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GD32F205RCT6是基于Cortex M3內(nèi)核32bit(位)通用型MUC產(chǎn)品，主頻為120MHz, 片內(nèi)閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內(nèi)核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平，內(nèi)嵌實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC) 和2個(gè)看門狗(WDG)， 集成了豐富的外設(shè)功能，這款單片機(jī)GD32F205RCT6面向工業(yè)和消費(fèi)類嵌入式應(yīng)用，適用于工業(yè)自動(dòng)化、人機(jī)界面、電機(jī)控制、安防監(jiān)控、智能家居家電及物聯(lián)網(wǎng)等,
單片機(jī)GD32F205RCT6內(nèi)置SRAM為128KB的內(nèi)存，但在面對(duì)實(shí)際上的應(yīng)用設(shè)計(jì)中，如果出現(xiàn)單片機(jī)內(nèi)置SRAM內(nèi)存不夠的情況，大部分設(shè)計(jì)人員會(huì)考慮外擴(kuò)SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在讀寫限制的問(wèn)題，確實(shí)是考慮外擴(kuò)內(nèi)存的首選，但如果采用并口外擴(kuò)內(nèi)存需要較多的MCU管腳，給MCU無(wú)形中帶來(lái)了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持， 如果采用串行SRAM作為單片機(jī)外擴(kuò)的資源，相對(duì)來(lái)說(shuō)更好，串行SRAM只需要八個(gè)管腳，SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積，
GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的，并且有三個(gè)SPI，可以通過(guò)用SPI接口外擴(kuò)串行SRAM對(duì)單片機(jī)進(jìn)行內(nèi)存的拓展。串行SRAM其實(shí)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一種偽靜態(tài)SRAM，也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議（無(wú)需刷新，無(wú)需DRAM控制器）、具有DRAM單管存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，比SRAM容量大很多，價(jià)格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機(jī)內(nèi)存的一種解決方案。
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