外擴(kuò)展程序存儲器，最多64KB，但STC89C52RC單片機(jī)芯片只有片內(nèi)的8K Flash并沒有片外擴(kuò)展。 2. 數(shù)據(jù)存儲器也分為片內(nèi)和片外，. 片上（片內(nèi)）集成512 字節(jié)RAM 51單片機(jī)的C語言中有個(gè)需要關(guān)注的概念就是變量或數(shù)據(jù)的存儲模式（PC機(jī)是否有類似的情況我不了解）。在C51中的存儲模式是data、bdata、idata、pdata、xdata、code共6種： data、bdata、idata：就是說變量或數(shù)據(jù)位于單片機(jī)的內(nèi)部RAM中（ST89C52有256字節(jié)），訪問速度最快。 pdata、xdata：就是說變量或數(shù)據(jù)位于擴(kuò)展的外部RAM（其實(shí)是相對來說的，還是片內(nèi)RAM中）中（ST89C52內(nèi)集成了256字節(jié)），相對內(nèi)部RAM訪問速度要慢。 3. 當(dāng)片內(nèi)RAM中不夠用時(shí)，又給用戶提供了在片外可擴(kuò)展至64KB RAM功能。 4. E2PROM :2KB
2. 數(shù)據(jù)存儲器： RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。 DRAM（Dynamic RAM）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。 因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。 SRAM的速率高、性能好，它主要有如下應(yīng)用： 1）CPU與主存之間的高速緩存。 2）CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存。 SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。 對于SSRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時(shí)鐘信號相關(guān)。這一點(diǎn)與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。 SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。 2017.3.13
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