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這個過零檢測電路能用嗎?

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樓主
這個過零檢測不是真的過零,而是在電壓最高點,但我覺得電路簡單,可以通過延時控制可控硅的導通角
有個問題C5壽命如何,要用安規嗎,如果壞了會短路嗎,
R11有用嗎,有用如何取值


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來自 2#
ID:123289 發表于 2018-6-14 06:08 | 只看該作者
這個電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間,對光藕的沖擊問題。風險大。
需要稍加改進。原理上說得通。
C5通常應該用安規。
如果C5壞了,一定是先短后開。如溫變內部擠壓形變層間相短或相近,間距耐壓不足,擊穿,大電流大溫升直至燒成開路才會停下來。
R11,可以影響到相位,但影響范圍不寬。且不太靠譜。

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來自 3#
ID:341045 發表于 2018-6-15 01:19 | 只看該作者
這個電路是利用電容的容抗來限流的(可認為是恒流), 相當于電阻, 但不消耗功率, 所以不會發熱. Xc=1/(2*3.14*f*c),市電頻率50Hz, Xc = 31.8K歐, 限流大約6.9毫安(電壓220V時), 所以基本是峰值光耦才導通(電壓低點電流就不夠了), 光耦一定要反向并個二極管(使交流形成回路, 你電路是加了的).R11保護光耦的.當光耦斷開時R11端電壓 V=220*R11/(31.8K+R11), 取R11=1K就好了(100K光耦開路時電壓太高, 瞬間接入有可能擊穿光耦). 電容C5耐壓夠就OK了, 很少壞了短路的(基本上開關電源的市電端都并一個0.1的電容的)

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地板
ID:218365 發表于 2018-6-12 16:06 | 只看該作者
沒人回答
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5#
ID:155507 發表于 2018-6-12 23:06 | 只看該作者
溫度變化不會導致明顯的過零脈沖飄逸,但時間會,只是這個時間不短且是以極低的變化率漸變的,因為光耦會老化,靈敏度逐漸降低,但這種情況在要求不高時可以忽略。

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6#
ID:287575 發表于 2018-6-13 00:27 | 只看該作者
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平
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7#
ID:218365 發表于 2018-6-13 20:34 來自手機 | 只看該作者
angmall 發表于 2018-6-12 23:06
溫度變化不會導致明顯的過零脈沖飄逸,但時間會,只是這個時間不短且是以極低的變化率漸變的,因為光耦會老 ...

謝謝,謝謝,謝謝
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8#
ID:218365 發表于 2018-6-14 17:36 | 只看該作者
zhangxiaozi 發表于 2018-6-13 00:27
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平

100K 電阻真的很熱
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9#
ID:218365 發表于 2018-6-14 19:57 | 只看該作者
yzwzfyz 發表于 2018-6-14 06:08
這個電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間,對光藕的沖擊問題。風險大。
需要稍加改進。原理上說得通。
...



只用電容就是覺得不發熱,沒考慮到上電正好是電壓尖峰時的電流
串個3K電阻,依然很熱,就想不發熱,所以用電容。
新手還望多指教


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10#
ID:352199 發表于 2018-6-14 22:34 | 只看該作者
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平
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11#
ID:218365 發表于 2018-6-14 22:35 | 只看該作者
zhangxiaozi 發表于 2018-6-13 00:27
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平

串聯100K+200K就不那么熱了,不知道對光耦有沒有影響
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12#
ID:349617 發表于 2018-6-15 11:41 | 只看該作者
其他人回答夠多了,我想說CBB電容改為X電容,這樣不存在風險。
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13#
ID:218365 發表于 2018-6-15 15:41 | 只看該作者
6541sdf 發表于 2018-6-14 22:34
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平


我認為雖然串電阻,過零時是高電平,但單片機如果是上升沿中斷是不是在電壓高于2V就已經觸發了
如果用下降沿,低于0.7V是不是已經過了真正零點了。

如果上面我說的對的話,和用電容限流的過零就沒有區別了,都要靠延時來得到真正的零點
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14#
ID:218365 發表于 2018-6-15 15:43 | 只看該作者
lzts88 發表于 2018-6-15 01:19
這個電路是利用電容的容抗來限流的(可認為是恒流), 相當于電阻, 但不消耗功率, 所以不會發熱. Xc=1/(2*3.14 ...

這是個雙向光耦,還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說,這個電路缺個上電沖擊保護
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15#
ID:218365 發表于 2018-6-15 15:54 | 只看該作者
小李子鐵頭 發表于 2018-6-15 11:41
其他人回答夠多了,我想說CBB電容改為X電容,這樣不存在風險。

基礎差,所以好多問題搞不明白

開始是用47K兩個電阻限流,但是發熱量大,后來用兩個150K,基本不發熱,但是用單片機下降沿中斷,產生中斷是在零點以后(2V以下)。

看別人帖子,用電容不發熱,但yzwzfyz 老師說上電對光耦沖擊較大,想不出好辦法
還請多指教。
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16#
ID:341045 發表于 2018-6-15 19:04 | 只看該作者
ZXHREG 發表于 2018-6-15 15:43
這是個雙向光耦,還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說,這個電路缺個上電沖擊保護

雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗分壓最高也就7V這樣,  R11你用100K和31K分壓R11分160V這樣肯定沖擊)
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17#
ID:111634 發表于 2018-6-15 22:42 | 只看該作者
本帖最后由 zl2168 于 2018-6-15 22:43 編輯

給你介紹一個正確有效看得懂的案例



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18#
ID:349617 發表于 2018-7-12 10:03 | 只看該作者
lzts88 發表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

在光耦發光二極管上并聯電容,這樣可以濾除尖峰脈沖,這樣就可以減少對發光二極管的沖擊,如果加二極管也可以,直接起到權位,

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19#
ID:349617 發表于 2018-7-12 10:04 | 只看該作者
lzts88 發表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

加電容需要調試,電容會有延時,

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20#
ID:218365 發表于 2018-9-16 19:13 | 只看該作者
小李子鐵頭 發表于 2018-7-12 10:04
加電容需要調試,電容會有延時,

串電感行嗎
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21#
ID:491577 發表于 2019-3-15 16:58 | 只看該作者
電阻去掉不要,將二極管換成3.3V穩壓管就行,穩壓管正向壓降0.7V相當于普通二極管,反向是3.3V穩壓,不管電源方向如何都可以保護LED不被擊穿。
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22#
ID:483991 發表于 2019-3-15 18:13 | 只看該作者
這樣玩是不行的,最起碼也得雙光藕,電路也較復雜,不過現在有雙向可控硅,完全沒必要這么整
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23#
ID:491577 發表于 2019-3-16 10:48 | 只看該作者
這個電路很有實用價值,很適合單片機使用,檢測點在最高點是沒有問題的,主要是要準確,R11、C4會影響準確度要去除,將保護二極管換成穩壓管可以完美保護光耦了(包括上電瞬間的沖擊),C5電容630v耐壓足夠了,像電腦電源就在電源線接有一個0.1UF電容,這個電容是很耐用的。建議如下圖電路:

過零檢測.JPG (25.54 KB, 下載次數: 104)

過零檢測.JPG
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24#
ID:804228 發表于 2020-7-16 14:44 | 只看該作者
zhangxiaozi 發表于 2018-6-13 00:27
不要電容,就用100k串聯就可以取過零,過零時候,P3.3是高電平,其他時間是低電平

你好,可以按照我的要求幫我設計一個電路板的pcb圖紙嗎?
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25#
ID:332444 發表于 2020-7-17 07:26 | 只看該作者
擺渡過一個很巧妙的過零電路使用的都是普通的1/8元件,很多人認為該電路不能正常工作,但是它的巧妙就在其中能正常工作,以前回復過。
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26#
ID:471889 發表于 2020-7-17 08:10 | 只看該作者
不能用!要用光偶做過零得兩個,百度上大把例子!
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27#
ID:332444 發表于 2020-7-17 08:45 | 只看該作者
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28#
ID:420836 發表于 2020-7-17 10:09 | 只看該作者
高壓側電路有一些問題。 首先,必須準確計算C5電容器,以將電流限制在光耦合器的最大電流要求以下。 其次,您需要添加一個與電容器并聯的放電電阻,這樣在電源關閉時它將使電容器放電。 第三,為了安全起見,C5必須為X級,并且至少要承受400V擊穿電壓。
使用以下公式計算C5的電抗:X = 1 /(2 * 3.14 * f * C5),其中,f為頻率50Hz。 因此,C5 = 1 /(2 * 3.14 * f * X),X由光耦合器的電流決定:I = 220V /(R11 + X),假設I = 10mA,則R11 + X = 22 kohm, 假設R11為1kohm,則X = 21kohm,C5 = 1 /(2 * 3.14 * 50 * 21000)〜= 0.15uF。 光耦合器上的電壓為10mA * 1kohm = 10V。
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29#
ID:714110 發表于 2020-7-17 10:47 | 只看該作者
這個電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間,對光藕的沖擊問題。風險大。
需要稍加改進。原理上說得通。
C5通常應該用安規。
如果C5壞了,一定是先短后開。如溫變內部擠壓形變層間相短或相近,間距耐壓不足,擊穿,大電流大溫升直至燒成開路才會停下來。
R11,可以影響到相位,但影響范圍不寬。且不太靠譜。

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參與人數 1黑幣 +30 收起 理由
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30#
ID:731094 發表于 2020-10-14 16:05 | 只看該作者

單片機對家用交流電過零同步可以用這個電路,過零高電平觸發同步,我目前也是用這個電路,兩個50K電阻用1/2W 以上的。
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