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STM32超強個人學(xué)習(xí)筆記,超詳細單片機學(xué)習(xí)匯總資料

[復(fù)制鏈接]
ID:389403 發(fā)表于 2018-8-23 20:19 | 顯示全部樓層 |閱讀模式

1、 SYSCLK時鐘源有三個來源:HSI RC、HSE OSC、PLL
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2、 MCO[2:0]可以提供4源不同的時鐘同步信號,PA8
3、 GPIO口貌似有兩個反向串聯(lián)的二極管用作鉗位二極管。
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4、 ICode總線,DCode總線、系統(tǒng)總線、DMA總線、總線矩陣、AHB/APB橋
5、在使用一個外設(shè)之前,必須設(shè)置寄存器RCC_AHBENR來打開該外設(shè)的時鐘
6、 STM32復(fù)位有三種:系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位、備份區(qū)域復(fù)位。其中系統(tǒng)復(fù)位除了RCC_CSR中的復(fù)位標志和BKP中的數(shù)值不復(fù)位之外,其他的所有寄存器全部復(fù)位。
觸發(fā)方式例如外部復(fù)位、看門狗復(fù)位、軟件復(fù)位等;電源復(fù)位由于外部電源的上電/掉電復(fù)位或者待機模式返回。
復(fù)位除了BKP中的寄存器值不動,其他全部復(fù)位;備份區(qū)域復(fù)位的觸發(fā)源為軟件復(fù)位或者VDD和VBAT全部掉電時。
7、 (NestedVectored Interrupt Controller)NVIC嵌套向量中斷控制器,分為兩種:搶先式優(yōu)先級(可嵌套)和中斷優(yōu)先級(副優(yōu)先級,不能嵌套)。
兩種優(yōu)先級由4位二進制位決定。分配下來有十六種情況:
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8、自動裝載寄存器和影子寄存器:前者相當于51當中的溢出設(shè)定數(shù)值。而影子寄存器顧名思義是影子,就是寄存器的另一分copy。
實際起作用的是影子寄存器,而程序員操縱的則是自動裝載寄存器。如果APPE位使能,表明自動裝載寄存器的值在下一次更新事件發(fā)生后才寫入新值。
否則,寫入自動裝載寄存器的值會被立即更新到影子寄存器。
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9、
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10、ARM公司只生產(chǎn)內(nèi)核標準,不生產(chǎn)芯片。ST、TI這樣的公司從ARM公司那里購買內(nèi)核,然后外加自己的總線結(jié)構(gòu)、外設(shè)、存儲器、始終和復(fù)位、I/O后就組成了自己的芯片。
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11、電容觸摸屏原理:通過充放電的曲線不同來檢測是否被按下。 實際的實驗過程中,TPAD可以用一塊覆銅區(qū)域來替代,通過電容的充放電常數(shù)來確定是否按下。
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12、OLED,即有機發(fā)光二極管,又稱為有機電激光顯示。下圖為OLED的GRAM與屏幕的對應(yīng)表
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PAGE2單獨列出來:
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13、USART可以操縱SPI設(shè)備。不過最大頻率只有4.5MHz
14、使用I/O口時應(yīng)該注意的問題
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15、ADC的Vref+和Vdda與VSS,Vref-一定要加高質(zhì)量的濾波電容,切靠近單片機。
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1、在STM32內(nèi)部,F(xiàn)SMC的一端通過內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex-M3,另一端則是面向擴展存儲器的外部總線。

內(nèi)核對外部存儲器的訪問信號發(fā)送到AHB總線后,經(jīng)過FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲器通信規(guī)約的信號,送到外部存儲器的相應(yīng)引腳,實現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲器之間的數(shù)據(jù)交互。
2、FSMC中的DATASET和ADDSET的設(shè)置需要參看外部存儲器的時序圖來確定。
一般而言,DATASET指的是數(shù)據(jù)建立時間,也就是讀/寫信號開始到讀/寫信號停止(上升沿存儲數(shù)據(jù))的持續(xù)時間。(一般來說寫比讀快!)。
而ADDSET指的是地址建立時間,指的是片選之后到讀/寫操作之前的時間,這是針對SRAM來說的,如果操縱的是TFT,不存在地址線,所以此時的ADDSET就是讀/寫信號結(jié)束到RS電平的轉(zhuǎn)換時間。
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3、
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4、
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5、FSMC的三個配置寄存器:FSMC_BCRx(片選控制配置)、FSMC_BTRx(片選時序)、FSMC_BWTRx(片選寫時序)。
6、RTC時鐘配置必須要用到BKP寄存器,BKP寄存器在單片機復(fù)位、電源復(fù)位、待機喚醒模式下是不會更改值的,他的供電由VDD供電,VDD被切斷后自動切換至外部的VBAT供電。
7、要修改BKP寄存器的值,必須取消其寫保護的標志。BKP寄存器在上電時自動寫保護。
8、Stm32有三種省電模式:
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三種省電模式中,耗電量從上到下依次降低,待機模式的電流僅為2uA。
9、從待機模式中喚醒單片機等效于讓單片機復(fù)位,但是電源寄存器的值會有一個標志位指示單片機是被喚醒的,不是被復(fù)位的。
10、ADC的時鐘不要超過14MHz,否則轉(zhuǎn)換精度會下降。最大轉(zhuǎn)換速率為1MHz,即轉(zhuǎn)換周期為1us(14MHz,采樣周期為1.5個ADC時鐘)
11、Tcovn=采樣時間+12.5個周期。采樣時間盡量選長一點,這樣精度高一些,但是轉(zhuǎn)換速率下降,這也是有利必有弊。
12、
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13、拿ARM7TDMI來說,T代表Thumb指令集,D是說支持JTAG調(diào)試(Debugging),M意指快速乘法器,I則對應(yīng)一個嵌入式ICE模塊。
14、MMU作為嵌入式處理器與應(yīng)用處理器的分水嶺標志à具有內(nèi)存管理單元的嵌入式處理器可以定位為應(yīng)用處理器。
這么說M系列和A系列的處理器的區(qū)別在于A系列的處理器具有MMU單元可以進行內(nèi)存模塊的管理。
15、ARM處理器有兩種狀態(tài):ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)。
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16、這張圖說明了一切:Thumb2指令集做了一件很偉大的事情:將16位和32位的指令集融為一體,兼容性非常強!(這么說CM3不支持某些32位ARM指令集??)
17、
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18、MSP是系統(tǒng)復(fù)位后使用的堆棧指針,PSP由用戶的代碼使用。兩個堆棧指針為4字節(jié)對齊!!
19、在ARM編程領(lǐng)域中,凡是打斷程序運行的事件,統(tǒng)稱為異常(exception)。
20、因為存在LR(鏈接寄存器),所以可支持1級的子程序調(diào)用而不用壓棧到內(nèi)存,大大提高了運行速度。---à這就是說,我們在編程的時候,一級調(diào)用是不會耗費太多時間的,除非是二級調(diào)用!
(未完待續(xù))

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ID:103433 發(fā)表于 2018-8-26 12:47 | 顯示全部樓層
謝謝分享,總結(jié)的好
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ID:390714 發(fā)表于 2018-8-28 13:41 | 顯示全部樓層
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ID:86450 發(fā)表于 2018-9-3 16:43 | 顯示全部樓層
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ID:254752 發(fā)表于 2018-9-3 19:36 | 顯示全部樓層
謝謝分享,寫得很詳細!!
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ID:267330 發(fā)表于 2018-10-11 14:23 | 顯示全部樓層
謝謝分享,總結(jié)的好
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ID:64765 發(fā)表于 2019-4-29 13:22 | 顯示全部樓層
學(xué)習(xí)了,謝謝分享。
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