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PCB常用封裝說明 2009-04-04 12:26 電阻 AXIAL 無極性電容 RB- 電位器 DIODE 三極管78和TO－TO-126V 場效應管 D－37 D－CON SIP 雙列直插元件 XTAL1 電阻：RES2，RES4；封裝屬性為 無極性電容：RAD-0.1到electroi;封裝屬性為rb.5/1.0 電位器：vr-1到 封裝屬性為diode-0.7(大功率） 常見的封裝屬性為to-22(大功率三極管） 頓管） 78和78系列如7812， 79系列有7912， 常見的封裝屬性有to126v 整流橋：D系列（D-37， 電阻：0.4-0.7指電阻的長度，一般用RAD0.1-RAD0.3。 其中RAD0.1 電解電容：.1/.2-.4/.8指電容大小。一般RB.1/.2,100uF-470uF用RB.3/.6 二極管： 0.4-0.7指二極管長短，一般用RB.1/.2 集成塊： 8－8腳的就是 0603表示的是封裝尺寸 與具體阻值沒有關系 但封裝尺寸與功率有關 通常來說 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 電容電阻外形尺寸與封裝的對應關系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 關于零件封裝我們在前面說過，除了LIB庫中的元件外，其它庫的元件都已經有了 固定的元件封裝，這是因為這個庫中的元件都有多種形式：以晶體管為例說明一下： 晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。NPN與PNP之分，但 實際上，如果它是NPN的TO—3，如果它是2N3054，則有 可能是鐵殼的TO-66或CS9013，有TO-92B，還有TO-46，TO-5 2等等，千變萬化。 還有一個就是電阻，在DEVICE庫中，它也是簡單地把它們稱為RES2，不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣，對電路板而言，它與歐姆數根本不相關，完全是按該電阻的功率數來決 定的我們選用的1/4W和甚至AXIAL0.3元件封裝，而功率數大一點的話 ，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現將常用的元件封裝整理如下： 電阻類及無極性雙端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 無極性電容 RAD0.1-RAD0.4 有極性電容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二極管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶體振蕩器 XTAL1 晶體管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可變電阻（POT1、VR1-VR5 當然，我們也可以打開C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib庫來查找所用零件的對應封 裝。 這些常用的元件封裝，大家最好能把它背下來，這些元件封裝，大家可以把它拆分成兩部分 來記如電阻AXIAL0.3可拆成0.3，0.3則是該電阻在印 刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因為在電機領域里，是以英制單位為主的。同樣 的，對于無極性的電容，RAD0.1-RAD0.4也是一樣；對有極性的電容如電解電容，其封裝為R B.2/.4，“.2”為焊盤間距，“.4”為電容圓筒的外徑。 對于晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO—3，中功率的晶體管 ，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-5 ，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長，彎一下也可以。 對于常用的集成IC電路，有DIP8就是雙排，每排有4個引 腳，兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是SIPxx就是單排的封裝。等等。 值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳 可不一定一樣。例如，對于TO-92B之類的包裝，通常是E（發射極），而2腳有可能是 B極（基極），也可能是3腳有可能是B，具體是那個 ，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱（管腳名稱），同樣的 ，場效應管，MOS管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用于三個引腳的元件。 Q1-B，在PCB里，加載這種網絡表的時候，就會找不到節點（對不上）。 在可變電阻上也同樣會出現類似的問題；在原理圖中，可變電阻的管腳分別為1、2， 所產生的網絡表，就是1、W，在1，3。當電路中有這兩種元 件時，就要修改PCB與SCH之間的差異最快的方法是在產生網絡表后，直接在網絡表中，將晶 體管管腳改為1，3；將可變電阻的改成與電路板元件外形一樣的2，3即可。 大的來說,元件有插裝和貼裝. 01． 02． 03． 04． 05． 06． 07． 08． 09．J形線封裝 SOP 小外形外殼封裝 TQFP 扁平簿片方形封裝 TSOP 微型簿片式封裝 CBGA 陶瓷焊球陣列封裝 CPGA 陶瓷針柵陣列封裝 CQFP 陶瓷四邊引線扁平 CERDIP 陶瓷熔封雙列 PBGA 塑料焊球陣列封裝 SSOP 窄間距小外型塑封 WLCSP 晶圓片級芯片規模封裝 FCOB 板上倒裝片 .因此不同的元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻，有傳統的針插式，這種元件體積較大，電路板必須鉆孔才能安置元件，完成鉆孔后，插入元件，再過錫爐或噴錫（也可手焊），成本較高，較新的設計都是采用體積小的表面貼片式元件（SMD元件放上，即可焊接在電路板上了。 CDIP-----Ceramic Dual In-Line Package CLCC-----Ceramic Leaded Chip Carrier CQFP-----Ceramic Quad Flat Pack DIP-----Dual In-Line Package LQFP-----Low-Profile Quad Flat Pack MAPBGA------Mold Array Process Ball Grid Array PBGA-----Plastic Ball Grid Array PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier PQFP-----Plastic Quad Flat Pack QFP-----Quad Flat Pack SDIP-----Shrink Dual In-Line Package SOIC-----Small Outline Integrated Package SSOP-----Shrink Small Outline Package DIP-----Dual In-Line Package-----雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。IC，存貯器 PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier-----PLCC封裝方式，外形呈正方形，DIP封裝小得多。SMT表面安裝技術在 PQFP-----Plastic Quad Flat Package-----PQFP封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數一般都在 SOP-----Small Outline Package------1968～SOP）。以后逐漸派生出J型引腳小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SOP）、SOP）及SOIC（小外形集成電路）等。 常見的封裝材料有：塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現在基本采用塑料封裝。 按封裝形式分：普通雙列直插式，普通單列直插式，小型雙列扁平，小型四列扁平，圓形金屬，體積較大的厚膜電路等。 按封裝體積大小排列分：最大為厚膜電路，其次分別為雙列直插式，單列直插式，金屬封裝、雙列扁平、四列扁平為最小。 兩引腳之間的間距分：普通標準型塑料封裝，雙列、單列直插式一般多為2.54±0.25 mm，其次有1.778±0.25mm（多見于縮型雙列直插式）、1.27±0.25mm(多見于單列附散熱片或單列)、)、)、0.15mm(多見于四列扁平封裝0.65±0.03mm(多見于四列扁平封裝)。 雙列直插式兩列引腳之間的寬度分：一般有7.4～10.16mm、15.24mm等數種。 雙列扁平封裝兩列之間的寬度分（包括引線長度：一般有6～7.6mm、10.65mm等。 四列扁平封裝40引腳以上的長10×10mm(不計引線長度13.6×13.6±0.4mm(包括引線長度20.6×20.6±0.4mm(包括引線長度8.45×8.45±0.5mm(不計引線長度14×14±0.15mm（不計引線長度）等。 引腳插入式封裝(PWB)中，再由浸錫法進行波峰焊接，以實現電路連接和機械固定。由于引腳直徑和間距都不能太細，故印刷電路板上的通孔直徑，間距乃至布線都不能太細，而且它只用到印刷電路板的一面，從而難以實現高密度封裝。它又可分為引腳在一端的封裝(Double ended)禾口弓9矩正封裝 引腳在一端的封裝(Single In-line Package)。 (Double ended)又可分為雙列直插式封裝， 雙列直插式封裝Dual In-line Package)。它是70年代的封裝形式，首先是陶瓷多層板作載體的封裝問世，后來Fairchild開發出塑料封裝。絕大多數中小規模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過DIP封裝的芯片有兩排引腳，分布于兩側，且成直線平行布置，引腳直徑和間距為54 mm(100 mil)，需要插入到具有(1)適合在印刷電路板(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大；PWB上通孔直徑、間距以及布線間距都不能太細，故此種PKG難以實現高密度封裝，且每年都在衰退。 .：DIP并無實質上的區別，只是引腳呈2．Z形雙列直插式封裝ZIP外形一樣，只是用陶瓷材料封裝。 (SKDIP：DIP相同，但引腳中心距為778 mm(70 mil)小于54mm)，引腳數一般不超過 引腳矩正封裝DIP的基礎上，為適應高速度，多引腳化)而出現的。此封裝的引腳不是單排或雙排，而是在整個平面呈矩正排布，如圖DIP相比，在不增加引腳間距的情況下，可以按近似平方的關系提高引腳數。根據引腳數目的多少，可以圍成5圈，其引腳的間距為54 mm，引腳數量從幾十到幾百個。(1)插拔操作更方便，可靠性高；(3)如采用導熱性良好的陶瓷基板，還可適應高速度．大功率器件要求；(5)如用陶瓷基板，價格又相對較高，因此多用于較為特殊的用途。它又分為陳列引腳型和表面貼裝型兩種。 有機管引腳矩正式封裝OPGA封裝拉近了外部電容和處理器內核的距離，可以更好地改善內核供電和過濾電流雜波。 (SOP) 表面貼片封裝PCB電路板設計的難度，同時它也大大降低了其本身的尺寸。我們需要將引腳插片封裝的集成電路插入PCB中根據集成電路的引腳尺寸PCB板的一面，同時在PCB上以形成電路的連接，所以這就消耗了PCB板而言，需要在設計時在每一層將需要專孔的地方騰出。而表面貼片封裝的集成電路只須將它放置在PCB電路板設計的難度。表面貼片封裝的主要優點是降低其本身的尺寸，從而加大了：IC的密集度。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。表面貼片封裝根據引腳所處的位置可分為：)、)、)、)、)及其它。 )：此封裝型式的特點是引腳全部在一邊，而且引腳的數量通常比較少，如圖(Therinal-enhanced)，象常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片；(現有的用)，再經過顰料包封而成，它的特點是輕而且很薄，所以當前被廣泛用在液晶顯示器LCD分辨率增加的需要。其缺點是Film的價格很貴，其二是貼片機的價格也很貴。 Dual(引腳在兩邊3所示。此封裝型式的特點是引腳全部在兩邊，而且引腳的數量不算多。它的封裝型式比較多，義可細分為：SOP(Small Outline Package)、SS()P(Shrink Small 0utline Package)、HSOP(Heat-sink Small Outline Package)及其它。 SOT系列主要有SOT-223、SOT-26、SOT-89等。當電子產品尺寸不斷縮小時，其內部使用的半導體器件也必須變小。所以更小的半導體器件使得電子產品能夠更小、更輕、更便攜，相同尺寸包含的功能更多。對于半導體器件，其價值最好的體現在：PCB上更緊湊地布局。PCB占用空間。如MP3等等。 (SOP：70年代就開發出小尺寸貼片封裝SOJ(J型引腳小外形封裝TSOP(薄小外形封裝VSOP(甚小外形封裝SS()P(縮小型TSSOP(薄的縮小型SOT(小外形晶體管SOIC(小外形集成電路SOP典型引線間距是27 mm，引腳數在幾十之內。 (TSOP：20世紀TSOP封裝，它與1 mm，是1／SDRAM內存芯片都是采用此封裝方式。I／TSOP封裝方式中，內存顆粒是通過芯片引腳焊在PCB板的接觸面積較小，使得芯片向TSOP封裝方式的內存在超過 表面貼片 球型矩正封裝Ball Grid Array)，見圖(CitiZell)公司于BGA的行列。其后摩托羅拉率先將球型矩正封裝應用于移動電話，同年康柏公司也在工作站、個人計算機上加以應用，接著CPU中開始使用QFP不放而對BGA應用領域的擴展，對BGA封裝經過十幾年的發展已經進入實用化階段，目前BGA已成為最熱門封裝。 隨著集成電路技術的發展，對其封裝要求越來越嚴格。這是因為封裝關系到產品的性能，當100 MHz時，傳統封裝方式可能會產生所謂的交調噪聲IC的管腳數大于QFP封裝方式外，現今大多數的高腳數芯片皆轉而使用BGA一出現便成為BGA封裝的器件絕大多數用于手機、網絡及通訊設備、數碼相機、微機、筆記本計算機、 BGA封裝的優點有：QFP，加上它有與電路圖形的自動對準功能，從而提高了組裝成品率；(3)封裝本體厚度比普通1／3／(4)寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高； BGA封裝的不足之處：QFP、BGA封裝的翹曲問題是其主要缺陷，即錫球的共面性問題。共面性的標準是為了減小翹曲，提高 BGA封裝按基板所用材料可分有機材料基板CBGA(CeramicB-GA)和基板為帶狀軟質的FCBGA(FilpChipBGA)和中央有方型低陷的芯片區的PBGA基板：一般為4層有機材料構成的多層板，CPU中，III、CBGA基板是陶瓷基板，芯片與基板問的電氣連接通常采用倒裝芯片FCBGA；CPU中，II、TBGA基板為帶狀軟質的2層 小型球型矩正封裝BGA封裝的區別在于它減少了芯片的面積，可以看成是超小型的BGA封裝比卻有三大進步：(2)囚為芯片與基板連接的路徑更短，減小了電磁干擾的噪音，能適合更高的工作頻率； 微型球型矩正封裝BGA的改進版，封裝本體呈正方形，占用面積更小、連接短、電氣性能好、也不易受干擾，所以這種封裝會帶來更好的散熱及超頻性能，尤其適合工作于高頻狀態下的Direct RDRAM，但制造成本極高
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