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SDRAM read and write
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2.1.1 SDRAM 的控制時序
SDRAM 需要正確的上電邏輯和模式設置來進入期望的工作模式。訪問特定的邏輯單元必須先激活相應的存儲塊，并鎖定對應的行列地址。另外，必須有定時的刷新邏輯保持數(shù)據(jù)不丟失，SDRAM 有多種操作模式，由引腳 CS＃、RAS＃、CAS＃、WE＃和地址信號的不同狀態(tài)來決定，SDRAM控制器必須為 SDRAM 提供滿足時序要求的這些控制信號，以準確地控制 SDRAM的各種不同操作。
2.1.2 SDRAM 初始化和模式設置
SDRAM 的所有電源引腳必須同時加電，并且所有輸入和電源引腳上電電壓不得超過標稱值 0.3V。加電完成后應等待 100us 之后再對所有 BANK 進行預充電，等待期間要求 CKE 保持高電平。 預充電之后要執(zhí)行兩個自動刷新命令，之后發(fā)出模式設置命令以初始化模式寄存器。由于在上電后模式寄存器的狀態(tài)是不確定的，所以在進行 SDRAM操作之前一定要先設置模式寄存器。 模式設置命令使用地址線 A10~A0 作為模式數(shù)據(jù)輸入線。其中 A2~A0 作為 Burst 長度，A3 為 Burst 類型，A6~A4 為 CAS 延遲。A8~A7 為操作模式，A9 為寫 Burst 模式。模式寄存器的設置值必須與器件的延遲參數(shù)以及讀寫操作的控制時序一致。模式寄存器的設置值如下表所示。
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