PMOS開關(guān)電路不能完全關(guān)斷？

ID:74777 · 發(fā)表于 2018-11-13 15:22

使用單片機(jī)控制一個(gè)MOS管（小功率MOS管：SI2301）開關(guān)電路，在I/O口為高電平時(shí)，+3.3VB處為+3.3V，在I/O口電壓為低電平時(shí)，MOS管不能完全斷開，測(cè)試+3.3VB處電壓為+2.6V。

ID:213173 · 發(fā)表于 2018-11-13 17:43

ID:277550 · 發(fā)表于 2018-11-13 18:23

R5兩端電壓是多少

~~~~~~~~~

ID:74777 · 發(fā)表于 2018-11-14 11:09

devcang 發(fā)表于 2018-11-13 18:23
R5兩端電壓是多少

~~~~~~~~~

R5兩端的電壓為0

ID:74777 · 發(fā)表于 2018-11-14 11:09

wulin 發(fā)表于 2018-11-13 17:43

這個(gè)也不行，沒什么改善

ID:213173 · 發(fā)表于 2018-11-14 12:59

本帖最后由 wulin 于 2018-11-14 14:03 編輯

九零后大將發(fā)表于 2018-11-14 11:09
這個(gè)也不行，沒什么改善

你把Q1的G極對(duì)地短接看Q1是否能完全導(dǎo)通，再把+3.3VA與Q1的G極直接連接看是否能完全截止，否則就是Q1有問題或電路中有其他通路。

ID:74777 · 發(fā)表于 2018-11-14 13:55

wulin 發(fā)表于 2018-11-14 12:59
你把Q1的G極對(duì)地短接看Q1是否能完全導(dǎo)通，否則就是Q1的低壓驅(qū)動(dòng)特性不能滿足設(shè)計(jì)要求。我最低用4.5V驅(qū)動(dòng)P ...

G極對(duì)地可以完全導(dǎo)通，測(cè)量電壓是3.3V。

ID:96682 · 發(fā)表于 2018-11-14 16:38

要想電氣上完全處于關(guān)斷狀態(tài)，就得用繼電器/接觸器這類的器件

ID:283954 · 發(fā)表于 2018-11-14 17:25

Q:測(cè)試+3.3VB處電壓為+2.6V

所謂關(guān)斷還是會(huì)有微小漏電的，因此3.3VB處如果沒有任何負(fù)載，就量出+2.6V，試試接上一點(diǎn)負(fù)載，就會(huì)量出零伏特啦。

ID:213173 · 發(fā)表于 2018-11-14 18:05

九零后大將發(fā)表于 2018-11-14 13:55
G極對(duì)地可以完全導(dǎo)通，測(cè)量電壓是3.3V。

還有一種情況，Q1的D極懸空無負(fù)載，導(dǎo)通時(shí)測(cè)量到3.3V也未必代表完全導(dǎo)通，截止時(shí)也同樣可以測(cè)量到電壓，讀數(shù)值取決于測(cè)量工具的內(nèi)阻。

ID:401564 · 發(fā)表于 2018-11-14 20:04

跟100歐沒有關(guān)系,量的時(shí)候輸出最好接個(gè)K級(jí)別的負(fù)載,你應(yīng)該是沒有認(rèn)真的看數(shù)據(jù)手冊(cè),注意DS兩個(gè)引腳,你對(duì)著我這個(gè)線路焊,應(yīng)該是可以的

ID:283954 · 發(fā)表于 2018-11-14 21:09

根據(jù)我的想像，用單片機(jī)來控制Pmos是不必用任何電阻或任何晶體管的，MOS本身是個(gè)電壓控制元件，不是電流控制的元件，因此把PMOS 的G直接接到任何單片機(jī)的接口，只要輸出是高電位就截止，低電位就導(dǎo)通，不會(huì)有電流流進(jìn)G，所以無需電阻限流，我也剛畫了一個(gè)底板就是用這樣的辦法開關(guān)6402PMOS的，但還未實(shí)驗(yàn)，誰若有時(shí)間實(shí)驗(yàn)一下看對(duì)不對(duì)。

ID:96682 · 發(fā)表于 2018-11-15 12:43

dalaoshi 發(fā)表于 2018-11-14 21:09
根據(jù)我的想像，用單片機(jī)來控制Pmos是不必用任何電阻或任何晶體管的，MOS本身是個(gè)電壓控制元件，不是電流控 ...

記得前輩講過：搞這行業(yè)的不怕無知的和老司機(jī)，就怕一知半解的

想象這事能解決就好辦了

ID:401564 · 發(fā)表于 2018-11-15 20:33

dalaoshi 發(fā)表于 2018-11-14 21:09
根據(jù)我的想像，用單片機(jī)來控制Pmos是不必用任何電阻或任何晶體管的，MOS本身是個(gè)電壓控制元件，不是電流控 ...

事情是這樣子的:理論上來說是你說的那樣,MOS是不用什么電流來驅(qū)動(dòng)的
但實(shí)際上,只有在開和關(guān)這樣的狀態(tài)下不用電流,上幾十KHZ開關(guān)頻率的話,它就像一個(gè)三極管一樣了,電流越大的管子越就要電流驅(qū)動(dòng),當(dāng)頻率到100KHZ的時(shí)候,MOS如果是串聯(lián)了一個(gè)1K電阻和不串聯(lián)電阻,MOS輸出的電流是完全不一樣的.
因?yàn)橛薪Y(jié)電容的存在,你隨便找一個(gè)DC_DC電路,只要是用到MOS管的,都是電流驅(qū)動(dòng)的
你也知道MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的,所以,很多時(shí)候它是比較容易壞的,加個(gè)限流電阻要相對(duì)安全很多
特別是PMOS管,輸出接的是容性或者感性負(fù)載的時(shí)候,如果是單片機(jī)先斷電,電壓會(huì)加在單片機(jī)的IO上,有的單片機(jī)是這樣子的:單片機(jī)沒有上電的時(shí)候,你是不能給IO加電壓,輸出會(huì)擊穿的
以上不是我想象的,是我遇見過的問題
PMOS型號(hào)是AO3401,單片機(jī)是:PCM131S,工作頻率是:152KHZ,這樣,就有了上面的問題了

ID:358930 · 發(fā)表于 2018-11-15 21:19

九零后大將發(fā)表于 2018-11-14 11:09
R5兩端的電壓為0

MOS管控制腳下拉個(gè)大點(diǎn)K的電阻不知是否可行，相信沒有單片機(jī)這電路也會(huì)有2.6V.還有某些地方要加電容。

ID:283954 · 發(fā)表于 2018-11-15 21:46

又長(zhǎng)知識(shí)了，我只考慮用PMOS來作為個(gè)別模塊的電源開關(guān)來達(dá)到省電的目的，確實(shí)是個(gè)好東西，導(dǎo)通時(shí)電阻很小，又不必用到電阻占用地方，若是以后有你所說的用來作高頻率開關(guān)，那你的經(jīng)驗(yàn)就必須參考了，另外我還認(rèn)為可以用NMOS 2n7002來代替那個(gè)NPN管，節(jié)省電流。

ID:155507 · 發(fā)表于 2018-11-15 22:02

從理論上說，MOS管的輸入電阻很大，所以這個(gè)電阻絕不是為了提升輸入電阻或者限流作用。
在低頻條件下，這個(gè)電阻有點(diǎn)安慰性質(zhì)，不接也罷。
但在高頻時(shí)，情況就變了，MOSFET的輸入阻抗將降低，而且在某個(gè)頻率范圍內(nèi)將變成負(fù)阻，會(huì)發(fā)生振蕩。
為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減小集電極的電壓尖峰,應(yīng)在柵極串上合適的電阻 Rg .當(dāng) Rg 增大時(shí),導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng),損耗發(fā)熱加劇; Rg 減小時(shí), di/dt 增高,可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通,使器件損壞.應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取 Rg 的數(shù)值.通常在幾歐至幾十歐之間 ( 在具體應(yīng)用中,還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整 ) .另外為防止門極開路或門極損壞時(shí)主電路加電損壞器件,建議在柵源間加入一電阻 Rge ,阻值為 10 k Ω左右.
這個(gè)Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一欄后面可以見到。
你可以直接使用這個(gè)數(shù)據(jù)。

ID:95022 · 發(fā)表于 2018-11-16 00:50

Ｇ極接下接１０Ｋ電阻，你接反了

ID:515926 · 發(fā)表于 2019-9-18 10:52

2018年用SI2301搭了2個(gè)類型相似的電路，剛開始工作還行，今年也發(fā)現(xiàn)Pmos不能完全關(guān)閉的現(xiàn)象，而且流通的電流越來越大了。

ID:149286 · 發(fā)表于 2019-9-18 11:45

ID:364249 · 發(fā)表于 2020-2-12 23:15

Y_G_G 發(fā)表于 2018-11-15 20:33
事情是這樣子的:理論上來說是你說的那樣,MOS是不用什么電流來驅(qū)動(dòng)的
但實(shí)際上,只有在開和關(guān)這樣的狀態(tài)下 ...

你好，你說的是PMOS管的柵極串聯(lián)電阻嗎？如果評(píng)率不高的話需要串聯(lián)多大的電阻，1K這樣子可以嗎？

ID:252935 · 發(fā)表于 2020-2-13 08:55

關(guān)斷時(shí)，漏極輸出的2.6V一直存在嗎？？
還是持續(xù)一段時(shí)間后掉下去？？

ID:679425 · 發(fā)表于 2020-2-13 11:42

mos管并一個(gè)二極管試下

ID:461486 · 發(fā)表于 2020-2-13 15:27

R2和R5阻值太大。

ID:403593 · 發(fā)表于 2020-2-13 18:08

qin339599454 發(fā)表于 2019-9-18 11:45

請(qǐng)問一下，這兩個(gè)4148在這里是什么作用？

ID:672205 · 發(fā)表于 2020-2-16 09:52

神奇的R5.

ID:385830 · 發(fā)表于 2020-5-2 12:36

這一生只為你發(fā)表于 2020-2-13 18:08
請(qǐng)問一下，這兩個(gè)4148在這里是什么作用？

隔離，隔離二極管兩側(cè)的電壓。

ID:881988 · 發(fā)表于 2022-1-11 16:59

你好我的也是，PMOS，G低電平導(dǎo)通，正常輸出3.3v，高電平截止，但是D還是有2.6V；什么原因呢

ID:881988 · 發(fā)表于 2022-1-20 17:51

mrluguan 發(fā)表于 2022-1-11 16:59
你好我的也是，PMOS，G低電平導(dǎo)通，正常輸出3.3v，高電平截止，但是D還是有2.6V；什么原因呢

已解決，是芯片的IO和器件接了，然后IO狀態(tài)不確定可能拉高或拉低導(dǎo)致形成回路；把負(fù)載和主控芯片io相接的拉低以至于負(fù)載完全無電壓；

ID:491875 · 發(fā)表于 2022-1-20 19:25

是不是MOS管D,S極接錯(cuò)了？如果PMOS管的管腳接錯(cuò)有可能內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通出現(xiàn)你描述的情況

ID:1042039 · 發(fā)表于 2022-8-13 23:18

要看看你板子的SOT23的腳位對(duì)不對(duì)

ID:796531 · 發(fā)表于 2022-8-14 12:16

你這個(gè)是吧D S接反了出現(xiàn)的情況，因?yàn)镾I2301 DS間有個(gè)體二極管，所以無法關(guān)斷，出現(xiàn)2.6v電壓

ID:1034262 · 發(fā)表于 2022-8-14 15:33

輸出對(duì)地接1K電阻試試。如果你用數(shù)字萬用表測(cè)量，2.6V/10M=0.26uA，這個(gè)漏電流很正常的。

ID:1034948 · 發(fā)表于 2022-8-15 10:12

是MOS管接反了，就會(huì)有一個(gè)二極管的壓降剛好是2.6V。

ID:470118 · 發(fā)表于 2022-8-15 14:42

問題是搞好了嗎

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PMOS開關(guān)電路不能完全關(guān)斷？

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