*ESP8266 電壓電流需求?
ESP8266 的數字部分的電壓范圍是 1.8V ~ 3.3V,模擬部分的工作電壓是 3.0V ~ 3.6V,最低 2.7V。
模擬電源峰值 350 mA,數字電源峰值 200 mA。
注意:選擇的 SPI Flash 工作電壓也需要與 GPIO 的電壓匹配。CHIP_EN 還是工作在 3.0 - 3.6V,使用1.8V GPIO 控制時需要注意電平轉換。
*設計 ESP8266 的供電時,需要注意哪些問題?
請注意如下幾點:1.如果是使用 LDO 變壓,請確保輸入電壓和輸出電壓要足夠大。2.電源軌去耦電容器必須接近 ESP8266 擺放,等效電阻要足夠低。3.ESP8266 不能直連 5V 電壓。4.如果是通過 DC-DC 給 ESP8266 供電,必要時要加上 LC 濾波電路。
*ESP8266 上電時電流很大,是什么原因?
ESP8266 的 RF 和數字電路具有極高的集成度。上電后,RF 自校準會需要大電流。模擬部分電路最大的極限電路可能達到 500 mA;數字電路部分最大電流 達到 200 mA。一般的操作,平均電流在 100 mA 左右。因此,ESP8266 需要供電能達到 500 mA,能夠保證不會有瞬間壓降。
*可以使用鋰電池或者 2 節 AA 紐扣電池直接給 ESP8266 供電嗎?
2 節 AA 紐扣電池可以給 ESP8266 供電。鋰電池放電時壓降比較大,不適合直接給 ESP8266 供電。ESP8266 的 RF 電路會受溫度及電壓浮動影響。不推薦不加任何校準的電源直接給 ESP8266 供電。推薦使用 DC-DC 或者 LDO 給 ESP8266 供電。
*ESP8266 的 RAM 的使用結構是怎么的?
ESP8266 的 RAM 總共 160 KB。
IRAM 空間為 64 KB: 前 32 KB 用作 IRAM,用來存放沒有加 ICACHE_FLASH_ATTR 的代碼,即 .text 段,會通過 ROM code 或二級 boot 從 SPI Flash 中的 BIN 中加載到 IRAM。 后 32 KB 被映射作為 iCache,放在 SPI Flash 中的,加了 ICACHE_FLASH_ATTR 的代碼會被從 SPI Flash 自動動態加載到 iCache。
DRAM 空間為 96 KB: 對于 Non-OS_SDK,前 80 KB 用來存放 .data/.bss/.rodata/heap,heap 區的大小取決于 .data/.bss/.rodata 的大小;還有 16 KB 給 ROM code 使用。 對于 RTOS_SDK,96 KB 用來存放 .data/.bss/.rodata/heap,heap 區的大小取決于 .data/.bss/.rodata 的大小。