PN結(jié)是半導(dǎo)體中最基礎(chǔ)的單元,采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?br />
一塊單晶半導(dǎo)體中 ,一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導(dǎo)體,另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導(dǎo)體時 ,P 型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面附近的過渡區(qū)稱。PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種。用同一種半導(dǎo)體材料制成的 PN 結(jié)叫同質(zhì)結(jié) ,由禁帶寬度不同的兩種半導(dǎo)體材料制成的PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。制造PN結(jié)的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。制造異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長法。
P型半導(dǎo)體:由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成,會在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的空穴;
N型半導(dǎo)體:由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成,會在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負電的自由電子。
在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質(zhì)。在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質(zhì)(離子)是固定不動的 。N 型半導(dǎo)體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時,在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴散,電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴散。空穴和電子相遇而復(fù)合,載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區(qū) 。P 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負離子 ,N 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產(chǎn)生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡。
在PN結(jié)上外加一電壓 ,如果P型一邊接正極 ,N型一邊接負極,電流便從P型一邊流向N型一邊,空穴和電子都向界面運動,使空間電荷區(qū)變窄,電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極,P型一邊接負極,則空穴和電子都向遠離界面的方向運動,使空間電荷區(qū)變寬,電流不能流過。這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?br />
PN結(jié)加反向電壓時 ,空間電荷區(qū)變寬 , 區(qū)中電場增強。反向電壓增大到一定程度時,反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流,則電流會大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構(gòu)有兩種,即隧道擊穿和雪崩擊穿。 PN結(jié)加反向電壓時,空間電荷區(qū)中的正負電荷構(gòu)成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫䴓O管、檢波二極管和開關(guān)二極管,利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管;利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻䴓O管。
量子隧穿現(xiàn)象 隧穿效應(yīng),是指在兩片金屬間夾有極薄的絕緣層(厚度大約為1nm(10-6mm),如氧化薄膜),當(dāng)兩端施加勢能形成勢壘V時,導(dǎo)體中有動能E的部分微粒子在E<V的條件下,可以從絕緣層一側(cè)通過勢壘V而達到另一側(cè)的物理現(xiàn)象。這個現(xiàn)象在NAND flash中有廣泛的應(yīng)用。
NAND flash的擦除和寫入的機制
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圖1 上圖是一個NAND 單元,其中可以看到中間標(biāo)注有電子符號的一塊黃色區(qū)域就是 NAND flash掉電之后保存電子的地方。通過對于gate極(-8V標(biāo)注的黃色區(qū)域)和下面的P 極(pocket p-well)施加不同的電壓,從而讓電子以隧穿的方式在P極和中間黃色區(qū)域挪動。
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圖2 圖3 圖2 是NAND flash 擦除的方式,圖3是NAND flash 寫入的方式。
從上面可以看到整個NAND flash的擦除和寫入的原理。
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