日常更新7！
單片機IO口的結構：
這里為了嚴謹，T1、T2是MOS管而非三極管，但功能和用法與三極管完全一樣：T1為PNP型，T2為NPN型。三極管與MOS管的不同之處在于三極管靠電流導通，而MOS管靠電壓導通。
準雙向IO： 內部輸出1經反向后為0，不導通，IO與上拉電阻相連，為高電平。 內部輸出0經反向后為1，單通。IO導通到GND，為低電平。
開漏輸出： 比如單片機的P0口，沒有內部的上拉電阻，這時候要想正常的使用IO控制，就必須在外部加上拉電阻。如果不接，那么IO將處于不確定狀態。
強推挽輸出： 上拉電阻很小，或者直接沒有上拉電阻，有著很強的輸出輸入電流的能力。 內部輸出1，經反向為0，T1導通，IO為高電平； 內部輸出0，經反向為 1，T1不導通，T2導通，接地，IO為低電平。
高阻態： 電平狀態雖它后面接的東西而定，一般處于懸空狀態，理論上電阻值無窮大。
如何設置IO口的狀態： 可通過設置PXM1：PXM0的值：
PXM1：PXM0
0 0 準雙向口（傳統IO）
0 1 推挽輸出（強上拉 ，電流可達20mA,盡量少用）
1 0 僅為輸入（高阻）
1 1 開漏，如傳統8051的P0口
例：C語言中直接賦值
P1M0 = 0xC0;
P1M1 = 0xA0;//P1.7開漏，P1.6高阻，P1.5強推挽輸出，其他準雙向IO口 上下拉電阻： - 上拉電阻就是將不確定的信號通過一個電阻拉到高電平，同時此電阻起到一個限流的作用，下拉就是下拉到低電平。
- 1、OC門要輸出高電平，外部必須加上拉電阻。
- 2、加大普通IO口的驅動能力。
- 3、起到限流的作用。
- 4、抵抗電磁干擾。
上下拉電阻的選取原則： - 1、從降低功耗方面考慮應該足夠大，因為電阻越大，電流越小。
- 2、從確保足夠的引腳驅動能力考慮應該足夠小，電阻越小，電流才能越大。
- 3、開漏輸出時，過大的上拉電阻會導致信號上升沿變緩。
過大的上拉電阻會導致信號變緩。
完整的Word格式文檔51黑下載地址： | 
