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FDC2x1x抗電磁干擾的28位，12位電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器，用于接近性和抗干擾性液位傳感應(yīng)用
1特點(diǎn)
•抗電磁干擾建筑
•最大輸出速率（一個(gè)活動(dòng)通道）：
- 13.3ksps（FDC2112，F(xiàn)DC2114）
- 4.08ksps（FDC2212，F(xiàn)DC2214）
•最大輸入電容：250 nF（10 kHz，1 mH電感）
•傳感器激勵(lì)頻率：10 kHz至10 MHz
•頻道數(shù)量：2，4
•分辨率：最多28位
•系統(tǒng)本底噪聲：100 sps 0.3 fF
•電源電壓：2.7 V至3.6 V
•功耗：有效：2.1毫安
•低功耗睡眠模式：35 uA
•關(guān)機(jī)：200 nA
•接口：I 2 C
•溫度范圍：-40°C至+ 125°C
2應(yīng)用程序
•接近傳感器
•手勢(shì)識(shí)別
•液體的液位傳感器，包括導(dǎo)電性液體，如清潔劑，肥皂和墨水
• 避免碰撞
•雨，霧，冰，雪傳感器
•汽車門和踢式傳感器
•材料尺寸檢測(cè)
3說明
電容式感應(yīng)是一種低功耗，低成本，
高分辨率非接觸式感應(yīng)技術(shù)，可以
適用于各種不同的應(yīng)用
接近檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別到遠(yuǎn)程
液位傳感。電容式傳感器
傳感系統(tǒng)是任何金屬或?qū)w，允許
用于低成本和高度靈活的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
限制電容式靈敏度的主要挑戰(zhàn)
傳感應(yīng)用是噪聲敏感性的
傳感器。采用FDC2x1x創(chuàng)新的抗EMI技術(shù)
架構(gòu)，甚至可以保持性能
高噪音環(huán)境的存在。
FDC2x1x是一個(gè)多聲道噪聲系列
抗電磁干擾，高分辨率，高速
電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器來實(shí)現(xiàn)
電容傳感解決方案這些設(shè)備使用一個(gè)
創(chuàng)新的基于窄帶的架構(gòu)提供
在提供時(shí)高度拒絕噪聲和干擾
高分辨率。這些設(shè)備支持a
寬激勵(lì)頻率范圍，提供靈活性
系統(tǒng)設(shè)計(jì)。尤其是寬頻率范圍
這對(duì)于導(dǎo)電液體的可靠感測(cè)是有用的
作為洗滌劑，肥皂和墨水。
5描述，繼續(xù)
FDC221x針對(duì)高分辨率（高達(dá)28位）進(jìn)行了優(yōu)化，而FDC211x則提供了快速采樣率，高達(dá)
13.3ksps，便于實(shí)現(xiàn)使用快速移動(dòng)目標(biāo)的應(yīng)用程序。 250 nF的非常大的最大輸入電容允許使用遠(yuǎn)程傳感器，以及跟蹤隨著時(shí)間，溫度和濕度的環(huán)境變化。
FDC2x1x系列針對(duì)任何類型液體的接近傳感和液位傳感應(yīng)用。 對(duì)于存在諸如人手等干擾的非導(dǎo)電液位傳感應(yīng)用，推薦使用集成有源屏蔽驅(qū)動(dòng)器的FDC1004。
（2）裸露的芯片連接焊盤（DAP）和器件的GND引腳之間存在內(nèi)部電氣連接。 盡管DAP可以懸空，但為了獲得最佳性能，DAP應(yīng)連接到與器件GND引腳相同的電位。 不要將DAP用作設(shè)備的主要接地。 器件的GND引腳必須始終接地。
（1）超出絕對(duì)最大額定值列出的值可能會(huì)導(dǎo)致器件永久性損壞。 這些僅是壓力額定值，并不意味著器件在這些或任何其他超出建議的操作條件下所述的條件下的功能操作。 暴露于絕對(duì)最大額定條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。
（1）JEDEC文件JEP155指出，500V HBM允許使用標(biāo)準(zhǔn)ESD控制過程進(jìn)行安全制造。 （2）JEDEC文件JEP157指出，250V CDM允許采用標(biāo)準(zhǔn)ESD控制過程進(jìn)行安全制造。
除非另有規(guī)定，否則TA = 25°C，VDD = 3.3 V時(shí)的所有限制均得到保證 （1）有關(guān)傳統(tǒng)和新型熱量指標(biāo)的更多信息，請(qǐng)參閱半導(dǎo)體和IC封裝熱指標(biāo)應(yīng)用
報(bào)告，SPRA953。
8.5電氣特性
除非另有規(guī)定，否則保證TA = 25°C，VDD = 3.3 V（1） （1）電氣特性值僅適用于所示溫度下的工廠測(cè)試條件。工廠測(cè)試條件導(dǎo)致
器件的自發(fā)熱非常有限，因此TJ = TA。在TJ> TA的內(nèi)部自熱條件下，電氣表中不能保證參數(shù)性能。絕對(duì)最大額定值表示結(jié)溫限制，超過該限制，器件可能會(huì)永久降級(jí)，無論是機(jī)械還是電氣。
（2）寄存器值表示為二進(jìn)制（b是數(shù)字的前綴）或十六進(jìn)制（0x是數(shù)字的前綴）。十進(jìn)制值沒有前綴。
（3）在25°C下通過測(cè)試，設(shè)計(jì)或統(tǒng)計(jì)分析確保極限。通過使用統(tǒng)計(jì)質(zhì)量控制（SQC）方法的相關(guān)性來確保工作溫度范圍的限制。
（4）典型值表示在表征時(shí)確定的最可能的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)際的典型值可能隨時(shí)間而變化，也取決于應(yīng)用和配置。典型值未經(jīng)測(cè)試，在運(yùn)輸生產(chǎn)材料時(shí)無法保證。
（5）I2C讀/寫通信和通過SCL的上拉電阻電流，不包括SDA。
（6）傳感器電容：1層，20.9 x 13.9 mm，Bourns CMH322522-180KL傳感器電感，L =18μH和33pF 1％COG / NP0目標(biāo)：接地鋁板（176 x 123 mm），通道=通道0（連續(xù)模式）CLKIN = 40 MHz，CHx_FIN_SEL = b10，CHx_FREF_DIVIDER = b00 0000 0001 CH0_RCOUNT = 0xFFFF，SETTLECOUNT_CH0 = 0x0100，DRIVE_CURRENT_CH0 = 0x7800。
（7）可以使用較低的VSENSORMIN振蕩幅度，但會(huì)導(dǎo)致較低的SNR。
電氣特性（續(xù)）
除非另有規(guī)定，否則保證TA = 25°C，VDD = 3.3 V（1） 8.6時(shí)序要求 8.7開關(guān)特性 - I2C
除非另有規(guī)定，否則TA = 25°C，VDD = 3.3 V時(shí)的所有限制均得到保證 8.8典型特征
常見的測(cè)試條件（除非另有規(guī)定）：傳感器電容器：1層，20.9 X13.9毫米，商Bourns CMH322522-180KL傳感器電感器與L = 18μH和33 pF的1％COG / NP0目標(biāo)：接地的鋁板（176×123毫米） ，Channel = Channel 0（連續(xù)模式）CLKIN = 40 MHz，CHx_FIN_SEL = b01，CHx_FREF_DIVIDER = b00 0000 0001 CH0_RCOUNT = 0xFFFF，SETTLECOUNT_CH0 = 0x0100，DRIVE_CURRENT_CH0 = 0x7800。 典型特征（續(xù)）
常見測(cè)試條件（除非另有說明）：傳感器電容：1層，20.9 x 13.9 mm，Bourns CMH322522-180KL
傳感器電感L = 18μH和33 pF 1％COG / NP0目標(biāo)：接地鋁板（176 x 123 mm），通道=
通道0（連續(xù)模式）CLKIN = 40 MHz，CHx_FIN_SEL = b01，CHx_FREF_DIVIDER = b00 0000 0001
CH0_RCOUNT = 0xFFFF，SETTLECOUNT_CH0 = 0x0100，DRIVE_CURRENT_CH0 = 0x7800。
9詳細(xì)描述
9.1概述
FDC2112，F(xiàn)DC2114，F(xiàn)DC2212和FDC2214是高分辨率，多通道電容至數(shù)字
用于實(shí)現(xiàn)電容式傳感解決方案。 與傳統(tǒng)的開關(guān)電容相反
架構(gòu)中，F(xiàn)DC2112，F(xiàn)DC2114，F(xiàn)DC2212和FDC2214采用L-C諧振器，也稱為L(zhǎng)-C
坦克，作為傳感器。 窄帶架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)前所未有的抗電磁干擾能力，并大大降低噪聲
與其他電容式傳感解決方案相比較。
使用這種方法，可以觀察到L-C罐的電容變化，因?yàn)橹C振的變化
頻率。 使用這個(gè)原理，F(xiàn)DC是一個(gè)電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器（FDC），可以測(cè)量振蕩
LC諧振器的頻率。 該設(shè)備輸出一個(gè)與頻率成正比的數(shù)字值。 這個(gè)頻率
測(cè)量可以轉(zhuǎn)換為等效電容
9.2功能框圖
FDC由前端諧振電路驅(qū)動(dòng)器組成，后面跟著一個(gè)多路復(fù)用器，它依次通過
主動(dòng)通道，將它們連接到測(cè)量和數(shù)字化傳感器頻率的核心（f SENSOR）。該
內(nèi)核使用參考頻率（f REF）來測(cè)量傳感器頻率。 f REF來源于內(nèi)部
參考時(shí)鐘（振蕩器）或外部提供的時(shí)鐘。 每個(gè)通道的數(shù)字化輸出是成比例的
與f SENSOR / f REF的比率。 I2C接口用于支持設(shè)備配置和傳輸數(shù)字化
頻率值給主處理器。 可以使用SD將FDC置于關(guān)閉模式，節(jié)省電流
銷。 INTB引腳可以配置為通知主機(jī)系統(tǒng)狀態(tài)的變化。
9.3功能描述
9.3.1時(shí)鐘架構(gòu)
圖12顯示了FDC的時(shí)鐘分
頻器和多路復(fù)用器。
在圖12中，關(guān)鍵時(shí)鐘是f IN，f REF和f CLK。 f CLK從內(nèi)部時(shí)鐘源或外部選擇
時(shí)鐘源（CLKIN）。 頻率測(cè)量參考時(shí)鐘f REF來自f CLK源。 它是
建議精密應(yīng)用使用提供穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性的外部主時(shí)鐘
應(yīng)用程序所需的要求。 內(nèi)部振蕩器可用于需要低成本的應(yīng)用
并且不需要高精度。 f INx時(shí)鐘源自通道x的傳感器頻率f SENSORx。 f REFx
并且f INx必須滿足表1中列出的要求，具體取決于f CLK（主時(shí)鐘）是內(nèi)部還是外部
外部時(shí)鐘。 表1.時(shí)鐘配置要求
（1）、通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214。 （2）有關(guān)差分和單端傳感器配置的信息，請(qǐng)參閱傳感器配置。 表2顯示了所有通道的時(shí)鐘配置寄存器。  表2.時(shí)鐘配置寄存器
（1）通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214 9.3.2多通道和單通道操作 FDC的多通道封裝使用戶可以節(jié)省電路板空間并支持靈活的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。例如，溫度漂移通常會(huì)導(dǎo)致元件值發(fā)生偏移，導(dǎo)致諧振發(fā)生偏移傳感器的頻率。 使用第二個(gè)傳感器作為參考提供了取消a的功能溫度偏移。 當(dāng)在多通道模式下工作時(shí)，F(xiàn)DC會(huì)依序?qū)τ行ǖ肋M(jìn)行采樣。 在單通道模式下，F(xiàn)DC采樣單通道，這是可選的。 表3顯示了寄存器和用于配置多通道或單通道模式的值。 表3.單通道和多通道配置寄存器
每個(gè)通道的數(shù)字化傳感器測(cè)量值（DATAx）代表傳感器頻率與測(cè)量值的比值參考頻率。 FDC2112和FDC2114的數(shù)據(jù)輸出（DATAx）表示為16位結(jié)果的12個(gè)MSB：
（1）
FDC2212和FDC2214的數(shù)據(jù)輸出（DATAx）表示為：
（2）
表4說明了包含每個(gè)通道的固定點(diǎn)采樣值的寄存器。 表4.示例數(shù)據(jù)寄存器
- 通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214。
- 首先必須先讀取DATA_CHx.DATAx寄存器，然后再讀取同一通道的DATA_LSB_ CHx.DATAx寄存器確保數(shù)據(jù)一致性。
（3）FDC2212 / FDC2214的0x0000000 =低量程的DATA值。
（4）FDC2212 / FDC2214的數(shù)據(jù)值為0xFFFFFFF =超出范圍。 表4.示例數(shù)據(jù)寄存器（續(xù)）
當(dāng)FDC在多通道模式下通過通道時(shí)，每個(gè)通道的停留時(shí)間間隔是三個(gè)部分的總和：
1.傳感器激活時(shí)間
2.轉(zhuǎn)換時(shí)間
3.頻道切換延遲 如圖所示，傳感器激活時(shí)間是傳感器振蕩穩(wěn)定所需的穩(wěn)定時(shí)間量見圖13.建立等待時(shí)間是可編程的，應(yīng)該設(shè)置為足夠長(zhǎng)的時(shí)間以允許穩(wěn)定的振蕩。 通道x的建立等待時(shí)間由下式給出：  （3）
表5說明了用于配置每個(gè)通道的建立時(shí)間的寄存器和值。
表5.建立時(shí)間寄存器配置
- 通道2和3僅在FDC2114和FDC2214中可用。
（2）f REFx是為通道配置的參考頻率。 任何通道x的SETTLECOUNT必須滿足： CHx_SETTLECOUNT> V pk×f REFx×C×π2 /（32×IDRIVE X） 哪里 •V pk =在編程的IDRIVE設(shè)置下的峰值振幅
•REFx =通道x的參考頻率
•C =傳感器電容，包括寄生PCB電容
•IDRIVE X =設(shè)置在IDRIVE寄存器中的設(shè)置，單位為安培 將結(jié)果舍入到下一個(gè)最高整數(shù)（例如，如果等式4推薦最小值為6.08，將寄存器編程為7或更高）。轉(zhuǎn)換時(shí)間表示用于測(cè)量傳感器頻率的參考時(shí)鐘周期數(shù)。它由通道的CHx_RCOUNT寄存器設(shè)置。 任何通道x的轉(zhuǎn)換時(shí)間為： t Cx = (CHx_RCOUNT ˣ 16 + 4) /f REFx （4） 必須選擇引用計(jì)數(shù)值以支持所需的有效位數(shù)（ENOB）。 對(duì)于例如，如果需要13位的ENOB，則最小轉(zhuǎn)換時(shí)間為2 13 = 8192個(gè)時(shí)鐘周期需要。 8192個(gè)時(shí)鐘周期對(duì)應(yīng)于CH0_RCOUNT值0x0200。  表6.轉(zhuǎn)換時(shí)間配置寄存器，通道0 -3（1） （1）通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214。 （1）通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214。 轉(zhuǎn)換結(jié)束和傳感器激活開始之間的典型通道切換延遲時(shí)間隨后的頻道是： Channel Switch Delay = 692 ns + 5 / f ref (6) FDC的確定性轉(zhuǎn)換時(shí)間允許以固定間隔輪詢數(shù)據(jù)。 例如，如果編程的RCOUNT設(shè)置為512 F REF周期，SETTLECOUNT為128 F REF周期，然后進(jìn)行一次轉(zhuǎn)換需要1.8ms（傳感器激活時(shí)間）+ 3.2ms（轉(zhuǎn)換時(shí)間）+ 0.75ms（通道切換延遲）= 16.75ms每個(gè)渠道。 如果通過設(shè)置AUTOSCAN_EN = 1和，將FDC配置為雙通道操作RR_SEQUENCE = 00，然后每個(gè)數(shù)據(jù)寄存器都有一整套轉(zhuǎn)換結(jié)果33.5ms。 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒標(biāo)志（DRDY）也可用于中斷驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)（請(qǐng)參見STATUS寄存器
注冊(cè)地圖中的描述）。 9.3.2.1增益和偏移（僅限FDC2112，F(xiàn)DC2114） FDC2112和FDC2114具有內(nèi)部16位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，但標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換輸出字寬只有12位; 因此，數(shù)據(jù)寄存器中只有16位可用。 默認(rèn)情況下，增益功能是禁用，DATA寄存器包含16位字的12個(gè)MSB。 但是，可以移動(dòng)數(shù)據(jù)輸出高達(dá)4位。 圖15顯示了每個(gè)可能的報(bào)告的16位樣本的片段增益設(shè)定。
對(duì)于傳感器信號(hào)變化小于滿量程范圍的25％的系統(tǒng)，F(xiàn)DC可以報(bào)告通過設(shè)置輸出增益來實(shí)現(xiàn)更高分辨率的轉(zhuǎn)換結(jié)果。 輸出增益適用于所有設(shè)備通道。 輸出增益可用于對(duì)所有通道的輸出代碼應(yīng)用2位，3位或4位移位，允許訪問原始16位結(jié)果的4個(gè)LSB。 樣本的MSB在增益增加時(shí)移出應(yīng)用。 如果任何活動(dòng)通道的MSB正在切換，則不要使用輸出增益作為該通道的MSB在應(yīng)用增益時(shí)會(huì)丟失。
示例：如果通道的轉(zhuǎn)換結(jié)果為0x07A3，且OUTPUT_GAIN = 0x0，則報(bào)告的輸出代碼為
0x07A。 如果OUTPUT_GAIN在相同條件下設(shè)置為0x3，則報(bào)告的輸出代碼為0x7A3。該原始的4個(gè)MSB（0x0）不再可訪問。 表7.輸出增益寄存器（僅限FDC2112和FDC2114）
可以從每個(gè)DATA值中減去偏移值以補(bǔ)償頻率偏移或使其最大化樣本數(shù)據(jù)的動(dòng)態(tài)范圍。 偏移值應(yīng)該<f SENSORx_MIN / f REFx。 否則，偏移可能如此之大，以至于掩蓋了正在發(fā)生變化的LSB。 表8.頻率偏移寄存器
- 通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2214。
差動(dòng)傳感器配置的傳感器電容C SENSE可以通過下式確定：
哪里 •C =并聯(lián)傳感器電容（見圖55） （7）  FDC2112和FDC2114傳感器頻率f SENSORx可由下式確定：
哪里 •DATAx = DATA_CHx寄存器的轉(zhuǎn)換結(jié)果
•CHx_OFFSET = OFFSET_CHx寄存器中設(shè)置的偏移值
•OUTPUT_GAIN = RESET_DEVICE.OUTPUT_GAIN寄存器中設(shè)置的輸出乘法因（8） FDC2212和FDC2214傳感器頻率f SENSORx可由下式確定：
哪里 •DATAx = DATA_CHx寄存器的轉(zhuǎn)換結(jié)果 （8） 9.3.3當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器控制寄存器 表9中列出的寄存器用于控制傳感器驅(qū)動(dòng)電流。 在列出的建議應(yīng)該遵循表格的最后一列。 表9.當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器控制寄存器
應(yīng)該對(duì)CHx_IDRIVE字段進(jìn)行編程，使傳感器的振幅在1.2Vpk之間（V SENSORMIN）和1.8Vpk（V SENSORMAX）。 IDRIVE值為00000對(duì)應(yīng)于16μA，IDRIVE = b11111對(duì)應(yīng)于1563μA。 可以啟用高傳感器電流驅(qū)動(dòng)模式，在通道0上驅(qū)動(dòng)> 1.5mA的傳感器線圈，僅限單個(gè)傳感器線圈頻道模式。 當(dāng)傳感器的最小推薦振蕩幅度為1.2V時(shí)，可以使用此功能用最高的IDRIVE設(shè)置無法實(shí)現(xiàn)。 將HIGH_CURRENT_DRV寄存器位設(shè)置為b1以啟用這種模式。 9.3.4器件狀態(tài)寄存器 表10中列出的寄存器可用于讀取設(shè)備狀態(tài)。  表10.狀態(tài)寄存器
- 通道2和3僅適用于FDC2114和FDC2114。
請(qǐng)參見寄存器映射部分中的STATUS和STATUS_CONFIG寄存器說明。 這些寄存器可以
被配置為在INTB引腳上觸發(fā)某些事件的中斷。 必須滿足以下條件：
1.必須通過啟用相應(yīng)的寄存器位來取消屏蔽錯(cuò)誤或狀態(tài)寄存器STATUS_CONFIG寄存器
2.必須通過將CONFIG.INTB_DIS設(shè)置為0來啟用INTB功能
當(dāng)STATUS寄存器中的位域被置位時(shí)，整個(gè)STATUS寄存器的內(nèi)容一直保持到讀或直到讀取DATA_CHx寄存器。 閱讀也解除了INTB的立場(chǎng)。 中斷之一由以下事件之一清除：
1.進(jìn)入睡眠模式
2.上電復(fù)位（POR）
3.器件進(jìn)入關(guān)斷模式（SD被置位）
4.軟件重置
5. I2C讀取STATUS寄存器：讀取STATUS寄存器將清除STATUS中設(shè)置的任何錯(cuò)誤狀態(tài)位以及ERR_CHAN字段并取消斷言INTB 將寄存器CONFIG.INTB_DIS設(shè)置為b1將禁用INTB功能，并將INTB引腳保持為高電平。 9.3.5輸入去毛刺濾波器 輸入抗干擾濾波器可抑制EMI并在傳感器頻率之上振鈴。 它不會(huì)影響只要其帶寬配置為高于最大傳感器頻率即可。 輸入可以在MUX_CONFIG.DEGLITCH寄存器字段中配置去毛刺濾波器，如表11所示性能，建議選擇超過傳感器振蕩頻率的最低設(shè)置。 對(duì)于例如，如果最大傳感器頻率為2.0 MHz，請(qǐng)選擇MUX_CONFIG.DEGLITCH = b100（3.3 MHz）。 表11.輸入去毛刺濾波器寄存器
- 通道2和3僅適用于FDC2114 / FDC2214。
9.4設(shè)備功能模式 9.4.1啟動(dòng)模式 當(dāng)FDC上電時(shí)，它進(jìn)入睡眠模式并等待配置。 一旦設(shè)備是配置后，通過將CONFIG.SLEEP_MODE_EN設(shè)置為b0退出睡眠模式。
建議在休眠模式下配置FDC。 如果需要更改FDC上的設(shè)置，將設(shè)備返回睡眠模式，更改相應(yīng)的寄存器，然后退出睡眠模式。 9.4.2正常（轉(zhuǎn)換）模式 當(dāng)在正常（轉(zhuǎn)換）模式下操作時(shí)，F(xiàn)DC周期性地采樣頻率傳感器和生成活動(dòng)通道的樣本輸出。 9.4.3睡眠模式 通過將CONFIG.SLEEP_MODE_EN寄存器字段設(shè)置為1來進(jìn)入睡眠模式。在此模式下，進(jìn)入睡眠模式寄存器內(nèi)容保持不變。 要退出睡眠模式，請(qǐng)將CONFIG.SLEEP_MODE_EN寄存器字段設(shè)置為0。將CONFIG.SLEEP_MODE_EN設(shè)置為b0后，第一次轉(zhuǎn)換的傳感器激活將在16,384之后開始f INT時(shí)鐘周期。 處于睡眠模式時(shí)，I2C接口功能正常，因此寄存器的讀寫操作可以實(shí)現(xiàn)執(zhí)行。 在睡眠模式下，不執(zhí)行任何轉(zhuǎn)換。 此外，進(jìn)入睡眠模式將清除任何錯(cuò)誤條件并取消斷言INTB引腳。 9.4.4關(guān)閉模式 當(dāng)SD引腳設(shè)置為高電平時(shí)，F(xiàn)DC將進(jìn)入關(guān)斷模式。 關(guān)機(jī)模式是最低功耗狀態(tài)。要退出關(guān)斷模式，請(qǐng)將SD引腳設(shè)置為低電平。 進(jìn)入關(guān)機(jī)模式會(huì)將所有寄存器恢復(fù)為默認(rèn)值州。 在關(guān)機(jī)模式下，不執(zhí)行轉(zhuǎn)換。 此外，進(jìn)入關(guān)機(jī)模式將清除任何錯(cuò)誤條件并取消斷言INTB引腳。 設(shè)備處于關(guān)機(jī)模式時(shí)，無法讀取或通過I2C接口從器件寫入數(shù)據(jù)。 9.4.4.1重置 可以通過寫入RESET_DEV.RESET_DEV來重置FDC。 轉(zhuǎn)換將停止并且所有寄存器值將會(huì)變?yōu)榉祷氐狡淠J(rèn)值。 讀取時(shí)該寄存器位始終返回0b。 9.5編程 FDC器件使用I2C接口訪問控制和數(shù)據(jù)寄存器。 9.5.1 I2C接口規(guī)范 FDC使用帶I2C的擴(kuò)展啟動(dòng)序列來訪問寄存器。 I2C的最大速度接口是400 kbit / s。 該序列遵循標(biāo)準(zhǔn)的I2C 7位從機(jī)地址，后跟8位指針寄存器字節(jié)設(shè)置寄存器地址。 當(dāng)ADDR引腳設(shè)置為低電平時(shí)，F(xiàn)DC I2C地址為0x2A; 當(dāng)。。。的時(shí)候ADDR引腳設(shè)置為高電平，F(xiàn)DC I2C地址為0x2B。 在FDC退出后，ADDR引腳不能改變狀態(tài)關(guān)機(jī)模式。  編程（續(xù)）
9.6注冊(cè)地圖 9.6.1注冊(cè)表 帶保留字段的字段只能用指示值寫入。 不正確的設(shè)備操作可能發(fā)生除此以外。 R / W列表示相應(yīng)字段的讀寫狀態(tài)。 'R / W'條目表示讀寫能力，'R'表示只讀，'W'表示只寫。 圖18.注冊(cè)列表
9.6.2地址0x00，DATA_CH0 圖19.地址0x00，DATA_CH0
表12.地址0x00，DATA_CH0字段說明
9.6.3地址0x01，DATA_LSB_CH0（僅限FDC2212 / FDC2214） 圖20.地址0x01，DATA_LSB_CH0 表13.地址0x01，DATA_CH0字段說明 9.6.4地址0x02，DATA_CH1 圖21.地址0x02，DATA_CH1 表14.地址0x02，DATA_CH1字段說明 9.6.5地址0x03，DATA_LSB_CH1（僅限FDC2212 / FDC2214） 圖22.地址0x03，DATA_LSB_CH1 表15.地址0x03，DATA_CH1字段說明 9.6.6地址0x04，DATA_CH2（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214） 圖23.地址0x04，DATA_CH2 表16.地址0x04，DATA_CH2字段描述 9.6.7地址0x05，DATA_LSB_CH2（僅限FDC2214）
圖24.地址0x05，DATA_LSB_CH2 表17.地址0x05，DATA_CH2字段說明 9.6.8地址0x06，DATA_CH3（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214）
圖25.地址0x06，DATA_CH3 表18.地址0x06，DATA_CH3字段說明 9.6.9地址0x07，DATA_LSB_CH3（僅限FDC2214）
圖26.地址0x07，DATA_LSB_CH3 表19.地址0x07，DATA_CH3字段說明 9.6.10地址0x08，RCOUNT_CH0
圖27.地址0x08，RCOUNT_CH0 表20.地址0x08，RCOUNT_CH0字段說明 9.6.11地址0x09，RCOUNT_CH1
圖28.地址0x09，RCOUNT_CH1 表21.地址0x09，RCOUNT_CH1字段說明 9.6.12地址0x0A，RCOUNT_CH2（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214） 圖29.地址0x0A，RCOUNT_CH2 表22.地址0x0A，RCOUNT_CH2字段說明 9.6.13地址0x0B，RCOUNT_CH3（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214） 圖30.地址0x0B，RCOUNT_CH3 表23.地址0x0B，RCOUNT_CH3字段說明 9.6.14地址0x0C，OFFSET_CH0（僅限FDC21112 / FDC2114）
圖31.地址0x0C，CH0_OFFSET 表24. CH0_OFFSET字段描述 9.6.15地址0x0D，OFFSET_CH1（僅限FDC21112 / FDC2114）
圖32.地址0x0D，OFFSET_CH1 表25.地址0x0D，OFFSET_CH1字段說明 9.6.16地址0x0E，OFFSET_CH2（僅限FDC2114）
圖33.地址0x0E，OFFSET_CH2 表26.地址0x0E，OFFSET_CH2字段說明 9.6.17地址0x0F，OFFSET_CH3（僅限FDC2114）
圖34.地址0x0F，OFFSET_CH3 表27.地址0x0F，OFFSET_CH3字段說明 9.6.18地址0x10，SETTLECOUNT_CH0
圖35.地址0x10，SETTLECOUNT_CH0 表28.地址0x11，SETTLECOUNT_CH0字段說明 9.6.19地址0x11，SETTLECOUNT_CH1
圖36.地址0x11，SETTLECOUNT_CH1 表29.地址0x12，SETTLECOUNT_CH1字段描述
9.6.20地址0x12，SETTLECOUNT_CH2（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214） 圖37.地址0x12，SETTLECOUNT_CH2
表30.地址0x12，SETTLECOUNT_CH2字段說明
9.6.21地址0x13，SETTLECOUNT_CH3（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214）
圖38.地址0x13，SETTLECOUNT_CH3  表31.地址0x13，SETTLECOUNT_CH3字段說明 9.6.22地址0x14，CLOCK_DIVIDERS_CH0
圖39.地址0x14，CLOCK_DIVIDERS_CH0 表32.地址0x14，CLOCK_DIVIDERS_CH0字段描述 9.6.23地址0x15，CLOCK_DIVIDERS_CH1
圖40.地址0x15，CLOCK_DIVIDERS_CH1 表33.地址0x15，CLOCK_DIVIDERS_CH1字段描述 9.6.24地址0x16，CLOCK_DIVIDERS_CH2（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214）
圖41.地址0x16，CLOCK_DIVIDERS_CH2 表34.地址0x16，CLOCK_DIVIDERS_CH2字段描述 9.6.25地址0x17，CLOCK_DIVIDERS_CH3（僅限FDC2114，F(xiàn)DC2214） 圖42.地址0x17，CLOCK_DIVIDERS_CH3 表35.地址0x17，CLOCK_DIVIDERS_CH3 圖43.地址0x18，STATUS 表36.地址0x18，STATUS字段描述 9.6.27地址0x19，ERROR_CONFIG 圖44.地址0x19，ERROR_CONFIG 表37.地址0x19，ERROR_CONFIG 9.6.28地址0x1A，CONFIG 圖45.地址0x1A，CONFIG 表38.地址0x1A，CONFIG字段說明  9.6.29地址0x1B，MUX_CONFIG 圖46.地址0x1B，MUX_CONFIG  表39.地址0x1B，MUX_CONFIG字段說明 9.6.30地址0x1C，RESET_DEV 圖47.地址0x1C，RESET_DEV  表40.地址0x1C，RESET_DEV字段說明 9.6.31地址0x1E，DRIVE_CURRENT_CH0
圖48.地址0x1E，DRIVE_CURRENT_CH0 表41.地址0x1E，DRIVE_CURRENT_CH0字段描述 9.6.32地址0x1F，DRIVE_CURRENT_CH1 圖49.地址0x1F，DRIVE_CURRENT_CH1 表42.地址0x1F，DRIVE_CURRENT_CH1字段描述 9.6.33地址0x20，DRIVE_CURRENT_CH2（僅限FDC2114 / FDC2214） 圖50.地址0x20，DRIVE_CURRENT_CH2 表43.地址0x20，DRIVE_CURRENT_CH2字段描述 9.6.34地址0x21，DRIVE_CURRENT_CH3（僅限FDC2114 / FDC2214） 圖51.地址0x21，DRIVE_CURRENT_CH3 表44. DRIVE_CURRENT_CH3字段描述 9.6.35地址0x7E，MANUFACTURER_ID 圖52.地址0x7E，MANUFACTURER_ID 表45.地址0x7E，MANUFACTURER_ID字段描述 9.6.36地址0x7F，DEVICE_ID 圖53.地址0x7F，DEVICE_ID 表46.地址0x7F，DEVICE_ID字段描述 10應(yīng)用和實(shí)施 注意 以下應(yīng)用部分中的信息不屬于TI組件規(guī)范的一部分，TI不保證其準(zhǔn)確性或完整性。 TI的客戶有責(zé)任根據(jù)其目的確定組件的適用性。 客戶應(yīng)驗(yàn)證并測(cè)試其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以確認(rèn)系統(tǒng)功能。 10.1應(yīng)用信息 10.1.1傳感器配置 FDC支持兩種傳感器配置。 兩種配置都使用LC電容來設(shè)置振蕩頻率。 典型的選擇是一個(gè)18μH屏蔽SMD電感與33 pF電容并聯(lián)，產(chǎn)生6.5 MHz振蕩頻率。 在圖54中的單端配置中，導(dǎo)電板連接IN0A。 與目標(biāo)物體一起，導(dǎo)電板形成可變電容器。 在圖55的差分傳感器配置中，一個(gè)導(dǎo)電板連接到IN0A，第二個(gè)導(dǎo)電板連接到IN0B。 它們一起形成可變電容器。 當(dāng)使用單端傳感器配置時(shí)，請(qǐng)將CHx_FIN_SEL設(shè)置為b10（除以2）。 對(duì)于給定的總傳感器板面積，單端配置允許比差分配置更高的感應(yīng)范圍。 在需要靠近高靈敏度的應(yīng)用中，差分配置比單端配置性能更好。 10.1.2屏蔽 為了盡量減少來自外部物體的干擾，一些應(yīng)用需要額外的板作為屏蔽層。 盾可以是：
•主動(dòng)驅(qū)動(dòng)屏蔽：屏蔽是INxA引腳的緩沖信號(hào)。 信號(hào)由外部放大器緩沖，增益為1 .•無源屏蔽：屏蔽連接到GND。 添加無源屏蔽降低了傳感器的靈敏度，但取決于傳感板與屏蔽之間的距離之間的距離。 感應(yīng)板和屏蔽之間的距離應(yīng)調(diào)整以達(dá)到所需的靈敏度 10.2典型應(yīng)用 FDC可用于測(cè)量不導(dǎo)電容器中的液位。 由于其極高的激發(fā)速率能力，它可以測(cè)量肥皂水，墨水，肥皂和其他導(dǎo)電液體。 電容式傳感器可以連接到容器的外部或遠(yuǎn)離容器，允許非接觸式測(cè)量。 工作原理基于比例測(cè)量; 圖56顯示了使用三個(gè)電極的可能的系統(tǒng)實(shí)施。 液位電極提供與液位成比例的電容值。 Reference Environment電極和Reference Liquid電極用作參考。 參考液體電極考慮液體介電常數(shù)及其變化，而參考環(huán)境電極用于補(bǔ)償非液體本身造成的任何其他環(huán)境變化。 請(qǐng)注意，參考環(huán)境電極和參考液體電極具有相同的物理尺寸（hREF）。 對(duì)于這種應(yīng)用，由于儲(chǔ)罐接地，因此對(duì)活動(dòng)通道進(jìn)行單端測(cè)量是合適的。 用于根據(jù)測(cè)量的電容確定液位： 哪里 • CRE是參考環(huán)境電極的電容， • CRL是參比液電極的電容， • CLev是電平電極傳感器測(cè)量的電容的電流值， • CLev（0）是電平電極的電容 當(dāng)容器為空時(shí)，以及 • hREF是容器或液體參比電極所需單位的高度 電平電容和參考電極之間的比率允許簡(jiǎn)單計(jì)算容器本身內(nèi)的液位。 即使傳感器位于遠(yuǎn)離容器的位置，由于FDC2x1x的高分辨率，也可以獲得非常高的靈敏度值（即，許多LSB / mm）。 注意，該方法假設(shè)容器從頂部到底部具有均勻的橫截面，因此液體中的每次遞增或增加表示與液體高度直接相關(guān)的體積變化。 10.2.1原理圖 10.2.2設(shè)計(jì)要求 液位測(cè)量應(yīng)該獨(dú)立于液體，這可以使用上述3電極設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)。 此外，傳感器應(yīng)該與環(huán)境干擾源隔離，如人體，其他物體或EMI。 10.2.3詳細(xì)設(shè)計(jì)程序 在電容式感應(yīng)系統(tǒng)中，傳感器的設(shè)計(jì)在確定系統(tǒng)性能和功能方面起著重要作用。 在大多數(shù)情況下，傳感器只是一塊可以設(shè)計(jì)在PCB上的金屬板。本示例中使用的傳感器采用雙層PCB實(shí)現(xiàn)。 在面向儲(chǔ)罐的頂層上，有3個(gè)電極（參考環(huán)境，參考液體和液位），其周圍有一個(gè)接地層。
根據(jù)容器的形狀，F(xiàn)DC可以位于傳感器PCB上，以最大限度地減少輸入通道和傳感器之間的走線長(zhǎng)度。 在容器的形狀或其他機(jī)械約束不允許傳感器和FDC在同一PCB上的情況下，將通道連接到傳感器的跡線需要用適當(dāng)?shù)钠帘纹帘巍?/div> 10.2.3.1應(yīng)用性能圖 帶有3個(gè)電極的液位傳感器（如示意圖所示）與EVM連接。 該圖顯示了水平傳感器在水箱中不同液位下測(cè)量的電容。 參考液體和參考環(huán)境傳感器的電容具有穩(wěn)定的值，因?yàn)樗鼈兘?jīng)歷與液體和空氣的一致暴露，而液位傳感器（液位）的電容隨著液體中液體的高度線性增加。 10.2.3.2建議的初始寄存器配置值 該應(yīng)用需要100SPS（TSAMPLE = 10 ms）。 使用具有18μH電感和33pF電容的傳感器。 額外的引腳，走線和導(dǎo)線電容占20pF，所以總電容為53pF。 使用L和C，fSENSOR = 1 /2π√（LC）= 1 /2π√（18 * 10-6 * 50 * 10-12）= 5.15MHz。 這代表最大傳感器頻率。 當(dāng)傳感器電容增加時(shí)，頻率會(huì)降低。 使用應(yīng)用于CLKIN引腳的40 MHz系統(tǒng)主時(shí)鐘，可靈活設(shè)置內(nèi)部時(shí)鐘頻率。 傳感器線圈連接到通道0（IN0A和IN0B引腳），通道1（IN1A和IN1B引腳）和通道2（IN2A和IN2B引腳）。 打開FDC后，它將進(jìn)入睡眠模式。 如下編程寄存器（示例只設(shè)置通道0寄存器;通道1和通道2寄存器可以使用等效配置）： 1.設(shè)置通道0的分頻器。 （a）由于傳感器處于單端配置，因此傳感器頻率選擇寄存器應(yīng)該設(shè)置為2，這意味著設(shè)置字段CH0_FIN_SEL為b10。 （b）fREF0的設(shè)計(jì)約束是> 4×fSENSOR。為了滿足這個(gè)限制，fREF0必須大于20.6 MHz，所以參考分頻器應(yīng)該設(shè)置為1.這是通過將CH0_FREF_DIVIDER字段設(shè)置為0x01來完成的。 （c）陳的綜合價(jià)值.0分頻器寄存器（0x14）為0x2001。 2.傳感器驅(qū)動(dòng)電流：確保振蕩幅度在1.2V至1.8V之間，在示波器上測(cè)量振蕩幅度并調(diào)整IDRIVE值，或使用集成的FDC GUI功能確定最佳設(shè)置。在這種情況下，IDRIVE值應(yīng)設(shè)置為15（十進(jìn)制），這將導(dǎo)致1.68 V（峰峰值）的振蕩幅度。 INIT_DRIVE當(dāng)前字段應(yīng)該設(shè)置為0x00。 DRIVE_CURRENT_CH0寄存器（addr 0x1E）的組合值為0x7C00。 3.編程通道0的建立時(shí)間（請(qǐng)參閱多通道和單通道操作）。 （a）CHx_SETTLECOUNT> Vpk×fREFx×C×π2/（32×IDRIVEX）→7.5，向上舍入為8.為了考慮系統(tǒng)容差提供余量，選擇更高的值10。 （b）寄存器0x10應(yīng)編程為最小值10. （c）結(jié)算時(shí)間為：（10 x 16）/ 40,000,000 =4μs （d）Chan的值。 0 SETTLECOUNT寄存器（0x10）為0x000A。 4. fREF = 40 MHz時(shí)，通道切換延遲約為1μs（參見多通道和單通道操作） 5。通過編程通道0的參考計(jì)數(shù)來設(shè)置轉(zhuǎn)換時(shí)間。轉(zhuǎn)換時(shí)間的預(yù)算為：1 / N *（TSAMPLE - 建立時(shí)間 - 通道切換延遲）= 1/3（10,000 - 4 - 1）= 3.33 ms （a）要確定轉(zhuǎn)換時(shí)間寄存器值，請(qǐng)使用以下公式求解CH0_RCOUNT：轉(zhuǎn)換時(shí)間（ tC0）=（CH0_RCOUNTˣ16）/ fREF0。 （b）這導(dǎo)致CH0_RCOUNT的值為8329十進(jìn)制（向下舍入）。請(qǐng)注意，這會(huì)產(chǎn)生一個(gè)ENOB> 13位。 （c）將CH0_RCOUNT寄存器（0x08）設(shè)置為0x2089 6.使用ERROR_CONFIG寄存器的默認(rèn)值（地址0x19）。默認(rèn)情況下，不允許中斷7.編程MUX_CONFIG寄存器 （a）將AUTOSCAN_EN設(shè)置為b1位以使能順序模式 （b）將RR_SEQUENCE設(shè)置為b10以在三個(gè)通道（通道0，通道1，通道2）上啟用數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 （c）將DEGLITCH設(shè)置為b101，將輸入抗尖峰脈沖濾波器帶寬設(shè)置為10MHz，這是超出振蕩振蕩器頻率的最低設(shè)置。 （d）MUX_CONFIG寄存器（地址0x1B）的組合值為0xC20D 8.最后，按如下方式對(duì)CONFIG寄存器進(jìn)行編程： （a）將ACTIVE_CHAN字段設(shè)置為b00以選擇通道0. （b）將SLEEP_MODE_EN字段設(shè)置為b0至啟用轉(zhuǎn)換。 （c）在傳感器激活期間設(shè)置SENSOR_ACTIVATE_SEL = b0，以獲得全電流驅(qū)動(dòng) （d）將REF_CLK_SRC字段設(shè)置為b1以使用外部時(shí)鐘源。 （e）將其他字段設(shè)置為其默認(rèn)值。 （f）CONFIG寄存器（地址0x1A）的組合值為0x1601。 然后我們從寄存器地址0x00到0x05每10ms讀取通道0到通道2的轉(zhuǎn)換結(jié)果。 基于上面的示例配置，推薦使用以下寄存器寫入序列： 表47.推薦的初始寄存器配置值（多通道操作） 10.2.3.3電感自諧振頻率 每個(gè)電感器都有一個(gè)分布式寄生電容，這取決于結(jié)構(gòu)和幾何形狀。 在自諧振頻率（SRF）下，電感的電抗抵消了寄生電容的電抗。 在SRF上方，電感器將顯示為電容器。 由于寄生電容不能很好地控制或穩(wěn)定，因此建議：fSENSOR <0.8×fSR。 圖58中的示例電感器具有6.38 MHz的SRF; 因此電感不應(yīng)在0.8×6.38 MHz或5.1 MHz以上工作。 10.2.4應(yīng)用曲線 通用測(cè)試條件（除非另有說明）：傳感器電容：1層，20.9 x 13.9 mm，Bourns CMH322522-180KL傳感器電感，L = 18μH和33 pF 1％COG / NP0目標(biāo)：接地鋁板（176 x 123 mm） ，Channel = Channel 0（連續(xù)模式）CLKIN = 40 MHz，CHx_FIN_SEL = b10，CHx_FREF_DIVIDER = b00 0000 0001 CH0_RCOUNT = 0xFFFF，SETTLECOUNT_CH0 = 0x0100，DRIVE_CURRENT_CH0 = 0x7800 10.2.5功率周期應(yīng)用 對(duì)于不需要高采樣率或最大轉(zhuǎn)換分辨率的應(yīng)用，F(xiàn)DC的總有效轉(zhuǎn)換時(shí)間可以最小化，以降低功耗。 這可以通過在不需要轉(zhuǎn)換的時(shí)間內(nèi)使用睡眠模式或關(guān)閉模式完成（請(qǐng)參閱設(shè)備功能模式）。 例如，對(duì)于僅需要每秒10個(gè)采樣且分辨率為16位的應(yīng)用，可以使用低功耗模式。 傳感器需要SETTLECOUNT = 16和01111b（0.146 mA）的IDRIVE。 給定FREF = 40 MHz和RCOUNT = 4096將提供所需的分辨率。 這相當(dāng)于每秒有效轉(zhuǎn)換時(shí)間為4096 * 16 * 10/40 MHz→16.4毫秒。 啟動(dòng)時(shí)間和通道切換延遲占0.34 ms。 在剩下的時(shí)間內(nèi)，器件可處于睡眠模式：因此，平均電流為19.4 ms * 3.6 mA有效電流+ 980.6 ms，休眠電流為35μA，平均電源電流約為104.6μA。 休眠模式保留寄存器設(shè)置，因此喚醒FDC所需的I2C寫入數(shù)少于關(guān)閉模式。 在非活動(dòng)期間使用關(guān)閉模式可以實(shí)現(xiàn)更大的電流節(jié)省。 在關(guān)機(jī)模式下，設(shè)備配置不會(huì)保留，因此必須為每個(gè)樣品配置設(shè)備。 在這個(gè)例子中，配置每個(gè)采樣大約需要1.2 ms（13個(gè)寄存器*每個(gè)寄存器92.5μs）。 總有效時(shí)間為20.6毫秒。 平均電流為20 ms * 3.6 mA有效電流+ 980 ms *2μA關(guān)斷電流，約為平均電源電流的75μA。 10.3做與不做 • 差分配置時(shí)，請(qǐng)?jiān)趥鞲衅靼逯g留出小間隙。 建議使用2-3mm的最小間距。 • FDC不支持熱插拔傳感器。 不要熱插拔傳感器，例如使用外部多路復(fù)用器 11電源建議 FDC需要2.7 V和3.6 V的電壓電源。建議在VDD和GND引腳之間使用0.1μF和1μF的多層陶瓷旁路X7R電容。 如果電源距離FDC超過幾英寸，除陶瓷旁路電容外，可能還需要額外的大容量電容。 一個(gè)值為10μF的電解電容器是典型的選擇。 最佳放置位置最靠近器件的VDD和GND引腳。 應(yīng)注意盡量減小旁路電容連接，VDD引腳和器件GND引腳形成的環(huán)路面積。 有關(guān)布局示例，請(qǐng)參見圖63和圖63。 12布局 12.1布局指南 • 避免將傳感器連接到FDC的較長(zhǎng)跡線。 短路徑可減少傳感器電感之間的寄生電容，并提供更高的系統(tǒng)性能。 • 需要匹配通道響應(yīng)的系統(tǒng)需要在所有活動(dòng)通道上具有匹配的跡線長(zhǎng)度。 12.2布局示例 圖63至圖66顯示了FDC2114 / FDC2214評(píng)估模塊（EVM）布局。 13設(shè)備和文檔支持 13.1設(shè)備支持 13.1.1第三方產(chǎn)品免責(zé)聲明 TI發(fā)布有關(guān)第三方產(chǎn)品或服務(wù)的信息不構(gòu)成對(duì)此類產(chǎn)品或服務(wù)的適用性的擔(dān)保，也不構(gòu)成對(duì)任何TI產(chǎn)品或服務(wù)的任何TI產(chǎn)品或服務(wù)的保證，陳述或認(rèn)可，或?qū)Υ祟惍a(chǎn)品或服務(wù)的認(rèn)可。 13.2相關(guān)鏈接 表48列出了快速訪問鏈接。 類別包括技術(shù)文檔，支持和社區(qū)資源，工具和軟件以及快速訪問樣本或購買。  13.3社區(qū)資源 以下鏈接連接到TI社區(qū)資源。 鏈接內(nèi)容由各自貢獻(xiàn)者“按現(xiàn)狀”提供。 它們不構(gòu)成TI的規(guī)范，并不一定反映TI的觀點(diǎn); 請(qǐng)參閱TI的使用條款。 TI E2E™在線社區(qū)TI的工程師對(duì)工程師（E2E）社區(qū)。 旨在促進(jìn)工程師之間的合作。 您可以提出問題，分享知識(shí)，探索創(chuàng)意并幫助解決與工程師的問題。 設(shè)計(jì)支持TI的設(shè)計(jì)支持快速查找有用的E2E論壇以及設(shè)計(jì)支持工具和技術(shù)支持的聯(lián)系信息 13.4商標(biāo) E2E是德州儀器的商標(biāo)。 所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。 13.5靜電放電小心  這些器件具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù)。 在儲(chǔ)存或搬運(yùn)過程中，引線應(yīng)短接在一起或?qū)⑵骷胖迷趯?dǎo)電泡沫中，以防止靜電損壞MOS門。 13.6術(shù)語表 SLYZ022 - TI術(shù)語表。 本術(shù)語表列出并解釋了術(shù)語，縮略語和定義。 14機(jī)械，封裝和可訂購信息 以下頁面包括機(jī)械，包裝和可訂購信息。 該信息是指定設(shè)備可用的最新數(shù)據(jù)。 此數(shù)據(jù)如有更改，恕不另行通知，并對(duì)本文件進(jìn)行修訂。 有關(guān)此數(shù)據(jù)表的基于瀏覽器的版本，請(qǐng)參閱左側(cè)導(dǎo)航。 包裝信息 - 市場(chǎng)狀態(tài)值定義如下：ACTIVE：為新設(shè)計(jì)推薦的產(chǎn)品設(shè)備。
LIFEBUY：德州儀器宣布該設(shè)備將停產(chǎn)，終身購買期將生效。 NRND：不建議用于新設(shè)計(jì)。 器件已投入生產(chǎn)以支持現(xiàn)有客戶，但TI不建議在新設(shè)計(jì)中使用此器件。 預(yù)覽：設(shè)備已宣布，但尚未投入生產(chǎn)。 樣品或提供或不提供。 停產(chǎn)：TI已停止生產(chǎn)該設(shè)備。 - 環(huán)保計(jì)劃 - 計(jì)劃的環(huán)保分類：無鉛（RoHS），無鉛（RoHS豁免）或綠色（RoHS和無Sb / Br） - 請(qǐng)查看以獲取最新的可用性信息和其他產(chǎn)品內(nèi)容詳細(xì)信息。
待定：無鉛/綠色轉(zhuǎn)換計(jì)劃尚未定義。 無鉛（RoHS）：TI的術(shù)語“無鉛”或“無鉛”是指與所有6種物質(zhì)的當(dāng)前RoHS要求兼容的半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括均質(zhì)材料中鉛含量不超過0.1％的要求。 在設(shè)計(jì)用于高溫焊接的場(chǎng)合，TI無鉛產(chǎn)品適用于特定的無鉛工藝。 無鉛（RoHS豁免）：該元件可免除RoHS，1）芯片和封裝之間使用的鉛基倒裝焊料凸點(diǎn)，或2）芯片和引線框架之間使用的鉛基芯片粘合劑。 該組件被視為無鉛（RoHS兼容），如上所述。 綠色（RoHS和無Sb / Br）：TI將“綠色”定義為無鉛（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)），不含溴（Br）和銻（Sb）的阻燃劑（Br或Sb不超過0.1％） 重均質(zhì)材料） - MSL，峰值溫度。 - 根據(jù)JEDEC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)分類的濕度敏感度等級(jí)等級(jí)和峰值焊料溫度。
（4）可能存在與徽標(biāo)，批次代碼信息或設(shè)備上的環(huán)境類別相關(guān)的附加標(biāo)記。
（5）多個(gè)設(shè)備標(biāo)記將在括號(hào)內(nèi)。 一個(gè)設(shè)備上只會(huì)出現(xiàn)一個(gè)包含在圓括號(hào)內(nèi)的設(shè)備標(biāo)記，并以“〜”分隔。 如果一行縮進(jìn)，那么它是前一行的延續(xù)，并且這兩個(gè)組合代表該設(shè)備的整個(gè)設(shè)備標(biāo)記。
（6）鉛/球完成 - 可訂購設(shè)備可能有多個(gè)材料完成選項(xiàng)。 完成選項(xiàng)由垂直格線分隔。 如果最終值超過最大列寬，則Lead / Ball Finish值可以換行為兩行。 重要信息和免責(zé)聲明：本頁提供的信息代表TI自提供之日起的知識(shí)和信念。 TI的知識(shí)和信念基于第三方提供的信息，并不對(duì)此類信息的準(zhǔn)確性作出任何陳述或保證。 目前正在努力更好地整合來自第三方的信息。 TI已經(jīng)并將繼續(xù)采取合理步驟提供具有代表性的準(zhǔn)確信息，但可能未對(duì)進(jìn)入的材料和化學(xué)品進(jìn)行破壞性測(cè)試或化學(xué)分析。 TI和TI供應(yīng)商認(rèn)為某些信息是專有信息，因此CAS編號(hào)和其他有限信息可能無法發(fā)布。 在任何情況下，TI因此類信息所產(chǎn)生的責(zé)任均不得超過本TI出售給客戶的TI零件的總購買價(jià)格。 其他合格版本的FDC2112，F(xiàn)DC2112-Q1，F(xiàn)DC2114，F(xiàn)DC2114-Q1，F(xiàn)DC2212，F(xiàn)DC2212-Q1，F(xiàn)DC2214，F(xiàn)DC2214-Q1： • 目錄：FDC2112，F(xiàn)DC2114，F(xiàn)DC2212，F(xiàn)DC2214
• 汽車：FDC2112-Q1，F(xiàn)DC2114-Q1，F(xiàn)DC2212-Q1，F(xiàn)DC2214-Q1
注：合格版本定義： • 目錄 - TI的標(biāo)準(zhǔn)目錄產(chǎn)品
• 汽車 - 適用于針對(duì)零缺陷的高可靠性汽車應(yīng)用的Q100器件 膠帶和卷軸信息 *所有尺寸均為標(biāo)稱 *所有尺寸均為標(biāo)稱 筆記： - 所有線性尺寸均以毫米為單位。 括號(hào)內(nèi)的尺寸僅供參考。 根據(jù)ASME Y14.5M標(biāo)注尺寸和公差。
2.本圖紙如有更改，恕不另行通知。 3.該封裝旨在焊接至電路板上的導(dǎo)熱墊以實(shí)現(xiàn)熱性能和機(jī)械性能。 欲了解更多信息，請(qǐng)參考文獻(xiàn)編號(hào)SLUA271中的QFN / SON PCB應(yīng)用筆記。 筆記： 1.所有線性尺寸均以毫米為單位。 括號(hào)中的任何尺寸僅供參考。 ASME Y14.5M的尺寸和公差。 2.本圖紙如有更改，恕不另行通知。 3.封裝散熱墊必須焊接到印刷電路板上，以獲得最佳熱性能和機(jī)械性能。 筆記(繼續(xù))： 4.此封裝設(shè)計(jì)用于焊接到電路板上的導(dǎo)熱墊。 有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱德州儀器（TI）文獻(xiàn)編號(hào)SLUA271 5.根據(jù)應(yīng)用，過孔是可選的，請(qǐng)參考器件數(shù)據(jù)手冊(cè)。 如果實(shí)現(xiàn)了任何過孔，請(qǐng)參閱此視圖上顯示的位置。 建議將糊劑下的通孔填充，堵塞或帳篷。 筆記（繼續(xù)）： 6.具有梯形壁和圓角的激光切割孔可以提供更好的膏釋放。 IPC-7525可能有其他設(shè)計(jì)建議。
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正在開發(fā)包含TI產(chǎn)品的系統(tǒng)的買家和其他人（統(tǒng)稱“設(shè)計(jì)師”）理解并同意設(shè)計(jì)師仍然有責(zé)任在設(shè)計(jì)他們的應(yīng)用程序時(shí)使用他們的獨(dú)立分析，評(píng)估和判斷，并且設(shè)計(jì)師有責(zé)任確保安全設(shè)計(jì)師的應(yīng)用程序及其應(yīng)用程序（以及設(shè)計(jì)人員應(yīng)用程序中使用的所有TI產(chǎn)品）與所有適用法規(guī)，法律和其他適用要求的一致性。設(shè)計(jì)師表示，就其應(yīng)用而言，Designer具有創(chuàng)建和實(shí)施保障的所有必要專業(yè)知識(shí)，這些保障包括（1）預(yù)測(cè)故障的危險(xiǎn)后果，（2）監(jiān)控故障及其后果，以及（3）減少發(fā)生故障的可能性可能會(huì)造成傷害并采取適當(dāng)?shù)男袆?dòng)。設(shè)計(jì)人員同意，在使用或分發(fā)包含TI產(chǎn)品的任何應(yīng)用程序之前，Designer將徹底測(cè)試此類應(yīng)用程序以及此類應(yīng)用程序中使用的此類TI產(chǎn)品的功能。
TI提供技術(shù)，應(yīng)用或其他設(shè)計(jì)建議，質(zhì)量特性描述，可靠性數(shù)據(jù)或其他服務(wù)或信息，包括但不限于參考設(shè)計(jì)和與評(píng)估模塊相關(guān)的材料（統(tǒng)稱“TI資源”）旨在提供幫助 設(shè)計(jì)人員正在開發(fā)集成TI產(chǎn)品的應(yīng)用程序; 通過以任何方式下載，訪問或使用TI資源，Designer（單獨(dú)或（如果Designer代表公司，Designer的公司）同意僅為此目的使用任何特定的TI資源，并遵守本通知的條款。
TI提供的TI資源不會(huì)擴(kuò)展或以其他方式更改TI針對(duì)TI產(chǎn)品的適用已發(fā)布的保證聲明或擔(dān)保免責(zé)聲明，也不會(huì)因TI提供此類TI資源而產(chǎn)生額外義務(wù)或責(zé)任。 TI保留對(duì)其TI資源進(jìn)行更正，增強(qiáng)，改進(jìn)和其他更改的權(quán)利。 除了在特定TI資源的已發(fā)布文檔中特別描述的TI以外，TI尚未進(jìn)行任何測(cè)試。
Designer僅被授權(quán)使用，復(fù)制和修改任何單獨(dú)的TI資源，以開發(fā)包含此類TI資源中標(biāo)識(shí)的TI產(chǎn)品的應(yīng)用程序。 任何其他許可，無論是明示還是暗示，通過商標(biāo)或其他TI知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并且不授予TI或任何第三方的任何技術(shù)或知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可，包括但不限于任何專利權(quán)，版權(quán) ，掩模工作權(quán)或與使用TI產(chǎn)品或服務(wù)的任何組合，機(jī)器或過程相關(guān)的其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 有關(guān)或參考第三方產(chǎn)品或服務(wù)的信息不構(gòu)成使用此類產(chǎn)品或服務(wù)的許可，也不構(gòu)成對(duì)其的保證或認(rèn)可。 TI資源的使用可能需要第三方根據(jù)第三方的專利或其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)的許可或TI的專利或其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)的許可。
TI資源按“原樣”提供，并保留所有錯(cuò)誤。 TI不對(duì)其資源或使用做出任何其他明示或暗示擔(dān)保或陳述，包括但不限于準(zhǔn)確性或完整性，所有權(quán)，任何流行失敗擔(dān)保以及對(duì)適銷性，特定用途適用性和非侵權(quán)性的暗示保證 任何第三方知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 TI不對(duì)任何索賠承擔(dān)責(zé)任，也不會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)人員進(jìn)行保護(hù)和賠償，包括但不限于任何與基于或基于產(chǎn)品組合的任何不相關(guān)的索賠，即使在TI資源描述或其他方面。 在任何情況下，TI均不對(duì)任何與TI資源或其使用有關(guān)的實(shí)際，直接，特殊，間接，間接，懲罰性，附帶，間接或懲罰性損害負(fù)責(zé)，也不管TI是否已被告知 此類損害的可能性。
除非TI明確指定單個(gè)產(chǎn)品滿足特定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（例如，ISO / TS 16949和ISO 26262）的要求，否則TI不對(duì)任何不符合此類行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求的行為負(fù)責(zé)。
在TI特別推廣產(chǎn)品作為促進(jìn)功能安全或符合行業(yè)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的情況下，此類產(chǎn)品旨在幫助客戶設(shè)計(jì)和創(chuàng)建自己的應(yīng)用程序，以滿足適用的功能安全標(biāo)準(zhǔn)和要求。在應(yīng)用程序中使用產(chǎn)品本身并不會(huì)在應(yīng)用程序中建立任何安全功能。設(shè)計(jì)人員必須確保符合適用于其應(yīng)用的安全相關(guān)要求和標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)計(jì)師不得在生命危險(xiǎn)的醫(yī)療設(shè)備中使用任何TI產(chǎn)品，除非各方的授權(quán)人員已執(zhí)行特別的合同來管理此類使用。對(duì)生命危險(xiǎn)的醫(yī)療設(shè)備是指醫(yī)療設(shè)備，如此類設(shè)備的故障會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的人身傷害或死亡（例如，生命支持，起搏器，除顫器，心臟泵，神經(jīng)刺激器和植入物）。此類設(shè)備包括但不限于美國食品和藥物管理局在美國境外將III類設(shè)備和同等分類標(biāo)識(shí)的所有醫(yī)療設(shè)備。
TI可能會(huì)明確指定某些產(chǎn)品完成特定資格（例如，Q100，軍用級(jí)或增強(qiáng)型產(chǎn)品）。 設(shè)計(jì)人員同意，他們擁有必要的專業(yè)知識(shí)，可以選擇具有適當(dāng)資格認(rèn)證的產(chǎn)品，并且選擇合適的產(chǎn)品需要設(shè)計(jì)師自行承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)。 設(shè)計(jì)師全權(quán)負(fù)責(zé)遵守與此類選擇相關(guān)的所有法律和法規(guī)要求。
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