|
|
對GaN的Application部分進行了翻譯，供大家參考
GaN系統(tǒng)增強型HEMT沒有內(nèi)在的二極管而且反向恢復(fù)損耗很小，這些設(shè)備能夠自然進行反向傳導(dǎo)，而且根據(jù)門極電壓展現(xiàn)出不同的特點。對于GaN系統(tǒng)晶體管來說，反平行二極管是不需要的，因為IGBT可以實現(xiàn)反向?qū)щ娦阅堋?br />
通路狀態(tài)：GaN系統(tǒng)增強型HEMT在通路狀態(tài)下反向傳導(dǎo)特性和硅MOSFET 相似，I-V曲線關(guān)于原點對稱，它顯示了一個通道電阻RDS(on),類似于正向傳導(dǎo)操作。
斷開狀態(tài)：因為GaN沒有內(nèi)部二極管，斷開狀態(tài)下的反向特性和硅MOSFET不同。在相反方向上，當(dāng)柵極電壓相對于漏極超過柵極閾值電壓時，器件開始傳導(dǎo)。這時該裝置具有通道電阻，可作為有著略高VF且沒有反向恢復(fù)損耗的“體二極管”。
如果在斷開狀態(tài)下使用負柵電壓，則源漏電壓必須比VGS(th)+VGS(off)較高，才能打開設(shè)備。因此，負柵電壓將增加反向電壓降，從而增加反向傳導(dǎo)損耗。
阻塞電壓
阻塞電壓等級BVDS是由漏電流定義的。不可恢復(fù)擊穿電壓大約比額定阻塞電壓高30%。一般來說，最大的漏極電壓應(yīng)該與硅mosfet類似的方式去降級。所有的GaN E-HEMT不會發(fā)生雪崩，因此不會有雪崩擊穿等級。絕對最大漏源電壓為100V，不隨負柵電壓變化。
包裝與出售
包裝材料是高溫環(huán)氧基PCB材料，與FR4相似，但溫度較高。這使得我們的設(shè)備指定到150°C。 該裝置能處理至少3個回流循環(huán)。
建議在IPC/JEDEC J-STD-020 REV .1(2008年3月)中使用reflow配置文件。
無鉛的基本溫度組件：
預(yù)熱/浸泡：60-120，最低溫度=150°C 最高溫=200°C
回流:增加率最大3°C /秒。峰值溫度為260°C和時間在5°C的峰值溫度是30秒。
冷卻:緩降率最大6°C /秒。
使用“非清潔”焊錫膏并在高溫下操作，可能會導(dǎo)致“非清潔”磁通殘差的重新激活，可能會產(chǎn)生不需要的傳導(dǎo)路徑。所以，當(dāng)產(chǎn)品運行溫度大于100°C時，建議也清洗“非清潔”粘貼殘留物。
全部資料51hei下載地址：
GS66502B DS Rev 171101.pdf
(1.06 MB, 下載次數(shù): 7)
2018-8-10 20:38 上傳
點擊文件名下載附件
源文檔 下載積分: 黑幣 -5
GaN（翻譯）.docx
(12.46 KB, 下載次數(shù): 7)
2018-8-10 20:36 上傳
點擊文件名下載附件
翻譯 下載積分: 黑幣 -5
|
|
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
淘帖
頂
踩
