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ID:415264 · 發表于 2018-10-31 15:41

一、晶體管基礎雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 IC 。在共發射極晶體管電路中，發射結在基極電路中正向偏置，其電壓降很小。絕大部分的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果晶體管的共發射極電流放大系數β= IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在 500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，實現了雙極晶體管的電流放大作用。

金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取不同數值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 VDS 下也將產生不同的 IDS , 實現柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。

二、晶體管的命名方法

晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。

按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。

按極性分，三極管有 PNP 和 NPN 兩種，而二極管有 P 型和 N 型之分。多數國產管用 xxx 表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位 3 代表三極管，2 代表二極管。第二位代表材料和極性。A 代表 PNP 型鍺材料；B 代表 NPN 型鍺材料；C 為 PNP型硅材料；D 為 NPN 型硅材料。第三位表示用途，其中 X 代表低頻小功率管；D 代表低頻大功率管；G 代表高頻小功率管；A 代表高頻大功率管。最后面的數字是產品的序號，序號不同，各種指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對于二極管來說，第三位的 P 代表檢波管；W 代表穩壓管；Z 代表整流管。上面舉的例子，具體來說就是 PNP 型鍺材料低頻小功率管。對于進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。常用的進口管有韓國的 90xx、80xx 系列，歐洲的 2Sx 系列，在該系列中，第三位含義同國產管的第三位基本相同。

二、常用中小功率三極管參數表

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